- [公司新闻]氮化镓快充芯片U8722SP调整封装形式为SOP-8输出20W2025年06月16日 10:51
- 氮化镓快充芯片U8722SP封装形式升级调整为SOP-8，集成完备的保护功能：VDD过压/欠压保护(VDD OVP/UVLO)、输出过压保护(OVP)、输出欠压保护(DEM UVP)、输入过压保护(LOVP)、输入欠压保护(BOP)、片内过热保护(OTP)、逐周期电流限制(OCP)、异常过流保护(AOCP)、短路保护(SCP)、过载保护(OLP)、前沿消隐(LEB)、CS管脚开路保护等。 氮化镓快充芯片U8722SP管脚说明： 1 GND P 芯片参考地 2 CS I/O 电
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- [公司新闻]20V单高压带恒功率氮化镓PD快充芯片U8725AHE2025年06月05日 15:07
- 充电器和适配器等快充设备，需匹配高功率密度与宽电压输出范围的快充芯片。深圳银联宝科技推出的20V单高压带恒功率氮化镓PD快充芯片U8725AHE，集成高压启动、功率器件和保护电路，省去外部Boost/Buck电路及分立元件，缩小PCB面积；内置高压E-GaN和Boost供电电路，支持宽电压输出，切莫错过！ PD快充芯片U8725AHE主要特性： 1.集成 高压 E-GaN 2.集成高压启动功能 3.超低启动和工作电流，待机功耗 30mW 4.谷底锁定模式， 最高工作频率两档可
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- [公司新闻]集成MOS耐压700V低启动低功耗的PD快充芯片U8722SP2025年05月30日 14:16
- 耐压值定义了芯片安全工作电压上限，若输入电压超过该值（如动态波动或负载突变），可能引发击穿或永久损坏，直接影响器件可靠性、性能表现及系统适配性。高耐压芯片需更大厚度或更高电阻率的半导体材料，工艺制程要求更高。深圳银联宝科技的PD快充芯片U8722SP是一款集成 E-GaN 的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关，集成MOS耐压700V，值得一试！ PD快充芯片U8722SP集成了高压启动功能。如图1所示，在启动阶段，U8722SP通过芯片DRAIN脚对VDD充电，当VDD电
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- [公司新闻]耐压650V氮化镓快充芯片U8733L优化能源利用效率2025年05月27日 11:34
- 恒功率控制方式通过精确的控制策略和先进的电子技术，实现了在各种工况下输出功率的恒定。其基本原理是通过调节系统的输入或输出参数（如电压、电流等），使得系统在负载变化时能够维持输出功率不变。银联宝氮化镓快充芯片U8733L集成恒功率控制与主动降功率控制功能，在恒功率区间，通过控制输出电流随输出电压变化，实现恒功率功能。 氮化镓快充芯片U8733L特征： 集成 700V E-GaN 集成高压启动功能 超低启动和工作电流，待机功耗 30mW 谷底锁定模式，最 高 工 作 频 率 两
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- [公司新闻]氮化镓GaN快充芯片U8732轻松应对充电问题2025年05月21日 14:36
- 氮化镓充电器与普通充电器在充电效率方面对比，性能遥遥领先。它支持多种快充协议，如PD、QC等，能够智能识别设备所需的充电功率，实现快速充电。无论是苹果手机、安卓手机，还是笔记本电脑、平板电脑，氮化镓充电器都能轻松应对，一充搞定。充电器自然离不开芯片的支持，今天主推的就是来自深圳银联宝科技的氮化镓GaN快充芯片U8732！ 氮化镓GaN快充芯片U8732特点： 1.集成 700V E-GaN 2.集成高压启动功能 3.超低启动和工作电流，待机功耗 30mW 4.谷底锁定模式，
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- [公司新闻]氮化镓PD快充芯片U8722DAS可减少高频噪声和应力冲击2025年05月16日 11:48
- 氮化镓PD快充芯片U8722DAS集成轻载SR应力优化功能，在轻载模式下，芯片将原边开通速度减半（如配置为特定驱动电流档位时），减缓开关动作的瞬态变化，从而减小次级侧SR器件的电压尖峰，通过分压电阻设置驱动电流档位（三档可选），平衡EMI性能与效率。低驱动电流档位可降低SR开关速度，减少高频噪声和应力冲击。 氮化镓PD快充芯片U8722DAS特征： ▲集成 高压 E-GaN ▲集成高压启动功能 ▲超低启动和工作电流，待机功耗 30mW ▲谷底锁定模式， 最高工作频率两档可调(
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- [公司新闻]氮化镓PD快充芯片U8733集成恒功率与主动降功率多控制功能2025年05月09日 11:32
- 芯片恒功率控制，意味着无论负载变化如何，系统都能保持恒定的输出功率，确保设备在各种工作条件下都能稳定运行。当检测到系统温度过高时，主动降功率功能会启动，以降低系统温度，防止过热。深圳银联宝科技的氮化镓PD快充芯片U8733，就集成了恒功率控制和主动降功率控制功能，一起来看看！ 氮化镓PD快充芯片U8733集成恒功率控制与主动降功率控制功能，在恒功率区间，通过控制输出电流随输出电压变化，实现恒功率功能。外置温度检测环境温度，当温度过高主动降功率以降低系统温度，保证系统稳定
