- 04-29 2025
- SOP-7封装20W氮化镓快充芯片U8722SP来咯！ 深圳银联宝氮化镓系列又双叒叕上“芯”料啦——U8722SP！氮化镓快充芯片U8722SP采用SOP-7封装，推荐最大输出功率20W，集成MOS耐压700V，典型应用于快速充电器和适配器上，脚位如下： 1 GND P 芯片参考地 2 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚 3 FB I 系统反馈输入管脚 4 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能力分档判定管脚 5 SW P Boost 电路内置 MOS 的漏极 查看详情
- 04-28 2025
- 氮化镓快充芯片U8608集成多维度安全防护机制 深圳银联宝氮化镓快充芯片U8608具有多重故障保护机制，通过集成多维度安全防护，防止设备出现过充电、过放电、过电流等问题，在电子设备中构建起全方位的安全屏障，今天具体分析一下！ ■输入过欠压保护 (Line OVP/BOP) 氮化镓快充芯片U8608通过DRAIN管脚对母线电压进行采样，当母线电压值小于Line BOP 保护阈值VBOP (典型值70Vac)时，芯片内部的Line BOP延迟计时使能，计时时间为TBOP_DELAY(典型值 80ms)，计时结束后触发Lin 查看详情
- 04-27 2025
- 耐压700V氮化镓电源ic U8765散热性能优越 氮化镓凭借高频高效特性，具备了体积小、功率高、发热低等优势，但小型化虽好，散热才是硬道理，选氮化镓电源ic得看准散热设计。今天就给小伙伴们推荐一款散热性能优越、耐压700V的氮化镓电源icU8765！ 当氮化镓电源icU8765结温超过TSD (典型值150℃)时，芯片停止工作，进入过热保护。当芯片温度下降至TRC (典型值 120℃)，芯片重新启动。U8765封装类型ESOP-10W，引脚分析如下： 1 HV P 高压启动管脚 2 DRAIN P GaN FET 漏极引脚 查看详情
- 04-25 2025
- 20V单高压45W氮化镓电源芯片U8726AHE EMI性能为高频交直流转换器的设计难点，为此氮化镓电源芯片U8726AHE通过DEM管脚集成了驱动电流分档配置功能。通过配置DEM管脚分压电阻值，可以选择不同档位的驱动电流，进而调节GaN FET的开通速度，系统设计者可以获得最优的EMI性能和系统效率的平衡。 氮化镓电源芯片U8726AHE引脚： 1 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚 2 FB I 系统反馈输入管脚 3 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能力分档判定管脚 4 VDD P 芯片供电管 查看详情
- 04-24 2025
- 具有双LDO供电配置的同步整流ic U7268 同步整流icU7268是一款高性能副边同步整流控制器，当配合外置MOS使用时，可以替代肖特基整流二极管以提高系统效率。U7268支持High Side和Low Side配置，且内置有VDD高压供电模块，无需辅助绕组供电，降低了系统成本。U7268具有快速关断功能，支持断续工作模式(DCM)、准谐振工作模式(QR)及连续工作模式(CCM)。U7268内部集成有智能的开通检测功能，可以有效防止断续工作模式(DCM)中由于Vds振荡引起的SR误开通。 PCB 设计对同步整流icU 查看详情
- 04-24 2025
- 25W带恒功率12V单高压氮化镓快充芯片U8723AH 芯片内置Boost电路将功率开关器件（如MOSFET）、驱动电路、反馈网络等集成于单一封装，省去分立元件布局，显著降低PCB面积需求。深圳银联宝氮化镓快充芯片U8723AH内置Boost供电电路，非常适用于宽输出电压的应用场景。U8723AH集成峰值电流抖动功能和驱动电流配置功能，可极大的优化系统EMI性能！ 氮化镓快充芯片U8723AH特性： ●集成 高压 E-GaN ●集成高压启动功能 ●超低启动和工作电流，待机功耗 30mW ●谷底锁定模式， 最高工作频率两档可调(2 查看详情
- 04-23 2025
- 700V/165mΩ HV高压启动频率可调氮化镓快充芯片U8766 700V/165mΩ HV高压启动频率可调氮化镓快充芯片U8766，推荐功率为65W，代表机型有5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A等。 氮化镓快充芯片U8766集成了高压启动功能。在启动阶段，U8766通过芯片HV脚对VDD充电，当VDD电压达到VVDD_ON(典型值 12V)时，高压供电关闭。输出建立后，芯片供电由辅助绕组提供。在启动过程中，当VDD低于3V时，高压供电电路对VDD电容的充电电流为IHV1 (典型值 0.5mA)，小电流充电，可以 查看详情
- 04-22 2025
- 银联宝氮化镓电源芯片U8733L与U8733差异化分析 氮化镓电源芯片U8733L与U8733同属U8733X系列，都是外置OTP，自带降功率（限12V最大输出），集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于30mW的超低待机功耗。但参数性能略有不同，今天就为各位小伙伴详细拆解一下两者不同之处！ ▲U8733L Vds 耐压650V，Rdson内阻0.8R，ID电流2.5A，推荐功率33W。 ▲U8733 Vds 耐压700V，Rdson内阻0.47--0.6R，ID电流3.3A，推荐功率33W-45W ▲封装 查看详情
- 04-21 2025
- 700V/365mΩ高压启动GaN快充芯片U8609 GaN快充芯片U8609最高工作频率130kHz，700V/365mΩ，采用DASOP-7封装，主推12V3A，合封第三代半导体GaN FET，有利于降低电源尺寸。U8609采用CS Jitter技术，通过调制峰值电流参考值实现频率抖动，以优化系统EMI。 GaN快充芯片U8609复用CS管脚以设定系统最高工作频率，CS管脚连接如图所示。芯片启动时，U8609通过检测RSEL电阻从而决定芯片最大工作频率。设定不同的RSEL电阻值即可选择两档不同的系统工作频率上限。选档判定结束 查看详情
- 04-18 2025
- 12V单高压20W-25W氮化镓快充芯片U8722BAS 氮化镓快充芯片U8722BAS复用CS管脚以设定系统最高工作频率，CS管脚连接如图所示。 芯片启动时，U8722BAS通过检测RSEL电阻从而决定芯片最大工作频率。设定不同的RSEL电阻值即可选择两档不同的系统工作频率上限。选档判定结束后系统锁定，每一次启动都伴随一次判定。 氮化镓快充芯片U8722BAS封装类型 ASOP7-T4，引脚名称如下： 1 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚 2 FB I 系统反馈输入管脚 3 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检 查看详情
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