- [公司新闻]SOP-7封装20W氮化镓快充芯片U8722SP来咯！2025年04月29日 11:14
- 深圳银联宝氮化镓系列又双叒叕上“芯”料啦——U8722SP！氮化镓快充芯片U8722SP采用SOP-7封装，推荐最大输出功率20W，集成MOS耐压700V，典型应用于快速充电器和适配器上，脚位如下： 1 GND P 芯片参考地 2 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚 3 FB I 系统反馈输入管脚 4 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能力分档判定管脚 5 SW P Boost 电路内置 MOS 的漏极
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- [公司新闻]氮化镓快充芯片U8608集成多维度安全防护机制2025年04月28日 14:25
- 深圳银联宝氮化镓快充芯片U8608具有多重故障保护机制，通过集成多维度安全防护，防止设备出现过充电、过放电、过电流等问题，在电子设备中构建起全方位的安全屏障，今天具体分析一下！ ■输入过欠压保护 (Line OVP/BOP) 氮化镓快充芯片U8608通过DRAIN管脚对母线电压进行采样，当母线电压值小于Line BOP 保护阈值VBOP (典型值70Vac)时，芯片内部的Line BOP延迟计时使能，计时时间为TBOP_DELAY(典型值 80ms)，计时结束后触发Lin
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- [公司新闻]25W带恒功率12V单高压氮化镓快充芯片U8723AH2025年04月24日 10:17
- 芯片内置Boost电路将功率开关器件（如MOSFET）、驱动电路、反馈网络等集成于单一封装，省去分立元件布局，显著降低PCB面积需求。深圳银联宝氮化镓快充芯片U8723AH内置Boost供电电路，非常适用于宽输出电压的应用场景。U8723AH集成峰值电流抖动功能和驱动电流配置功能，可极大的优化系统EMI性能！ 氮化镓快充芯片U8723AH特性： ●集成 高压 E-GaN ●集成高压启动功能 ●超低启动和工作电流，待机功耗 30mW ●谷底锁定模式， 最高工作频率两档可调(2
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- [公司新闻]700V/165mΩ HV高压启动频率可调氮化镓快充芯片U87662025年04月23日 14:32
- 700V/165mΩ HV高压启动频率可调氮化镓快充芯片U8766，推荐功率为65W，代表机型有5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A等。 氮化镓快充芯片U8766集成了高压启动功能。在启动阶段，U8766通过芯片HV脚对VDD充电，当VDD电压达到VVDD_ON(典型值 12V)时，高压供电关闭。输出建立后，芯片供电由辅助绕组提供。在启动过程中，当VDD低于3V时，高压供电电路对VDD电容的充电电流为IHV1 (典型值 0.5mA)，小电流充电，可以
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- [公司新闻]700V/365mΩ高压启动GaN快充芯片U86092025年04月21日 14:31
- GaN快充芯片U8609最高工作频率130kHz，700V/365mΩ，采用DASOP-7封装，主推12V3A，合封第三代半导体GaN FET，有利于降低电源尺寸。U8609采用CS Jitter技术，通过调制峰值电流参考值实现频率抖动，以优化系统EMI。 GaN快充芯片U8609复用CS管脚以设定系统最高工作频率，CS管脚连接如图所示。芯片启动时，U8609通过检测RSEL电阻从而决定芯片最大工作频率。设定不同的RSEL电阻值即可选择两档不同的系统工作频率上限。选档判定结束
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- [公司新闻]12V单高压20W-25W氮化镓快充芯片U8722BAS2025年04月18日 14:39
- 氮化镓快充芯片U8722BAS复用CS管脚以设定系统最高工作频率，CS管脚连接如图所示。 芯片启动时，U8722BAS通过检测RSEL电阻从而决定芯片最大工作频率。设定不同的RSEL电阻值即可选择两档不同的系统工作频率上限。选档判定结束后系统锁定，每一次启动都伴随一次判定。 氮化镓快充芯片U8722BAS封装类型 ASOP7-T4，引脚名称如下： 1 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚 2 FB I 系统反馈输入管脚 3 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检
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- [公司新闻]外置OTP自带降功率氮化镓快充芯片U87322025年04月01日 10:18
