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65W系列 19V3.42A能效六级方案
优化降频技术提率更多 +
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
效率满足 六级能效
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
无异音OCP补偿低压重载异音
OLP时间可编程
VDD欠压保护(ULVO), 过压保护及钳位
内置同步斜率补偿. 逐周期电流限制, 内置前沿消隐
内置频率抖动EMI
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60W系列 12V5A能效六级方案
更多 +
±5％恒压恒流精度, 快速动态响应控制
待机功耗小于75mW
自动补偿输入电压.电感感量变化
自动补偿输入电压.电感感量变化
启动电流
前沿消隐
内置斜率补偿
逐周期电流限制
-
10W系列5V2A能效六级方案
更多 +
效率满足六级能效要求
内置650V 功率MOSFET
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护
零电压带载启动减小OCP恢复间隙
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
±5％恒压恒流精度
内置反馈脚(FB)短路保护
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5W系列 5V1A能效六级方案
QR-PSR控制提高工作效率更多 +
内置700V 功率三极管
效率满足 ‘DoE六级能效’，待机＜75mW
±4％恒压恒流精度，多模式PSR控制内置频率抖动EMI
内置快速动态响应控制，无异音工作
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
VDD欠压保护（UVLO）,过压保护及钳位
OTP过温保护
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5V1.5A能效六级方案
QR-PSR控制提高工作效率。更多 +
±4% 的恒流恒压精度,PSR控制模式。
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求,待机＜70mW。
内置专利的线损电压补偿。
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护。
VDD欠压保护，VDD过压保护及钳位。
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10W系列 5V2A能效六级方案
±4％恒压恒流精度，多模式PSR控制。更多 +
内置频率抖动EMI。
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求。
内置高低压过流补偿。
内置快速动态响应控制，无异音工作。
输出过压保护，VDD欠压保护，VDD过压保护及钳位。
QR-PSR控制提高工作效率。
内置600V 功率MOSFET
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12W系列 12V1A能效六级方案
专利QR控制，提高系统效率，异音。更多 +
效率满足六级能效要求。
内置频率抖动EMI。
内置高低压过流补偿。
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护。
内置专利的线损补偿,提高量产精度。
内置反馈脚(FB)短路保护
支持高50V 输出电压
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5W系列 5V1A能效六级方案
QR-PSR控制提高工作效率更多 +
内置700V 功率三极管
效率满足 ‘DoE六级能效’，待机＜75mW
±4％恒压恒流精度，多模式PSR控制内置频率抖动EMI
内置快速动态响应控制，无异音工作
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
VDD欠压保护（UVLO）,过压保护及钳位
OTP过温保护
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12W系列 5V2.4A能效六级方案
更多 +
效率满足六级能效要求
内置650V 功率MOSFET
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护
零电压带载启动减小OCP恢复间隙
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
±5％恒压恒流精度
内置反馈脚(FB)短路保护
- [公司新闻]U8722AH+U7714A氮化镓20W应用方案 科技与环保的完美结合 引领快充新趋势2025年09月30日 10:52
- 今天，我们为您介绍一款革命性的充电解决方案——单电压认证款U8722AH+U7714A PD20W氮化镓应用方案，它以小巧体积、高效性能和卓越安全性，重新定义了20W快充。
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- [公司新闻]小功率电源新选择：U92143芯片赋能10W AC/DC电源适配器2025年09月22日 17:08
- 在智能门锁、小型家电、便携式设备等场景中，10W级AC/DC电源适配器是保障设备稳定运行的关键部件，而核心芯片的性能直接决定了适配器的效率、安全性与可靠性。U92143作为一款专为小功率离线式应用设计的电源芯片，正凭借其高集成度、低功耗与全面保护特性，成为10W AC/DC电源适配器的优选方案
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- [公司新闻]银联宝U9513A芯片：小功率电源领域的革新者2025年09月18日 16:19
- 在电子设备日益普及的当下，电源管理芯片作为电子设备的“心脏起搏器”，其性能直接关乎设备的稳定运行与使用体验。银联宝U9513A芯片，作为一款高性能恒流恒压原边控制功率开关，正以其卓越的特性，在小功率电源应用领域掀起一场技术革新。