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- [公司新闻]ESOP-10W封装输入欠压保护氮化镓快充芯片U87662025年05月08日 15:14
- 在65W氮化镓快充设计中，输入欠压保护与过压保护协同工作，保障充电头在电网波动时仍能稳定输出，并避免因输入异常导致次级电路损坏。今天介绍的65W全压氮化镓快充芯片U8766，输入欠压保护(BOP)，采用ESOP-10W封装！ 氮化镓快充芯片U8766通过HV管脚对母线电压进行采样，当母线电压值小于BOP保护阈值VBOP (典型值 100V)时，芯片内部的BOP延迟计时使能，计时时间为TBOP_DELAY(典型值 80ms)，计时结束后触发BOP保护。如果母线电压超过BOP恢复
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- [公司新闻]PD 20W氮化镓单电压应用方案：U8722AH+U77152025年05月07日 14:23
- 深圳银联宝科技推出的PD20W氮化镓单电压应用方案，主控芯片使用的是氮化镓快充芯片U8722AH，同步整流芯片U7715，协议338E。输入规格：180V-264V 50Hz，输出规格：C口，PD20W：5V3A / 9V2.22A / 12V1.67A。 氮化镓快充芯片U8722AH特点： 1.集成 700V E-GaN 2.集成高压启动功能 3.超低启动和工作电流，待机功耗 30mW 4.谷底锁定模式， 最高工作频率两档可调(220kHz，130kHz) 5.集
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- [公司新闻]SOP-7封装20W氮化镓快充芯片U8722SP来咯！2025年04月29日 11:14
- 深圳银联宝氮化镓系列又双叒叕上“芯”料啦——U8722SP！氮化镓快充芯片U8722SP采用SOP-7封装，推荐最大输出功率20W，集成MOS耐压700V，典型应用于快速充电器和适配器上，脚位如下： 1 GND P 芯片参考地 2 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚 3 FB I 系统反馈输入管脚 4 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能力分档判定管脚 5 SW P Boost 电路内置 MOS 的漏极
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- [公司新闻]氮化镓快充芯片U8608集成多维度安全防护机制2025年04月28日 14:25
- 深圳银联宝氮化镓快充芯片U8608具有多重故障保护机制，通过集成多维度安全防护，防止设备出现过充电、过放电、过电流等问题，在电子设备中构建起全方位的安全屏障，今天具体分析一下！ ■输入过欠压保护 (Line OVP/BOP) 氮化镓快充芯片U8608通过DRAIN管脚对母线电压进行采样，当母线电压值小于Line BOP 保护阈值VBOP (典型值70Vac)时，芯片内部的Line BOP延迟计时使能，计时时间为TBOP_DELAY(典型值 80ms)，计时结束后触发Lin
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- [公司新闻]25W带恒功率12V单高压氮化镓快充芯片U8723AH2025年04月24日 10:17
- 芯片内置Boost电路将功率开关器件（如MOSFET）、驱动电路、反馈网络等集成于单一封装，省去分立元件布局，显著降低PCB面积需求。深圳银联宝氮化镓快充芯片U8723AH内置Boost供电电路，非常适用于宽输出电压的应用场景。U8723AH集成峰值电流抖动功能和驱动电流配置功能，可极大的优化系统EMI性能！ 氮化镓快充芯片U8723AH特性： ●集成 高压 E-GaN ●集成高压启动功能 ●超低启动和工作电流，待机功耗 30mW ●谷底锁定模式， 最高工作频率两档可调(2
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- [公司新闻]700V/165mΩ HV高压启动频率可调氮化镓快充芯片U87662025年04月23日 14:32
- 700V/165mΩ HV高压启动频率可调氮化镓快充芯片U8766，推荐功率为65W，代表机型有5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A等。 氮化镓快充芯片U8766集成了高压启动功能。在启动阶段，U8766通过芯片HV脚对VDD充电，当VDD电压达到VVDD_ON(典型值 12V)时，高压供电关闭。输出建立后，芯片供电由辅助绕组提供。在启动过程中，当VDD低于3V时，高压供电电路对VDD电容的充电电流为IHV1 (典型值 0.5mA)，小电流充电，可以
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- [公司新闻]700V/365mΩ高压启动GaN快充芯片U86092025年04月21日 14:31