- 当设备温度超过设定阈值时，外置OTP功能会自动触发，降低设备功率或关闭设备，以防止过热，这对于保护设备内部组件和延长设备寿命至关重要。在检测到温度升高时，设备会自动降低功率输出，以减少热量产生，从而防止过热。这种功能可以与OTP协同工作，提供双重保护。深圳银联宝氮化镓快充芯片U8732外置OTP自带降功率，单高压30W，一起了解下！ 氮化镓快充芯片U8732特点： 集成 700V E-GaN 集成高压启动功能 超低启动和工作电流，待机功耗 30mW 谷底锁定模式，最高
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- [公司新闻]65W全压700V底部无PAD氮化镓快充芯片U87662025年03月20日 15:32
- 深圳银联宝科技推出的氮化镓快充芯片集成高频高性能准谐振模式，显著降低磁性元件体积，同时通过同步整流技术将效率翻番。比如今天介绍的65W全压700V底部无PAD氮化镓快充芯片U8766，拥有超低启动和工作电流，可实现小于30mW的超低待机功耗，势如破竹！ 氮化镓快充芯片U8766集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV (典型值 6.2V)。EMI性能为高频交直流转换器的
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- [公司新闻]35W PD快充芯片U8724AHS宽幅电压输出超稳的2025年02月19日 10:42
- 宽幅电源的输出电压范围一般在85 ~ 265VAC的标准，而普通电源的输出电压范围一般在180V-240V的标准。电源的宽幅越大，输出电压随负载电流变化的程度就越小，输出电压就越稳定。35W PD快充芯片U8724AHS内置Boost供电电路，非常适用于宽输出电压的应用场景。 35W PD快充芯片U8724AHS的工作频率最高可达220kHz，可全范围工作在准谐振模式。芯片集成峰值电流抖动功能和驱动电流配置功能，可极大的优化系统EMI性能。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动
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- [公司新闻]U860X氮化镓快充芯片系列升级增加U8609料号2025年02月08日 14:43
- U860X氮化镓快充芯片系列在原有的U8607、U8608基础上，升级增加U8609料号，同时具备了输入欠压及软入过压保护功能，有需求的小伙伴赶紧看过来！ 氮化镓快充芯片U860X是一款集成E-GaN的恒压恒流PSR反激功率开关管，可为18~65W适配器应用提供全新的解决方案。U860X采用原边反馈控制，可节省光耦和TL431，简化电源BOM。它合封第三代半导体GaN FET，最高工作频率130kHz，有利于降低电源尺寸。U860X集成谷底锁定技术可以防止频率抖动产生噪音。
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- [公司新闻]PD快充芯片赛道优质选手——银联宝U88202024年12月20日 11:04
- 随着智能手机与APP应用的飞速发展，能明显感觉到，续航越来越不够用了。受限于电池技术短期内难有大突破，另辟蹊径的快速充电技术不仅逐渐成为了手机的标配，更是在其最佳伴侣“移动电源”上得到了应用。PD快充芯片U8820是一款针对离线式反激变换器的高性能准谐振电流模式PWM转换芯片。芯片集成有高压启动电路，可以获得快速启动和超低待机的性能。芯片支持8-40V的VDD供电，方便满足宽电压输出电源的要求！ PD快充芯片U8820封装类型SOP-7，引脚特征如下：
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- [公司新闻]PD快充芯片U8608凸显高功率密度优势2024年12月19日 10:26
- 氮化镓芯片具备令人瞩目的高功率密度特性，这意味着它可以在相对较小的尺寸上输出更大的功率。在当下众多需要小型化且高功率输出的场景中，其价值尤为凸显。PD快充芯片U8608是一款集成E-GaN的恒压恒流PSR反激功率开关管，可为18~65W适配器应用提供全新的解决方案。 PD快充芯片U8608采用原边反馈控制，可节省光耦和TL431，简化电源BOM。它合封第三代半导体GaN FET，最高工作频率130kHz，有利于降低电源尺寸。集成谷底锁定技术可以防止频率抖动产生噪音。它采用CS
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- [公司新闻]集成高压启动电路氮化镓快充芯片U8722AH2024年12月03日 14:07
- 采用氮化镓技术的充电器，在相同体积和输出功率下，温度也会比硅基更低。氮化镓技术可使功率系统设计者达到更高的利用效率，节约了成本、节省了空间。这些优异的材料特性，也是氮化镓在充电器市场如此火爆的原因。深圳银联宝科技快充芯片U8722AH，是20W氮化镓快充芯片首选方案！ 20W快充芯片U8722AH是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于30mW 的超低待机功耗。 20W快充芯片U8722A
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- [公司新闻]25W氮化镓快充芯片U8723AH合理平衡工作频率问题2024年11月21日 14:32
