氮化镓PD快充芯片U8722DAS可减少高频噪声和应力冲击
氮化镓PD快充芯片U8722DAS集成轻载SR应力优化功能，在轻载模式下，芯片将原边开通速度减半（如配置为特定驱动电流档位时），减缓开关动作的瞬态变化，从而减小次级侧SR器件的电压尖峰，通过分压电阻设置驱动电流档位（三档可选），平衡EMI性能与效率。低驱动电流档位可降低SR开关速度，减少高频噪声和应力冲击。
氮化镓PD快充芯片U8722DAS特征：
▲ 集成 高压 E-GaN
▲ 集成高压启动功能
▲ 超低启动和工作电流，待机功耗 <30mW
▲ 谷底锁定模式， 最高工作频率两档可调(220kHz，130kHz)
▲ 集成 EMI 优化技术
▲ 驱动电流分档配置
▲ 集成 Boost 供电电路
▲ 集成完备的保护功能：
VDD 过压/欠压保护 (VDD OVP/UVLO)
输出过压保护 (OVP)
输入欠压保护 (BOP)
片内过热保护 (OTP)
逐周期电流限制 (OCP)
异常过流保护 (AOCP)
短路保护 (SCP)
过载保护 (OLP)
过流保护（SOCP）
前沿消隐 (LEB)
CS 管脚开路保护
▲ 封装类型 ASOP7-T4
氮化镓PD快充芯片U8722DAS还集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV(典型值 6.2V)。EMI性能为高频交直流转换器的设计难点，为此U8722DAS通过DEM管脚集成了驱动电流分档配置功能。如图所示，通过配置DEM管脚分压电阻值，可以选择不同档位的驱动电流，进而调节GaN FET的开通速度，系统设计者可以获得最优的EMI性能和系统效率的平衡。具体分压电阻值可参照参数表。
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