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副边25W开关电源芯片 SF5930
更多 +
专利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技术
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
±5%恒压恒流精度
快速动态响应，大小减小输出纹波
支持输出电压大小50V
原边反馈（PSR）控制，无需光耦和TL431
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副边25W开关电源芯片 SF5920
更多 +
专利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技术
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
±5%恒压恒流精度
快速动态响应，大小减小输出纹波
支持输出电压大小50V
原边反馈（PSR）控制，无需光耦和TL431
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原边10W开关电源芯片 U6117SA
更多 +
原边反馈/内置MOSFET
效率满足六级能效要求
低待机功耗小于70mW
内置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒压恒流精度，多模式PSR控制
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PFC肖特基 PFS5A60
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下，电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏电电流较少
在较高的反向电压下，开关速度更快
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PFC肖特基 P5L45F-A
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下，电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏电电流较少
在较高的反向电压下，开关速度更快
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10W系列 5V 2A电源方案
PSR控制模式，无光耦，无431。更多 +
±5% 的恒流恒压精度。
专利的‘NC-Cap/PSR’技术。
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求,待机＜75mW。
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24W系列 12V2A能效六级方案
提高系统效率，异音更多 +
内置软启动, 管脚浮空保护
效率满足 六级能效
启动电流
QR技术提高全负载效率,EMI和谷底切换异音
输出过压保护电压可外部编程
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
VDD欠压保护(ULVO), 过压保护及钳位
零电压带载启动减小OCP恢复间隙
内置频率抖动EMI
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18W系列12V1.5A能效六级方案
更多 +
效率满足六级能效要求
内置650V 功率MOSFET
内置65KHz 工作频率
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
电流启动
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
内置频率抖动EMI
内置逐周期电流限制, 内置前沿消隐
内置高低压过流补偿实现全电压平坦OCP曲线
VDD欠压保护(ULVO), 过压保护及钳位
OLP可编程
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65W系列 19V3.42A能效六级方案
优化降频技术提率更多 +
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
效率满足 六级能效
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
无异音OCP补偿低压重载异音
OLP时间可编程
VDD欠压保护(ULVO), 过压保护及钳位
内置同步斜率补偿. 逐周期电流限制, 内置前沿消隐
内置频率抖动EMI
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60W系列 12V5A能效六级方案
更多 +
±5％恒压恒流精度, 快速动态响应控制
待机功耗小于75mW
自动补偿输入电压.电感感量变化
自动补偿输入电压.电感感量变化
启动电流
前沿消隐
内置斜率补偿
逐周期电流限制
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10W系列5V2A能效六级方案
更多 +
效率满足六级能效要求
内置650V 功率MOSFET
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护
零电压带载启动减小OCP恢复间隙
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
±5％恒压恒流精度
内置反馈脚(FB)短路保护
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5W系列 5V1A能效六级方案
QR-PSR控制提高工作效率更多 +
内置700V 功率三极管
效率满足 ‘DoE六级能效’，待机＜75mW
±4％恒压恒流精度，多模式PSR控制内置频率抖动EMI
内置快速动态响应控制，无异音工作
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
VDD欠压保护（UVLO）,过压保护及钳位
OTP过温保护
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5V1.5A能效六级方案
QR-PSR控制提高工作效率。更多 +
±4% 的恒流恒压精度,PSR控制模式。
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求,待机＜70mW。
内置专利的线损电压补偿。
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护。
VDD欠压保护，VDD过压保护及钳位。
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10W系列 5V2A能效六级方案
±4％恒压恒流精度，多模式PSR控制。更多 +
内置频率抖动EMI。
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求。
内置高低压过流补偿。
内置快速动态响应控制，无异音工作。
输出过压保护，VDD欠压保护，VDD过压保护及钳位。
QR-PSR控制提高工作效率。
内置600V 功率MOSFET
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12W系列 12V1A能效六级方案
专利QR控制，提高系统效率，异音。更多 +
效率满足六级能效要求。
内置频率抖动EMI。
内置高低压过流补偿。
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护。
内置专利的线损补偿,提高量产精度。
内置反馈脚(FB)短路保护
支持高50V 输出电压
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5W系列 5V1A能效六级方案
QR-PSR控制提高工作效率更多 +
内置700V 功率三极管
效率满足 ‘DoE六级能效’，待机＜75mW
±4％恒压恒流精度，多模式PSR控制内置频率抖动EMI
内置快速动态响应控制，无异音工作
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
VDD欠压保护（UVLO）,过压保护及钳位
OTP过温保护
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12W系列 5V2.4A能效六级方案
更多 +
效率满足六级能效要求
内置650V 功率MOSFET
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护
零电压带载启动减小OCP恢复间隙
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
±5％恒压恒流精度
内置反馈脚(FB)短路保护
- [公司新闻]PD快充A+C口：30W高效率氮化镓电源方案U8722DE+U7110W2025年06月17日 14:40
- A+C口兼容双接口电路，可满足多设备充电需求，还可以兼容传统USB-A设备，接口互补，场景覆盖广，依然是当前充电市场不可忽略的中坚力量。深圳银联宝科技推出的PD快充A+C口：30W高效率氮化镓电源方案U8722DE+U7110W，最大程度简化设计方案，易上手，低成本！ 氮化镓电源ICU8722DE采用峰值电流控制模式，可以自适应的工作在QR和降频工作模式，从而实现全负载功率范围内的效率优化。在满载和重载工况下，系统工作在QR工作模式，可以大幅降低系统的开关损耗。芯片根据FB电
- 阅读（1）
- [公司新闻]氮化镓快充芯片U8722SP调整封装形式为SOP-8输出20W2025年06月16日 10:51
- 氮化镓快充芯片U8722SP封装形式升级调整为SOP-8，集成完备的保护功能：VDD过压/欠压保护(VDD OVP/UVLO)、输出过压保护(OVP)、输出欠压保护(DEM UVP)、输入过压保护(LOVP)、输入欠压保护(BOP)、片内过热保护(OTP)、逐周期电流限制(OCP)、异常过流保护(AOCP)、短路保护(SCP)、过载保护(OLP)、前沿消隐(LEB)、CS管脚开路保护等。 氮化镓快充芯片U8722SP管脚说明： 1 GND P 芯片参考地 2 CS I/O 电
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- [公司新闻]25W氮化镓电源芯片方案U8723AH+U7612B输出可选5V、9V、12V2025年06月13日 10:44
- 同一套电源芯片方案，可直接应用于不同的电压输出上，这不仅有效节省成本，更是大大缩短了开发时间，使项目收益最大化。深圳银联宝科技最新推出的25W氮化镓电源芯片方案U8723AH+U7612B，输出可选5V、9V、12V，注重空间布局和兼容性问题，通过了认证测试，低耗高效，值得推荐！ 同步整流芯片U7612B是一款高频率、高性能、CCM同步整流开关，可以在GaN系统中替代肖特基整流二极管以提高系统效率。在VDD电压上升到VDD开启电压VDD_ON (典型值4.5V)之前，芯片处于
- 阅读（4）
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