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霍尔IC FD1157H
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将马达驱动程序与霍尔传感器集成, 从而简化了 pcb (印刷电路板) 的设计
锁关和 auto-restart 功能使电动机不被过热, 并在锁定后重新启动马达。
采用 "软开关" 相位开关技术来减小振动和噪声。
热关闭保护确保马达驱动程序在指定的温度范围内运行
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霍尔IC FS200
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由霍尔传感器和输出线圈驱动组成的1芯片, 适用于2相直流电机
霍尔效应传感器的高灵敏度适用于微型 cpu 冷却器到鼓风机和直流风扇马达
典型的运行电流高达0.45A 和工作电压范围是从 2.0V ~ 20V
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霍尔IC FS211
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由霍尔传感器和输出线圈驱动组成的1芯片, 适用于2相 dc电机
霍尔效应传感器的高灵敏度适用于微型 cpu 的电动机冷却器到鼓风机和直流风扇
典型操作电流为 0.4A, 工作电压范围为广泛. fg 信号
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霍尔IC FS220
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由霍尔传感器和输出线圈驱动组成的1芯片, 适用于2相直流电机
典型的操作电流为 0.45A, 工作电压范围为 2.8V ~ 28V
霍尔效应传感器的高灵敏度适用于微型 cpu 冷却器到鼓风机和直流风扇马达
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霍尔IC FS210
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由霍尔传感器和输出线圈驱动组成的1芯片, 适用于2相直流电机
霍尔效应传感器的高灵敏度适用于微型 cpu 冷却器到鼓风机和直流风扇马达
典型的运行电流高达0.45A 和工作电压范围是从 2.8V ~ 20V
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霍尔IC FS209
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由霍尔传感器和输出线圈驱动组成的1芯片, 适用于2相直流电机
霍尔效应传感器的高灵敏度适用于微型 cpu 冷却器到鼓风机和直流风扇马达
典型的运行电流高达0.45A 和工作电压范围是从 2.0V ~ 20V
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副边150W开关电源芯片 SF5877
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副边反馈/外驱MOSFET,内置软启动
效率满足六级能效
输出过压保护(OVP)电压可外部编程
外部编程过温(OTP)保护
内置拔插头锁存(latch plugoff)保护
管脚浮空保护
启动电流 <>br/内置高低压过流补偿实现全电压平坦OCP曲线
内置前沿消隐
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原边15W开关电源芯片 SF5928S
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专利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技术
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒压恒流高精度
原边反馈(PSR)控制,无需光耦和TL431
内置专利的线损电压补偿
自动补偿输入电压、电感感量变化,实现高精度
内置软启动,启动电流,管脚浮空保护
原边反馈/内置MOSFET,输出过压保护
逐周期电流限制,内置前沿消隐
VDD欠压保护(UVLO),过压保护及钳位
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原边9W开关电源芯片 SF5926S
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专利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技术
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒压恒流高精度
原边反馈(PSR)控制,无需光耦和TL431
内置专利的线损电压补偿
自动补偿输入电压、电感感量变化,实现高精度
内置软启动,启动电流,管脚浮空保护
原边反馈/内置MOSFET,输出过压保护
逐周期电流限制,内置前沿消隐
VDD欠压保护(UVLO),过压保护及钳位
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原边6W开关电源芯片 SF5922S
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专利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技术
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒压恒流高精度
原边反馈(PSR)控制,无需光耦和TL431
内置专利的线损电压补偿
自动补偿输入电压、电感感量变化,实现高精度
内置软启动,启动电流,管脚浮空保护
原边反馈/内置MOSFET,输出过压保护
逐周期电流限制,内置前沿消隐
VDD欠压保护(UVLO),过压保护及钳位
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副边150W开关电源芯片 SF5897
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满足六级能效
副边反馈/外驱MOSFET,内置软启动
输出过压保护(OVP)电压可外部编程
内置拔插头锁存(latch plugoff)保护
管脚浮空保护
逐周期电流限制,内置前沿消隐
内置高低压过流补偿实现全电压平坦OCP曲线
VDD欠压保护(UVLO),过压保护及钳位
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副边70W开关电源芯片 SF5887
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副边反馈/外驱MOSFET,内置软启动
效率满足六级能效
输出过压保护(OVP)电压可外部编程
外部编程过温(OTP)保护
内置拔插头锁存(latch plugoff)保护
管脚浮空保护
启动电流
内置高低压过流补偿实现全电压平坦OCP曲线
内置前沿消隐
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副边25W开关电源芯片 SF5930
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专利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技术
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
±5%恒压恒流精度
快速动态响应,大小减小输出纹波
支持输出电压大小50V
原边反馈(PSR)控制,无需光耦和TL431
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副边25W开关电源芯片 SF5920
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专利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技术
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
±5%恒压恒流精度
快速动态响应,大小减小输出纹波
支持输出电压大小50V
原边反馈(PSR)控制,无需光耦和TL431
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原边10W开关电源芯片 U6117SA
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原边反馈/内置MOSFET
效率满足六级能效要求
低待机功耗小于70mW
内置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4%恒压恒流精度,多模式PSR控制
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PFC肖特基 PFS5A60
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下,电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏电电流较少
在较高的反向电压下,开关速度更快
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PFC肖特基 P5L45F-A
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下,电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏电电流较少
在较高的反向电压下,开关速度更快
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10W系列 5V 2A电源方案
PSR控制模式,无光耦,无431。更多 +
±5% 的恒流恒压精度。
专利的‘NC-Cap/PSR’技术。
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求,待机<75mW。
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24W系列 12V2A能效六级方案
提高系统效率,异音更多 +
内置软启动, 管脚浮空保护
效率满足 六级能效
启动电流
QR技术提高全负载效率,EMI和谷底切换异音
输出过压保护电压可外部编程
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
VDD欠压保护(ULVO), 过压保护及钳位
零电压带载启动减小OCP恢复间隙
内置频率抖动EMI
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18W系列12V1.5A能效六级方案
更多 +
效率满足六级能效要求
内置650V 功率MOSFET
内置65KHz 工作频率
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
电流启动
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
内置频率抖动EMI
内置逐周期电流限制, 内置前沿消隐
内置高低压过流补偿实现全电压平坦OCP曲线
VDD欠压保护(ULVO), 过压保护及钳位
OLP可编程