- 05-26 2025
- 氮化镓快充电源ic U8765全负载功率范围内效率优化 QR模式一般工作在变频模式下，根据负载大小改变变换器的频率。当负载变轻时，变换器的频率会增加，以适应轻载条件下的高效运行。QR模式通过检测原边电流和电压的变化，实现开关管的最佳开通时机，从而减少开关损耗。氮化镓快充电源icU8765采用峰值电流控制模式，可以自适应的工作在QR和降频工作模式，从而实现全负载功率范围内的效率优化！ 在满载和重载工况下，系统工作在QR工作模式，可以大幅降低系统的开关损耗。氮化镓快充电源icU8765根据FB电压值调节谷底个数，同时为了避免系统在临界 查看详情
- 05-23 2025
- 同步整流芯片U7106在氮化镓电源方案U8766中的应用 氮化镓器件开关频率升级，同步整流芯片需具备高速响应能力，确保高频工况下精准控制同步整流管的开通与关断时。同步整流芯片U7106应用在氮化镓电源芯片U8766中可显著减少功率损耗，提升转换效率！ 同步整流芯片U7106是一款高频率、高性能、CCM同步整流开关，可以在GaN系统中替代肖特基整流二极管以提高系统效率。U7106内置有VDD高压供电模块，无需辅助绕组供电可稳定工作，系统上支持High Side和Low Side配置，兼顾了系统性能和成本。 同步整流芯片U7106特性 查看详情
- 05-22 2025
- 65W集成EMI优化技术的E-GaN电源芯片U8722FE E-GaN电源芯片U8722FE是U8722X系列最新增加的型号，ID(A)(TJ=125℃)4.0，耐压700V，推荐功率60W，采用的是ESOP-7封装，具体脚位如下： 1 CSI/O 电流采样输入、最高频率选择管脚 2 FB P 系统反馈输入管脚 3 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能力分档判定管脚 4 VDD P 芯片供电管脚 5 SW P Boost 电路内置 MOS 的漏极管脚 6,7 GND P 芯片参考地 8 DRAIN P 内置高压 GaN 查看详情
- 05-22 2025
- 全电压！PD 20W氮化镓电源方案认证款：U8722BAS+U7612B 上次给大家介绍了20W氮化镓单电压的应用方案，立马就有小伙伴发出了全电压应用方案的需求。深圳银联宝科技有求必应，PD 20W氮化镓电源方案全电压认证款：U8722BAS+U7612B方案来咯！ 主控氮化镓电源芯片U8722BAS是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于30mW的超低待机功耗。U8722BAS的工作频率最高可达220kHz，可全范围工作在准谐振模式。芯片集成峰值电流抖动功能 查看详情
- 05-21 2025
- 氮化镓GaN快充芯片U8732轻松应对充电问题 氮化镓充电器与普通充电器在充电效率方面对比，性能遥遥领先。它支持多种快充协议，如PD、QC等，能够智能识别设备所需的充电功率，实现快速充电。无论是苹果手机、安卓手机，还是笔记本电脑、平板电脑，氮化镓充电器都能轻松应对，一充搞定。充电器自然离不开芯片的支持，今天主推的就是来自深圳银联宝科技的氮化镓GaN快充芯片U8732！ 氮化镓GaN快充芯片U8732特点： 1.集成 700V E-GaN 2.集成高压启动功能 3.超低启动和工作电流，待机功耗 30mW 4.谷底锁定模式， 查看详情
- 05-20 2025
- 30W单高压耐压700V氮化镓电源ic U8724AH CS管脚通常用于采样电感电流，实现峰值电流控制，并且可以限制最大输入电流，从而实现过流保护功能。此外，CS管脚还可以用于设定系统的最高工作频率。通过连接不同阻值的RSEL电阻，可以设定不同的系统工作频率上限。氮化镓电源icU8724AH复用CS管脚以设定系统最高工作频率，CS管脚连接如图所示。 芯片启动时，氮化镓电源icU8724AH通过检测RSEL电阻从而决定芯片最大工作频率。设定不同的RSEL电阻值即可选择两档不同的系统工作频率上限。选档判定结束后系统锁定，每一次启 查看详情
- 05-19 2025
- 氮化镓PD快充ic U8608输入过欠压保护电路安全运行 过压保护和欠压保护是维护芯片电路安全运行的关键功能。有些芯片会提供一个欠压保护引脚，当欠压保护被触发时，该引脚会产生一个信号。通过检测该引脚的状态，可以判断芯片是否处于欠压保护状态。深圳银联宝氮化镓PD快充icU8608输入过欠压保护 (Line OVP/BOP)，先来看看它的引脚。 PD快充icU8608引脚特征： 1 NTC I/O 外置过温检测管脚 2 COMP I/O 运放输出，在该 pin 脚和 GND 之间连接阻容网络用于调节环路。 3 FB I/O 输出反馈、 查看详情
- 05-16 2025
- 氮化镓PD快充芯片U8722DAS可减少高频噪声和应力冲击 氮化镓PD快充芯片U8722DAS集成轻载SR应力优化功能，在轻载模式下，芯片将原边开通速度减半（如配置为特定驱动电流档位时），减缓开关动作的瞬态变化，从而减小次级侧SR器件的电压尖峰，通过分压电阻设置驱动电流档位（三档可选），平衡EMI性能与效率。低驱动电流档位可降低SR开关速度，减少高频噪声和应力冲击。 氮化镓PD快充芯片U8722DAS特征： ▲集成 高压 E-GaN ▲集成高压启动功能 ▲超低启动和工作电流，待机功耗 30mW ▲谷底锁定模式， 最高工作频率两档可调( 查看详情
- 05-15 2025
- 20W氮化镓电源ic U8722SP谷底锁定模式优化损耗 谷底锁定模式是一种应用于开关电源如反激式拓扑、准谐振电源中的关键技术，其核心在于通过精确控制开关管的导通时机以降低损耗和提升系统稳定性。在深圳银联宝科技最新推出的20W氮化镓电源icU8722SP中，谷底锁定及降频工作模式，可以有效避免负载变化时因谷底跳频导致的变压器工作不稳定或噪声问题，延长器件寿命，也为系统效率带来了一定的提升！ 氮化镓电源icU8722SP采用峰值电流控制模式，可以自适应的工作在QR和降频工作模式，从而实现全负载功率范围内的效率优化。在满载和重载工况下 查看详情
- 05-15 2025
- 45W集成高压E-GaN快充电源方案U8726AHE+U7269 氮化镓电源电路由于减少了元件数量和功率转换器占用的空间而更具吸引力。深圳银联宝科技作为E-GaN快充电源方案制造商，大量投入工程研发以应对各类技术挑战，为市场提供了各种功率级和多种功能的集成解决方案，今天推荐的是银联宝45W集成高压E-GaN快充电源方案U8726AHE+U7269！ 快充电源芯片U8726AHE集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV (典型值6.4V)。E 查看详情
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