- GaN快充芯片U8609最高工作频率130kHz，700V/365mΩ，采用DASOP-7封装，主推12V3A，合封第三代半导体GaN FET，有利于降低电源尺寸。U8609采用CS Jitter技术，通过调制峰值电流参考值实现频率抖动，以优化系统EMI。 GaN快充芯片U8609复用CS管脚以设定系统最高工作频率，CS管脚连接如图所示。芯片启动时，U8609通过检测RSEL电阻从而决定芯片最大工作频率。设定不同的RSEL电阻值即可选择两档不同的系统工作频率上限。选档判定结束
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- [公司新闻]12V单高压20W-25W氮化镓快充芯片U8722BAS2025年04月18日 14:39
- 氮化镓快充芯片U8722BAS复用CS管脚以设定系统最高工作频率，CS管脚连接如图所示。 芯片启动时，U8722BAS通过检测RSEL电阻从而决定芯片最大工作频率。设定不同的RSEL电阻值即可选择两档不同的系统工作频率上限。选档判定结束后系统锁定，每一次启动都伴随一次判定。 氮化镓快充芯片U8722BAS封装类型 ASOP7-T4，引脚名称如下： 1 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚 2 FB I 系统反馈输入管脚 3 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检
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- [公司新闻]外置OTP自带降功率氮化镓快充芯片U87322025年04月01日 10:18
- 当设备温度超过设定阈值时，外置OTP功能会自动触发，降低设备功率或关闭设备，以防止过热，这对于保护设备内部组件和延长设备寿命至关重要。在检测到温度升高时，设备会自动降低功率输出，以减少热量产生，从而防止过热。这种功能可以与OTP协同工作，提供双重保护。深圳银联宝氮化镓快充芯片U8732外置OTP自带降功率，单高压30W，一起了解下！ 氮化镓快充芯片U8732特点： 集成 700V E-GaN 集成高压启动功能 超低启动和工作电流，待机功耗 30mW 谷底锁定模式，最高
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- [公司新闻]65W全压700V底部无PAD氮化镓快充芯片U87662025年03月20日 15:32
- 深圳银联宝科技推出的氮化镓快充芯片集成高频高性能准谐振模式，显著降低磁性元件体积，同时通过同步整流技术将效率翻番。比如今天介绍的65W全压700V底部无PAD氮化镓快充芯片U8766，拥有超低启动和工作电流，可实现小于30mW的超低待机功耗，势如破竹！ 氮化镓快充芯片U8766集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV (典型值 6.2V)。EMI性能为高频交直流转换器的
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- [公司新闻]35W PD快充芯片U8724AHS宽幅电压输出超稳的2025年02月19日 10:42
- 宽幅电源的输出电压范围一般在85 ~ 265VAC的标准，而普通电源的输出电压范围一般在180V-240V的标准。电源的宽幅越大，输出电压随负载电流变化的程度就越小，输出电压就越稳定。35W PD快充芯片U8724AHS内置Boost供电电路，非常适用于宽输出电压的应用场景。 35W PD快充芯片U8724AHS的工作频率最高可达220kHz，可全范围工作在准谐振模式。芯片集成峰值电流抖动功能和驱动电流配置功能，可极大的优化系统EMI性能。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动
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- [公司新闻]U860X氮化镓快充芯片系列升级增加U8609料号2025年02月08日 14:43
- U860X氮化镓快充芯片系列在原有的U8607、U8608基础上，升级增加U8609料号，同时具备了输入欠压及软入过压保护功能，有需求的小伙伴赶紧看过来！ 氮化镓快充芯片U860X是一款集成E-GaN的恒压恒流PSR反激功率开关管，可为18~65W适配器应用提供全新的解决方案。U860X采用原边反馈控制，可节省光耦和TL431，简化电源BOM。它合封第三代半导体GaN FET，最高工作频率130kHz，有利于降低电源尺寸。U860X集成谷底锁定技术可以防止频率抖动产生噪音。
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- [公司新闻]PD快充芯片赛道优质选手——银联宝U88202024年12月20日 11:04
- 随着智能手机与APP应用的飞速发展，能明显感觉到，续航越来越不够用了。受限于电池技术短期内难有大突破，另辟蹊径的快速充电技术不仅逐渐成为了手机的标配，更是在其最佳伴侣“移动电源”上得到了应用。PD快充芯片U8820是一款针对离线式反激变换器的高性能准谐振电流模式PWM转换芯片。芯片集成有高压启动电路，可以获得快速启动和超低待机的性能。芯片支持8-40V的VDD供电，方便满足宽电压输出电源的要求！ PD快充芯片U8820封装类型SOP-7，引脚特征如下：
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