- [公司新闻]氮化镓PD快充ic U8608输入过欠压保护电路安全运行2025年05月19日 11:36
- 过压保护和欠压保护是维护芯片电路安全运行的关键功能。有些芯片会提供一个欠压保护引脚,当欠压保护被触发时,该引脚会产生一个信号。通过检测该引脚的状态,可以判断芯片是否处于欠压保护状态。深圳银联宝氮化镓PD快充icU8608输入过欠压保护 (Line OVP/BOP),先来看看它的引脚。 PD快充icU8608引脚特征: 1 NTC I/O 外置过温检测管脚 2 COMP I/O 运放输出,在该 pin 脚和 GND 之间连接阻容网络用于调节环路。 3 FB I/O 输出反馈、
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- [公司新闻]氮化镓PD快充芯片U8722DAS可减少高频噪声和应力冲击2025年05月16日 11:48
- 氮化镓PD快充芯片U8722DAS集成轻载SR应力优化功能,在轻载模式下,芯片将原边开通速度减半(如配置为特定驱动电流档位时),减缓开关动作的瞬态变化,从而减小次级侧SR器件的电压尖峰,通过分压电阻设置驱动电流档位(三档可选),平衡EMI性能与效率。低驱动电流档位可降低SR开关速度,减少高频噪声和应力冲击。 氮化镓PD快充芯片U8722DAS特征: ▲集成 高压 E-GaN ▲集成高压启动功能 ▲超低启动和工作电流,待机功耗 30mW ▲谷底锁定模式, 最高工作频率两档可调(
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- [公司新闻]20W氮化镓电源ic U8722SP谷底锁定模式优化损耗2025年05月15日 14:33
- 谷底锁定模式是一种应用于开关电源如反激式拓扑、准谐振电源中的关键技术,其核心在于通过精确控制开关管的导通时机以降低损耗和提升系统稳定性。在深圳银联宝科技最新推出的20W氮化镓电源icU8722SP中,谷底锁定及降频工作模式,可以有效避免负载变化时因谷底跳频导致的变压器工作不稳定或噪声问题,延长器件寿命,也为系统效率带来了一定的提升! 氮化镓电源icU8722SP采用峰值电流控制模式,可以自适应的工作在QR和降频工作模式,从而实现全负载功率范围内的效率优化。在满载和重载工况下
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- [公司新闻]45W集成高压E-GaN快充电源方案U8726AHE+U72692025年05月15日 10:56
- 氮化镓电源电路由于减少了元件数量和功率转换器占用的空间而更具吸引力。深圳银联宝科技作为E-GaN快充电源方案制造商,大量投入工程研发以应对各类技术挑战,为市场提供了各种功率级和多种功能的集成解决方案,今天推荐的是银联宝45W集成高压E-GaN快充电源方案U8726AHE+U7269! 快充电源芯片U8726AHE集成高压E-Mode GaN FET,为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率,芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路,驱动电压为VDRV (典型值6.4V)。E
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- [公司新闻]30W E-GaN高频高性能快充电源ic U87312025年05月14日 11:14
- GaN器件采用二维电子气结构,能够提供更高的电子迁移率和导电性能,因此适用于高频应用,可以实现更高效的功率转换。深圳银联宝科技研发生产的快充电源icU8731,集成700VE-GaN,高频高性能,推荐工作频率130KHz/220KHz,推荐最大输出功率30W,介绍给小伙伴们! 快充电源icU8731采用的是HSOP-7封装,管脚说明如下: 1 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚 2 FB I 系统反馈输入管脚 3 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能
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- [公司新闻]12V2A/3A氮化镓电源方案U8607/U8609+同步整流芯片U76132025年05月13日 10:54
- 深圳银联宝科技最新上市的氮化镓电源方案:U8607/U8609+同步整流芯片U7613,推荐输出功率12V2A、12V3A,非标共板,方案成熟,性能可靠,可满足更高性能要求、更低成本需求! 氮化镓电源芯片U8607/U8609采用原边反馈控制,可节省光耦和TL431,简化电源BOM。它合封第三代半导体GaN FET,最高工作频率130kHz,有利于降低电源尺寸。特征如下: *原边反馈控制,无需光耦和 TL431 *集成 700V GaN FET 驱动 *集成高压启动功能 *
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- [公司新闻]33W全负载高效率超结硅电源管理方案:U8623+U7612B2025年05月12日 14:49
