- [公司新闻]PD快充芯片U8732软启动功能保障电源电压平稳上升2025年07月03日 15:23
- 软启动技术的核心在于控制芯片电源电压的平稳上升。银联宝PD快充芯片U8732内部集成有软启动功能,在软启动时间TST(典型值 5ms)内,电流峰值从最小值逐步增加,避免变压器磁芯饱和,系统每次重启都会伴随一次软启动过程。 由于原边功率开关寄生电容、变压器寄生电容和副边整流管反向恢复的原因,功率开关开通瞬间会在采样电阻上产生电压尖刺。为避免驱动信号被错误关闭,PD快充芯片U8732内部集成有前沿消隐功能。在开关管导通之后的TLEB_OCP(典型值 230ns)时间内,峰值电流
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- [公司新闻]银联宝20W快充电源方案:220V单电压和90-264V全电压 通通都有!2025年07月02日 10:22
- ■220V单电压:主控PD快充芯片U8722AH+同步整流IC U7715 PD快充芯片U8722AH集成高压E-Mode GaN FET,为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率,芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路,驱动电压为VDRV(典型值6.2V)。EMI性能为高频交直流转换器的设计难点,为此U8722AH通过DEM管脚集成了驱动电流分档配置功能。通过配置DEM管脚分压电阻值,可以选择不同档位的驱动电流,进而调节GaN FET的开通速度,系统设计者可以获得最优
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- [公司新闻]抗干扰、极简外围的恒压恒功率PD快充芯片U86232025年06月26日 14:55
- 夏天来了,小风扇成了我们手中的避暑神器。在各大购物平台,迷你小风扇的搜索量日益上升,成为酷热高温里的外出必备单品。迷你小风扇的电源配件销量也在猛增。如果你正在找寻一颗优质的充电器芯片,建议了解下深圳银联宝科技的PD快充芯片U8623! PD快充芯片U8623是一款恒压、恒功率、恒温离线型电流模式PWM电源芯片,内置0.85Ω/650V的超结硅功率MOS。U8623具有全负载高效率、低空载损耗、低EMI干扰和高EMS抗干扰、极少外围应用元件等优点。U8623在一定条件下适用于
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- [公司新闻]PD 40W氮化镓快充电源方案:U8725AHE+U7110W2025年06月26日 10:50
- 芯片替代方案在选型时,需要选择比原芯片参数更多或一样的芯片。如果封装能做到pin to pin,则无需更改PCB设计,否则就要重新设计PCB板,替换的步骤和成本将高许多。如果产品更新换代的速度较快,在选型时就要考虑芯片的可升级性,为以后的长远效益做打算。深圳银联宝科技新推出的PD 40W氮化镓快充电源方案U8725AHE+U7110W,正被采用替代市面上常见的一些料号,感兴趣的小伙伴可以多多了解一下! 氮化镓快充芯片U8725AHE集成了高压启动功能。如图所示,在启动阶段,
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- [公司新闻]PD快充芯片U8766稳定的电压和频率优化电源设备2025年06月18日 10:11
- 芯片工作频率指芯片内部时钟信号的振荡速率,是芯片性能的重要基础。晶体管导通电阻越小、切换速度越快,信号传输效率越高。PD快充芯片U8766的工作频率最高可达220kHz,可全范围工作在准谐振模式。芯片集成峰值电流抖动功能和驱动电流配置功能,可极大的优化系统EMI性能。U8766内置Boost供电电路,非常适用于宽输出电压的应用场景。 针对宽输出电压应用场合,为了满足VDD的宽电压应用需求,往往需要添加额外的电路或者辅助绕组,导致系统功耗和电路成本的增加。PD快充芯片U876
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- [公司新闻]氮化镓快充芯片U8722SP调整封装形式为SOP-8输出20W2025年06月16日 10:51
- 氮化镓快充芯片U8722SP封装形式升级调整为SOP-8,集成完备的保护功能:VDD过压/欠压保护(VDD OVP/UVLO)、输出过压保护(OVP)、输出欠压保护(DEM UVP)、输入过压保护(LOVP)、输入欠压保护(BOP)、片内过热保护(OTP)、逐周期电流限制(OCP)、异常过流保护(AOCP)、短路保护(SCP)、过载保护(OLP)、前沿消隐(LEB)、CS管脚开路保护等。 氮化镓快充芯片U8722SP管脚说明: 1 GND P 芯片参考地 2 CS I/O 电
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- [公司新闻]20V单高压带恒功率氮化镓PD快充芯片U8725AHE2025年06月05日 15:07
- 充电器和适配器等快充设备,需匹配高功率密度与宽电压输出范围的快充芯片。深圳银联宝科技推出的20V单高压带恒功率氮化镓PD快充芯片U8725AHE,集成高压启动、功率器件和保护电路,省去外部Boost/Buck电路及分立元件,缩小PCB面积;内置高压E-GaN和Boost供电电路,支持宽电压输出,切莫错过! PD快充芯片U8725AHE主要特性: 1.集成 高压 E-GaN 2.集成高压启动功能 3.超低启动和工作电流,待机功耗 30mW 4.谷底锁定模式, 最高工作频率两档可
