耐压值定义了芯片安全工作电压上限，若输入电压超过该值（如动态波动或负载突变），可能引发击穿或永久损坏，直接影响器件可靠性、性能表现及系统适配性。高耐压芯片需更大厚度或更高电阻率的半导体材料，工艺制程要求更高。深圳银联宝科技的PD快充芯片U8722SP是一款集成 E-GaN 的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关，集成MOS耐压700V，值得一试！

PD快充芯片U8722SP集成了高压启动功能。如图1所示，在启动阶段，U8722SP通过芯片DRAIN脚对VDD充电，当VDD电压达到VVDD_ON( 典型值12V)时，高压供电关闭。输出建立后，芯片供电由辅助绕组提供。

如图2所示，在启动过程中，当VDD低于3V时，高压供电电路对VDD电容的充电电流为IHV1(典型值 0.3mA)，小电流充电，可以降低VDD引脚对地短路时的芯片功耗。当VDD电压超过3V时，充电电流增加到IHV2 (典型值 3.4mA)，以缩短启动时间，随VDD电压升高，充电电流逐渐减小。当VDD电压降到VVDD_REG (典型值 9V)时，高压供电电路再次开启，以维持VDD电压。但是，如果低钳位供电状态持续时间超过75ms，并且系统工作在非轻载模式时，芯片将触发保护。当PD快充芯片U8722SP触发保护状态时，系统停止打驱动，高压供电电路开启，维持VDD电压在VVDD_REG_ST(典型值 12V)。

PD快充芯片U8722SP采用峰值电流控制模式，可以自适应的工作在QR和降频工作模式，从而实现全负载功率范围内的效率优化。在满载和重载工况下，系统工作在QR工作模式，可以大幅降低系统的开关损耗。U8722SP根据FB电压值调节谷底个数，同时为了避免系统在临界负载处的FB电压波动导致谷底数跳变，产生噪音，采用了谷底锁定工作模式在负载一定的情况下，导通谷底数稳定，系统无噪音。

深圳银联宝PD快充芯片U8722SP 700V耐压可覆盖更高波动范围，安全性更优，成本可控，量大可谈，有意向的小伙伴可直接联系13316805165，更多优质芯片等你来询！