- 由于芯片结构的改变,超结MOS的结电容比传统MOS有很大的降低,超结MOS具有极低的内阻,在相同的芯片面积下,超结MOS芯片的内阻甚至只有传统MOS的一半以上。较低的内阻,能降低损耗,减少发热。今天深圳银联宝科技带来的是33W全负载高效率超结硅电源管理方案:U8623+U7612B,可显著提升产品的易用性和效率! 电源管理芯片U8623是一款恒压、恒功率、恒温离线型电流模式PWM 电源管理芯片,内置0.85Ω/650V的超结硅功率 MOS。U8623具有全负载高效率、低空载
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- [公司新闻]氮化镓PD快充芯片U8733集成恒功率与主动降功率多控制功能2025年05月09日 11:32
- 芯片恒功率控制,意味着无论负载变化如何,系统都能保持恒定的输出功率,确保设备在各种工作条件下都能稳定运行。当检测到系统温度过高时,主动降功率功能会启动,以降低系统温度,防止过热。深圳银联宝科技的氮化镓PD快充芯片U8733,就集成了恒功率控制和主动降功率控制功能,一起来看看! 氮化镓PD快充芯片U8733集成恒功率控制与主动降功率控制功能,在恒功率区间,通过控制输出电流随输出电压变化,实现恒功率功能。外置温度检测环境温度,当温度过高主动降功率以降低系统温度,保证系统稳定
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- [公司新闻]ESOP-10W封装输入欠压保护氮化镓快充芯片U87662025年05月08日 15:14
- 在65W氮化镓快充设计中,输入欠压保护与过压保护协同工作,保障充电头在电网波动时仍能稳定输出,并避免因输入异常导致次级电路损坏。今天介绍的65W全压氮化镓快充芯片U8766,输入欠压保护(BOP),采用ESOP-10W封装! 氮化镓快充芯片U8766通过HV管脚对母线电压进行采样,当母线电压值小于BOP保护阈值VBOP (典型值 100V)时,芯片内部的BOP延迟计时使能,计时时间为TBOP_DELAY(典型值 80ms),计时结束后触发BOP保护。如果母线电压超过BOP恢复
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- [公司新闻]30~65W快充应用CCM同步整流芯片U71062025年05月08日 09:31
- 同步整流芯片U7106采用PDFN5*6封装,是一款高频率、高性能、CCM 同步整流开关,典型应用于30~65W快充,无需辅助绕组供电可稳定工作,可以在GaN系统中替代肖特基整流二极管以提高系统效率。 同步整流芯片U7106电路设计参考如下: 1. 副边主功率回路 Loop1 的面积尽可能小。 2. VDD 电容推荐使用 1μF 的贴片陶瓷电容,尽量紧靠 IC,Loop2的面积尽可能小。 3. HV 到Drain建议串联30~200Ω的电阻,推荐典型值100Ω。HV连接到D
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- [公司新闻]PD 20W氮化镓单电压应用方案:U8722AH+U77152025年05月07日 14:23
- 深圳银联宝科技推出的PD20W氮化镓单电压应用方案,主控芯片使用的是氮化镓快充芯片U8722AH,同步整流芯片U7715,协议338E。输入规格:180V-264V 50Hz,输出规格:C口,PD20W:5V3A / 9V2.22A / 12V1.67A。 氮化镓快充芯片U8722AH特点: 1.集成 700V E-GaN 2.集成高压启动功能 3.超低启动和工作电流,待机功耗 30mW 4.谷底锁定模式, 最高工作频率两档可调(220kHz,130kHz) 5.集
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- [公司新闻]带恒功率集成高压E-GaN氮化镓电源IC U8723AHS2025年05月06日 14:32
- 恒功率电源芯片具有稳压、高效、过载保护等特性,适用于一些功率要求严格的应用场景,如充电器、LED驱动器、电动工具等。今天推荐的深圳银联宝带恒功率集成高压E-GaN氮化镓电源ICU8723AHS,不仅可以提高电路的稳定性和可靠性,同时也可以提高能源利用效率,使优势发挥到最大! 针对宽输出电压应用场合,为了满足VDD的宽电压应用需求,往往需要添加额外的电路或者辅助绕组,导致系统功耗和电路成本的增加。氮化镓电源ICU8723AHS集成了Boost供电技术,仅在SW管脚添加一颗贴片电
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- [公司新闻]SOP-7封装20W氮化镓快充芯片U8722SP来咯!2025年04月29日 11:14
- 深圳银联宝氮化镓系列又双叒叕上“芯”料啦——U8722SP!氮化镓快充芯片U8722SP采用SOP-7封装,推荐最大输出功率20W,集成MOS耐压700V,典型应用于快速充电器和适配器上,脚位如下: 1 GND P 芯片参考地 2 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚 3 FB I 系统反馈输入管脚 4 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能力分档判定管脚 5 SW P Boost 电路内置 MOS 的漏极
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- [公司新闻]氮化镓快充芯片U8608集成多维度安全防护机制2025年04月28日 14:25