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- [公司新闻]集成MOS耐压700V低启动低功耗的PD快充芯片U8722SP2025年05月30日 14:16
- 耐压值定义了芯片安全工作电压上限,若输入电压超过该值(如动态波动或负载突变),可能引发击穿或永久损坏,直接影响器件可靠性、性能表现及系统适配性。高耐压芯片需更大厚度或更高电阻率的半导体材料,工艺制程要求更高。深圳银联宝科技的PD快充芯片U8722SP是一款集成 E-GaN 的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关,集成MOS耐压700V,值得一试! PD快充芯片U8722SP集成了高压启动功能。如图1所示,在启动阶段,U8722SP通过芯片DRAIN脚对VDD充电,当VDD电
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- [公司新闻]耐压650V氮化镓快充芯片U8733L优化能源利用效率2025年05月27日 11:34
- 恒功率控制方式通过精确的控制策略和先进的电子技术,实现了在各种工况下输出功率的恒定。其基本原理是通过调节系统的输入或输出参数(如电压、电流等),使得系统在负载变化时能够维持输出功率不变。银联宝氮化镓快充芯片U8733L集成恒功率控制与主动降功率控制功能,在恒功率区间,通过控制输出电流随输出电压变化,实现恒功率功能。 氮化镓快充芯片U8733L特征: 集成 700V E-GaN 集成高压启动功能 超低启动和工作电流,待机功耗 30mW 谷底锁定模式,最 高 工 作 频 率 两
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- [公司新闻]氮化镓GaN快充芯片U8732轻松应对充电问题2025年05月21日 14:36
- 氮化镓充电器与普通充电器在充电效率方面对比,性能遥遥领先。它支持多种快充协议,如PD、QC等,能够智能识别设备所需的充电功率,实现快速充电。无论是苹果手机、安卓手机,还是笔记本电脑、平板电脑,氮化镓充电器都能轻松应对,一充搞定。充电器自然离不开芯片的支持,今天主推的就是来自深圳银联宝科技的氮化镓GaN快充芯片U8732! 氮化镓GaN快充芯片U8732特点: 1.集成 700V E-GaN 2.集成高压启动功能 3.超低启动和工作电流,待机功耗 30mW 4.谷底锁定模式,
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- [公司新闻]氮化镓PD快充芯片U8722DAS可减少高频噪声和应力冲击2025年05月16日 11:48
- 氮化镓PD快充芯片U8722DAS集成轻载SR应力优化功能,在轻载模式下,芯片将原边开通速度减半(如配置为特定驱动电流档位时),减缓开关动作的瞬态变化,从而减小次级侧SR器件的电压尖峰,通过分压电阻设置驱动电流档位(三档可选),平衡EMI性能与效率。低驱动电流档位可降低SR开关速度,减少高频噪声和应力冲击。 氮化镓PD快充芯片U8722DAS特征: ▲集成 高压 E-GaN ▲集成高压启动功能 ▲超低启动和工作电流,待机功耗 30mW ▲谷底锁定模式, 最高工作频率两档可调(
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- [公司新闻]氮化镓PD快充芯片U8733集成恒功率与主动降功率多控制功能2025年05月09日 11:32
- 芯片恒功率控制,意味着无论负载变化如何,系统都能保持恒定的输出功率,确保设备在各种工作条件下都能稳定运行。当检测到系统温度过高时,主动降功率功能会启动,以降低系统温度,防止过热。深圳银联宝科技的氮化镓PD快充芯片U8733,就集成了恒功率控制和主动降功率控制功能,一起来看看! 氮化镓PD快充芯片U8733集成恒功率控制与主动降功率控制功能,在恒功率区间,通过控制输出电流随输出电压变化,实现恒功率功能。外置温度检测环境温度,当温度过高主动降功率以降低系统温度,保证系统稳定
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- [公司新闻]ESOP-10W封装输入欠压保护氮化镓快充芯片U87662025年05月08日 15:14
- 在65W氮化镓快充设计中,输入欠压保护与过压保护协同工作,保障充电头在电网波动时仍能稳定输出,并避免因输入异常导致次级电路损坏。今天介绍的65W全压氮化镓快充芯片U8766,输入欠压保护(BOP),采用ESOP-10W封装! 氮化镓快充芯片U8766通过HV管脚对母线电压进行采样,当母线电压值小于BOP保护阈值VBOP (典型值 100V)时,芯片内部的BOP延迟计时使能,计时时间为TBOP_DELAY(典型值 80ms),计时结束后触发BOP保护。如果母线电压超过BOP恢复
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- [公司新闻]PD 20W氮化镓单电压应用方案:U8722AH+U77152025年05月07日 14:23
