氮化镓充电器的高功率密度，能在很小的体积里给出更高的功率，所以氮化镓充电器个头更小，重量也更轻。且能把电能转换得更有效，能量损失也少，充电速度就能变得更快。推荐一款快速启动功能和超低的工作电流氮化镓快充芯片——U8725AHE，可实现小于30mW的超低待机功耗！

氮化镓快充芯片U8725AHE成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV(典型值 6.4V)。EMI性能为高频交直流转换器的设计难点，为此U8725AHE通过DEM管脚集成了驱动电流分档配置功能。如图所示，通过配置DEM管脚分压电阻值，可以选择不同档位的驱动电流，进而调节GaN FET的开通速度，系统设计者可以获得最优的EMI性能和系统效率的平衡。具体分压电阻值可参照参数表。

氮化镓快充芯片U8725AHE系列还集成轻载SR应力优化功能，在驱动电流配置为第一、第二、第三档位时，当芯片工作于轻载模式时，将原边开通速度减半，减小空载时SR的Vds应力过冲。U8725AHE脚位如下：

1 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚

2 FB I 系统反馈输入管脚

3 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能力分档判定管脚

4 VDD P 芯片供电管脚

5 SW P Boost 电路内置 MOS 的漏极管脚

6 GND P 芯片参考地

7 DRAIN P 内置高压 GaN FET 漏极、高压启动供电管脚

氮化镓快充芯片U8725AHE特点：

*  集成高压E-GaN

*  集成高压启动功能

*  超低启动和工作电流，待机功耗<30mW

*  谷底锁定模式，最高工作频率两档可调(220kHz，130kHz)

*  集成EMI优化技术

*  驱动电流分档配置

*  集成Boost供电电路

*  集成完备的保护功能：VDD过压/欠压保护(VDD OVP/UVLO)、输出过压/欠压保护(DEM OVP/UVP)、输入过压/欠压保护(LOVP /BOP)、片内过热保护(OTP)、逐周期电流限制(OCP)异常过流保护(AOCP)、短路保护(SCP)、过载保护(OLP)、前沿消隐(LEB)、CS管脚开路保护

*  封装类型 ESOP-7

氮化镓快充芯片U8725AHE导热性高，热量积累少，能有效地保护充电的设备和等着充电的设备的安全。还有成熟的配套电源方案，技术团队全程指导跟进，高效有保障！