- 提升芯片的工作频率，无疑能够加快设备的处理速度，提升用户体验，但高频率意味着更高的功耗和更大的发热量，还可能会对设备的稳定性和寿命造成不良影响。因此，在设计芯片时，需要在提升工作频率与降低功耗和发热量之间找到一个平衡点。深圳银联宝科技的25W氮化镓快充芯片U8723AH，推荐的RSEL电阻值在1kΩ，最高频率限制220kHz；在2kΩ时，最高频率限制130kHz，一起详细了解下。 氮化镓快充芯片U8723AH复用CS管脚以设定系统最高工作频率，CS管脚连接详见规格书。芯片启动
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- [公司新闻]PD快充芯片U8766满足宽输出电压应用场合需求2024年11月15日 15:03
- 具有宽输入电压和输出电压范围的单电池充电器集成电路IC使得能够在具有不同输入适配器和电池配置的各种应用中使用相同的充电器，从而帮助缩短开发时间，还能获得更优化的充电体验。PD快充芯片U8766最高支持220kHz开关频率，适用于高功率密度的交直流转换器设计。 针对宽输出电压应用场合，为了满足VDD的宽电压应用需求，往往需要添加额外的电路或者辅助绕组，导致系统功耗和电路成本的增加。PD快充芯片U8766集成了Boost供电技术，仅在SW管脚添加一颗贴片电感即可，在输出电压较低时
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- [公司新闻]PD快充芯片U8722BAS可减少非必要能效损耗2024年10月31日 10:58
- GaN技术的零反向恢复特性(因为不存在体二极管)导致二极管反向偏置电流没有稳定时间，从而降低了死区损失，提高了效率。GaN的开关频率更高，电流纹波更低，这样就可以减小无源器件的尺寸，从而实现更平滑的电机驱动GaN设计。PD快充芯片U8722BAS是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于30mW的超低待机功耗。 ■集成E-GaN和驱动电流分档功能 PD快充芯片U8722BAS集成高压E-Mo
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- [公司新闻]小于30mW超低待机功耗氮化镓快充芯片U87652024年10月29日 14:42
- 相信大家都清楚，轻载或空载状态下，开关损耗在转换效率中占主导地位。所以为了降低待机功耗，大部分电源芯片都采取载轻降频的控制方式。而芯片的控制方式可以说是决定待机功耗最重要的一环。氮化镓快充芯片U8765是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于30mW的超低待机功耗。 氮化镓快充芯片U8765主要特性： 集成高压 E-GaN 集成高压启动功能 超低启动和工作电流，待机功耗 30mW 谷底锁
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- [公司新闻]20W氮化镓快充芯片首选方案——U8722AH2024年10月11日 14:47
- 采用氮化镓技术的充电器，在相同体积和输出功率下，温度也会比硅基更低。氮化镓技术可使功率系统设计者达到更高的利用效率，节约了成本、节省了空间。这些优异的材料特性，也是氮化镓在充电器市场如此火爆的原因。深圳银联宝科技快充芯片U8722AH，是20W氮化镓快充芯片首选方案！ 20W快充芯片U8722AH是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于30mW 的超低待机功耗。 20W快充芯片U8722A
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- [公司新闻]PD快充芯片U8724AH集成实现更高效的电源系统管理2024年09月26日 10:48
- 氮化镓 (GaN) 是电力电子行业的热门话题。在许多应用中，GaN能够提高功率密度和效率，因此它取代了传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。深圳银联宝科技新推出的集成E-GaN的高频高性能准谐振模式ACDC功率开关PD快充芯片U8724AH，内置Boost供电电路，非常适用于宽输出电压快速充电器、适配器的应用场景！ PD快充芯片U8724AH是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片采用准谐振控制方式，最高支持220kHz开关频率，适
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- [公司新闻]30W集成高压E-GaN快充芯片U8722CAS2024年09月18日 11:24
- 有了氮化镓等新型材料的加持，近两年很多品牌都上线了各种氮化镓快充充电器。氮化镓充电器不但可以提高设备的充电效率，而且在体积、散热等方面也有十分不错的表现，加上技术的不断完善和升级，氮化镓充电器价格也不断下探。30W氮化镓快充芯片U8722CAS成本低、质量好，可以帮你缓解充电器成本焦虑。 30W氮化镓快充芯片U8722CAS集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV(典型值
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