深圳银联宝氮化镓系列又双叒叕上“芯”料啦——U8722SP！氮化镓快充芯片U8722SP采用SOP-7封装，推荐最大输出功率20W，集成MOS耐压700V，典型应用于快速充电器和适配器上，脚位如下：

1 GND P 芯片参考地

2 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚

3 FB I 系统反馈输入管脚

4 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能力分档判定管脚

5 SW P Boost 电路内置 MOS 的漏极管脚

6 VDD P 芯片供电管脚

7 DRAIN P 内置高压 GaN FET 漏极、高压启动供电管脚

氮化镓快充芯片U8722SP主要特征：

1. 集成 高压 E-GaN

2. 集成高压启动功能

3. 超低启动和工作电流，待机功耗 <30mW

4. 谷底锁定模式， 最高工作频率两档可调(220kHz，130kHz)

5. 集成 EMI 优化技术

6. 驱动电流分档配置

7. 集成 Boost 供电电路

8. 集成完备的保护功能：

VDD 过压/欠压保护 (VDD OVP/UVLO)

输出过压保护 (OVP)

输出欠压保护 (DEM UVP)

输入过压保护 (LOVP)

输入欠压保护 (BOP)

片内过热保护 (OTP)

逐周期电流限制 (OCP)

异常过流保护 (AOCP)

短路保护 (SCP)

过载保护 (OLP)

前沿消隐 (LEB)

CS 管脚开路保护

在轻载和空载状态下，当FB管脚电压低于VSKIP_IN(典型值 0.4V)时，系统进入打嗝模式工作,，停止开关动作。当FB电压超过VSKIP_OUT(典型值 0.5V/0.7V) 时，氮化镓快充芯片U8722SP重新开始开关动作。打嗝模式降低了轻载和待机状态下的系统功耗。芯片采用了打嗝噪音优化技术，可自适应的调节打嗝VSKIP_OUT的阈值，实现噪音和纹波的最优化。

GaN氮化镓产品的高压特性，在封装设计过程对设计要求与其他IC有明显的差异。深圳银联宝科技充分考虑芯片本身的性能需求、以及客户的差异化需求，推出了不同封装的氮化镓快充芯片，更好的服务于客户！