- 深圳银联宝氮化镓快充芯片U8608具有多重故障保护机制,通过集成多维度安全防护,防止设备出现过充电、过放电、过电流等问题,在电子设备中构建起全方位的安全屏障,今天具体分析一下! ■输入过欠压保护 (Line OVP/BOP) 氮化镓快充芯片U8608通过DRAIN管脚对母线电压进行采样,当母线电压值小于Line BOP 保护阈值VBOP (典型值70Vac)时,芯片内部的Line BOP延迟计时使能,计时时间为TBOP_DELAY(典型值 80ms),计时结束后触发Lin
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- [公司新闻]耐压700V氮化镓电源ic U8765散热性能优越2025年04月27日 14:07
- 氮化镓凭借高频高效特性,具备了体积小、功率高、发热低等优势,但小型化虽好,散热才是硬道理,选氮化镓电源ic得看准散热设计。今天就给小伙伴们推荐一款散热性能优越、耐压700V的氮化镓电源icU8765! 当氮化镓电源icU8765结温超过TSD (典型值150℃)时,芯片停止工作,进入过热保护。当芯片温度下降至TRC (典型值 120℃),芯片重新启动。U8765封装类型ESOP-10W,引脚分析如下: 1 HV P 高压启动管脚 2 DRAIN P GaN FET 漏极引脚
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- [公司新闻]20V单高压45W氮化镓电源芯片U8726AHE2025年04月25日 14:31
- EMI性能为高频交直流转换器的设计难点,为此氮化镓电源芯片U8726AHE通过DEM管脚集成了驱动电流分档配置功能。通过配置DEM管脚分压电阻值,可以选择不同档位的驱动电流,进而调节GaN FET的开通速度,系统设计者可以获得最优的EMI性能和系统效率的平衡。 氮化镓电源芯片U8726AHE引脚: 1 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚 2 FB I 系统反馈输入管脚 3 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能力分档判定管脚 4 VDD P 芯片供电管
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- [公司新闻]具有双LDO供电配置的同步整流ic U72682025年04月24日 14:29
- 同步整流icU7268是一款高性能副边同步整流控制器,当配合外置MOS使用时,可以替代肖特基整流二极管以提高系统效率。U7268支持High Side和Low Side配置,且内置有VDD高压供电模块,无需辅助绕组供电,降低了系统成本。U7268具有快速关断功能,支持断续工作模式(DCM)、准谐振工作模式(QR)及连续工作模式(CCM)。U7268内部集成有智能的开通检测功能,可以有效防止断续工作模式(DCM)中由于Vds振荡引起的SR误开通。 PCB 设计对同步整流icU
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- [公司新闻]25W带恒功率12V单高压氮化镓快充芯片U8723AH2025年04月24日 10:17
- 芯片内置Boost电路将功率开关器件(如MOSFET)、驱动电路、反馈网络等集成于单一封装,省去分立元件布局,显著降低PCB面积需求。深圳银联宝氮化镓快充芯片U8723AH内置Boost供电电路,非常适用于宽输出电压的应用场景。U8723AH集成峰值电流抖动功能和驱动电流配置功能,可极大的优化系统EMI性能! 氮化镓快充芯片U8723AH特性: ●集成 高压 E-GaN ●集成高压启动功能 ●超低启动和工作电流,待机功耗 30mW ●谷底锁定模式, 最高工作频率两档可调(2
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- [公司新闻]700V/165mΩ HV高压启动频率可调氮化镓快充芯片U87662025年04月23日 14:32
- 700V/165mΩ HV高压启动频率可调氮化镓快充芯片U8766,推荐功率为65W,代表机型有5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A等。 氮化镓快充芯片U8766集成了高压启动功能。在启动阶段,U8766通过芯片HV脚对VDD充电,当VDD电压达到VVDD_ON(典型值 12V)时,高压供电关闭。输出建立后,芯片供电由辅助绕组提供。在启动过程中,当VDD低于3V时,高压供电电路对VDD电容的充电电流为IHV1 (典型值 0.5mA),小电流充电,可以
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- [公司新闻]银联宝氮化镓电源芯片U8733L与U8733差异化分析2025年04月22日 11:25
- 氮化镓电源芯片U8733L与U8733同属U8733X系列,都是外置OTP,自带降功率(限12V最大输出),集成高压启动电路,可获得快速启动功能和超低的工作电流,实现小于30mW的超低待机功耗。但参数性能略有不同,今天就为各位小伙伴详细拆解一下两者不同之处! ▲U8733L Vds 耐压650V,Rdson内阻0.8R,ID电流2.5A,推荐功率33W。 ▲U8733 Vds 耐压700V,Rdson内阻0.47--0.6R,ID电流3.3A,推荐功率33W-45W ▲封装
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