- 深圳银联宝科技推出的PD20W氮化镓单电压应用方案,主控芯片使用的是氮化镓快充芯片U8722AH,同步整流芯片U7715,协议338E。输入规格:180V-264V 50Hz,输出规格:C口,PD20W:5V3A / 9V2.22A / 12V1.67A。 氮化镓快充芯片U8722AH特点: 1.集成 700V E-GaN 2.集成高压启动功能 3.超低启动和工作电流,待机功耗 30mW 4.谷底锁定模式, 最高工作频率两档可调(220kHz,130kHz) 5.集
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- [公司新闻]SOP-7封装20W氮化镓快充芯片U8722SP来咯!2025年04月29日 11:14
- 深圳银联宝氮化镓系列又双叒叕上“芯”料啦——U8722SP!氮化镓快充芯片U8722SP采用SOP-7封装,推荐最大输出功率20W,集成MOS耐压700V,典型应用于快速充电器和适配器上,脚位如下: 1 GND P 芯片参考地 2 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚 3 FB I 系统反馈输入管脚 4 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能力分档判定管脚 5 SW P Boost 电路内置 MOS 的漏极
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- [公司新闻]氮化镓快充芯片U8608集成多维度安全防护机制2025年04月28日 14:25
- 深圳银联宝氮化镓快充芯片U8608具有多重故障保护机制,通过集成多维度安全防护,防止设备出现过充电、过放电、过电流等问题,在电子设备中构建起全方位的安全屏障,今天具体分析一下! ■输入过欠压保护 (Line OVP/BOP) 氮化镓快充芯片U8608通过DRAIN管脚对母线电压进行采样,当母线电压值小于Line BOP 保护阈值VBOP (典型值70Vac)时,芯片内部的Line BOP延迟计时使能,计时时间为TBOP_DELAY(典型值 80ms),计时结束后触发Lin
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- [公司新闻]25W带恒功率12V单高压氮化镓快充芯片U8723AH2025年04月24日 10:17
- 芯片内置Boost电路将功率开关器件(如MOSFET)、驱动电路、反馈网络等集成于单一封装,省去分立元件布局,显著降低PCB面积需求。深圳银联宝氮化镓快充芯片U8723AH内置Boost供电电路,非常适用于宽输出电压的应用场景。U8723AH集成峰值电流抖动功能和驱动电流配置功能,可极大的优化系统EMI性能! 氮化镓快充芯片U8723AH特性: ●集成 高压 E-GaN ●集成高压启动功能 ●超低启动和工作电流,待机功耗 30mW ●谷底锁定模式, 最高工作频率两档可调(2
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- [公司新闻]700V/165mΩ HV高压启动频率可调氮化镓快充芯片U87662025年04月23日 14:32
- 700V/165mΩ HV高压启动频率可调氮化镓快充芯片U8766,推荐功率为65W,代表机型有5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A等。 氮化镓快充芯片U8766集成了高压启动功能。在启动阶段,U8766通过芯片HV脚对VDD充电,当VDD电压达到VVDD_ON(典型值 12V)时,高压供电关闭。输出建立后,芯片供电由辅助绕组提供。在启动过程中,当VDD低于3V时,高压供电电路对VDD电容的充电电流为IHV1 (典型值 0.5mA),小电流充电,可以
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- [公司新闻]700V/365mΩ高压启动GaN快充芯片U86092025年04月21日 14:31
- GaN快充芯片U8609最高工作频率130kHz,700V/365mΩ,采用DASOP-7封装,主推12V3A,合封第三代半导体GaN FET,有利于降低电源尺寸。U8609采用CS Jitter技术,通过调制峰值电流参考值实现频率抖动,以优化系统EMI。 GaN快充芯片U8609复用CS管脚以设定系统最高工作频率,CS管脚连接如图所示。芯片启动时,U8609通过检测RSEL电阻从而决定芯片最大工作频率。设定不同的RSEL电阻值即可选择两档不同的系统工作频率上限。选档判定结束
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- [公司新闻]12V单高压20W-25W氮化镓快充芯片U8722BAS2025年04月18日 14:39
- 氮化镓快充芯片U8722BAS复用CS管脚以设定系统最高工作频率,CS管脚连接如图所示。 芯片启动时,U8722BAS通过检测RSEL电阻从而决定芯片最大工作频率。设定不同的RSEL电阻值即可选择两档不同的系统工作频率上限。选档判定结束后系统锁定,每一次启动都伴随一次判定。 氮化镓快充芯片U8722BAS封装类型 ASOP7-T4,引脚名称如下: 1 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚 2 FB I 系统反馈输入管脚 3 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检
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