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- [行业新闻]苹果17新机颠覆芯片技术，充电器芯片同样值得关注2025年09月10日 17:33
- 北京时间 9 月 10 日凌晨，苹果以 “前方超燃” 为主题召开秋季发布会，推出 iPhone 17、iPhone Air、iPhone 17 Pro/Pro Max 四款机型。苹果17发布后，其充电性能升级备受瞩目，更高的充电功率对充电器芯片提出了新要求。
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- [公司新闻]告别充电焦虑 U8722BH高能效芯片重新定义安全快充体验2025年09月05日 14:16
- 还在为充电器发热、耗电快、安全性差而烦恼？U8722BH高性能功率开关芯片来了！备多重安全防护与智能控制功能，堪称小功率离线式充电器的“智慧心脏”。无论是在家中、办公室还是出行途中，U8722BH电源芯片以高兼容性与高可靠性，为你提供全天候安心快充体验，完美适配当前多种快充协议与智能设备需求。 氮化镓电源芯片U8722X主要特点： ●集成700V E-GaN ●集成高压启动功能 ●超低启动和工作电流，待机功耗30mW ●谷底锁定模式，最高工作频率两
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- [公司新闻]恒功率、恒压、恒温离线型电流模式快充电源ic ——U86232025年08月28日 15:06
- 恒功率芯片具有稳压、高效、过载保护等特性。恒压芯片的核心功能是提供稳定的电压输出；恒流芯片则主要用于电源和驱动电路中，维持输出电流的恒定。深圳银联宝快充电源icU8623是一款恒压、恒功率、恒温离线型电流模式PWM电源管理芯片，内置0.85Ω/650V的超结硅功率MOS！ 快充电源icU8623具有全负载高效率、低空载损耗、低EMI干扰和高EMS抗干扰、极少外围应用元件等优点。U8623在一定条件下适用于输入电压AC90V-264V的输出功率为22.5W以内的离线式反激开关
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- [公司新闻]PD30W氮化镓单电压认证款（175Vac-264Vac)：U8722BAS+U7612A2025年08月26日 11:00
- PD30W单电压认证款（175Vac-264Vac)U8722BAS+U7612A产品温升测试结果如下： 氮化镓电源芯片U8722BAS采用峰值电流控制模式，可以自适应的工作在QR和降频工作模式，从而实现全负载功率范围内的效率优化。在满载和重载工况下，系统工作在QR工作模式，可以大幅降低系统的开关损耗。芯片根据FB电压值调节谷底个数，同时为了避免系统在临界负载处的FB电压波动导致谷底数跳变，产生噪音，U8722BAS采用了谷底锁定工作模式在负载一定的情况下，导通谷底数稳定
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- [公司新闻]36W副边氮化镓应用方案——U8722DE+U7612B2025年08月25日 14:54
- ■方案介绍及产品特色 氮化镓电源芯片U8722DE是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于30mW的超低待机功耗。 特色如下： ●集成 700V E-GaN ●集成高压启动功能 ●超低启动和工作电流，待机功耗 30mW ●谷底锁定模式， 最高工作频率两档可调(220kHz，130kHz) ●集成 EMI 优化技术 ●驱动电流分档配置 ●
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- [公司新闻]银联宝氮化镓电源芯片U872XAHE系列新成员——U8727AHE2025年08月22日 10:04
- 好消息！深圳银联宝科技氮化镓电源芯片U872XAHE系列，规格书升级，新增料号U8727AHE，封装形式ESOP-7，集成MOS耐压700V，推荐最大输出功率100W！ 氮化镓电源芯片U8727AHE特性： 集成高压E-GaN 集成高压启动功能 超低启动和工作电流，待机功耗30mW 谷底锁定模式，最高工作频率两档可调(220kHz，130kHz) 集成EMI优化技术 驱动电流分档配置 集成Boost供电电路 集成完备的保护功能： VDD过压/欠压保护(VDD OVP/UVL
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- [公司新闻]同步整流ic U7606开通关断机制实现高效整流低损耗2025年08月21日 11:43
- 同步整流ic的开通关断机制核心依赖于漏源电压的精确检测，以实现高效整流并避免共通故障等风险。其电压关系具体体现在开通和关断阈值的设计上，确保MOSFET在适当时机导通或截止，从而取代传统二极管以降低损耗。 同步整流icU7606是一款高频率、高性能、CCM同步整流开关，可以在GaN系统中替代肖特基整流二极管以提高系统效率。U7606内部集成有智能开通检测功能，可以有效防止反激电路中由于寄生参数振荡引起的同步整流开关误开通，提高了系统效率及可靠性。 变压器副边续流阶段开始时
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- [公司新闻]快充电源ic U8766集成完备保护功能 提升运行稳定性2025年08月20日 10:47
- 先进的封装技术可以提升芯片散热效率，减少过温保护触发频率，间接维持高性能状态。而芯片保护功能通过硬件机制在保障系统安全、可靠运行的同时，也能起到性能优化的作用。今天介绍的深圳银联宝快充电源icU8766，集成完备的保护功能，先来看看它的脚位！ 快充电源icU8766封装形式ESOP-10W，管脚说明： 1HV P 高压启动管脚 2 DRAIN P GaN FET 漏极引脚 3 Source P GaN FET 源极引脚 4 GND P 芯片参考地 5 CS I/O 电流采
- 阅读（10）
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