快充的核心使命是实现快速充电。它专为承载更高的电流或电压设计，旨在显著缩短手机、平板等设备的充电时间。快充线必须内置专用芯片或通过特定物理结构，以识别并匹配各种快充协议。深圳银联宝PD快充芯片U8722BH是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关，特别适应于快速充电器及适配器上！

PD快充芯片U8722BH特性：

● 集成700V E-GaN

● 集成高压启动功能

● 超低启动和工作电流，待机功耗<30mW

● 谷底锁定模式，最高工作频率两档可调(220kHz，130kHz)

● 集成EMI优化技术

● 驱动电流分档配置

● 集成Boost供电电路

● 集成完备的保护功能：

VDD过压/欠压保(VDD OVP/UVLO)

输出过压保护(OVP)

输入欠压保护(BOP)

片内过热保护(OTP)

逐周期电流限制(OCP)

异常过流保护(AOCP)

短路保护(SCP)

过载保护(OLP)

过流保护(SOCP)

前沿消隐(LEB)

CS管脚开路保护

● 封装类型HSOP-7

PD快充芯片U8722BH集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV(典型值6.2V)。EMI性能为高频交直流转换器的设计难点，为此U8722BH通过DEM管脚集成了驱动电流分档配置功能。如表所示，通过配置DEM管脚分压电阻值，可以选择不同档位的驱动电流，进而调节GaN FET的开通速度，系统设计者可以获得最优的EMI性能和系统效率的平衡。不同驱动电流档位的DEM电阻推荐值参考下表（以20V为例）。

快充因承载更大功率，对质量、做工、散热要求极高。选择正规厂家出品的PD快充芯片，可以有效保障充电器的效率、安全！深圳银联宝科技PD快充芯片通过严格的安全认证，六级能效，绿色环保，值得信赖！