- [公司新闻]45W集成高压E-GaN快充电源方案U8726AHE+U72692025年05月15日 10:56
- 氮化镓电源电路由于减少了元件数量和功率转换器占用的空间而更具吸引力。深圳银联宝科技作为E-GaN快充电源方案制造商，大量投入工程研发以应对各类技术挑战，为市场提供了各种功率级和多种功能的集成解决方案，今天推荐的是银联宝45W集成高压E-GaN快充电源方案U8726AHE+U7269！ 快充电源芯片U8726AHE集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV (典型值6.4V)。E
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- [公司新闻]30W E-GaN高频高性能快充电源ic U87312025年05月14日 11:14
- GaN器件采用二维电子气结构，能够提供更高的电子迁移率和导电性能，因此适用于高频应用，可以实现更高效的功率转换。深圳银联宝科技研发生产的快充电源icU8731，集成700VE-GaN，高频高性能，推荐工作频率130KHz/220KHz，推荐最大输出功率30W，介绍给小伙伴们！ 快充电源icU8731采用的是HSOP-7封装，管脚说明如下： 1 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚 2 FB I 系统反馈输入管脚 3 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能
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- [公司新闻]12V2A/3A氮化镓电源方案U8607/U8609+同步整流芯片U76132025年05月13日 10:54
- 深圳银联宝科技最新上市的氮化镓电源方案：U8607/U8609+同步整流芯片U7613，推荐输出功率12V2A、12V3A，非标共板，方案成熟，性能可靠，可满足更高性能要求、更低成本需求！ 氮化镓电源芯片U8607/U8609采用原边反馈控制，可节省光耦和TL431，简化电源BOM。它合封第三代半导体GaN FET，最高工作频率130kHz，有利于降低电源尺寸。特征如下： *原边反馈控制，无需光耦和 TL431 *集成 700V GaN FET 驱动 *集成高压启动功能 *
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- [公司新闻]ESOP-10W封装输入欠压保护氮化镓快充芯片U87662025年05月08日 15:14
- 在65W氮化镓快充设计中，输入欠压保护与过压保护协同工作，保障充电头在电网波动时仍能稳定输出，并避免因输入异常导致次级电路损坏。今天介绍的65W全压氮化镓快充芯片U8766，输入欠压保护(BOP)，采用ESOP-10W封装！ 氮化镓快充芯片U8766通过HV管脚对母线电压进行采样，当母线电压值小于BOP保护阈值VBOP (典型值 100V)时，芯片内部的BOP延迟计时使能，计时时间为TBOP_DELAY(典型值 80ms)，计时结束后触发BOP保护。如果母线电压超过BOP恢复
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- [公司新闻]30~65W快充应用CCM同步整流芯片U71062025年05月08日 09:31
- 同步整流芯片U7106采用PDFN5*6封装，是一款高频率、高性能、CCM 同步整流开关，典型应用于30~65W快充，无需辅助绕组供电可稳定工作，可以在GaN系统中替代肖特基整流二极管以提高系统效率。 同步整流芯片U7106电路设计参考如下： 1. 副边主功率回路 Loop1 的面积尽可能小。 2. VDD 电容推荐使用 1μF 的贴片陶瓷电容，尽量紧靠 IC，Loop2的面积尽可能小。 3. HV 到Drain建议串联30~200Ω的电阻，推荐典型值100Ω。HV连接到D
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- [公司新闻]PD 20W氮化镓单电压应用方案：U8722AH+U77152025年05月07日 14:23
- 深圳银联宝科技推出的PD20W氮化镓单电压应用方案，主控芯片使用的是氮化镓快充芯片U8722AH，同步整流芯片U7715，协议338E。输入规格：180V-264V 50Hz，输出规格：C口，PD20W：5V3A / 9V2.22A / 12V1.67A。 氮化镓快充芯片U8722AH特点： 1.集成 700V E-GaN 2.集成高压启动功能 3.超低启动和工作电流，待机功耗 30mW 4.谷底锁定模式， 最高工作频率两档可调(220kHz，130kHz) 5.集
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- [公司新闻]带恒功率集成高压E-GaN氮化镓电源IC U8723AHS2025年05月06日 14:32
- 恒功率电源芯片具有稳压、高效、过载保护等特性，适用于一些功率要求严格的应用场景，如充电器、LED驱动器、电动工具等。今天推荐的深圳银联宝带恒功率集成高压E-GaN氮化镓电源ICU8723AHS，不仅可以提高电路的稳定性和可靠性，同时也可以提高能源利用效率，使优势发挥到最大！ 针对宽输出电压应用场合，为了满足VDD的宽电压应用需求，往往需要添加额外的电路或者辅助绕组，导致系统功耗和电路成本的增加。氮化镓电源ICU8723AHS集成了Boost供电技术，仅在SW管脚添加一颗贴片电
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- [公司新闻]SOP-7封装20W氮化镓快充芯片U8722SP来咯！2025年04月29日 11:14
- 深圳银联宝氮化镓系列又双叒叕上“芯”料啦——U8722SP！氮化镓快充芯片U8722SP采用SOP-7封装，推荐最大输出功率20W，集成MOS耐压700V，典型应用于快速充电器和适配器上，脚位如下： 1 GND P 芯片参考地 2 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚 3 FB I 系统反馈输入管脚 4 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能力分档判定管脚 5 SW P Boost 电路内置 MOS 的漏极
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- [公司新闻]氮化镓快充芯片U8608集成多维度安全防护机制2025年04月28日 14:25
- 深圳银联宝氮化镓快充芯片U8608具有多重故障保护机制，通过集成多维度安全防护，防止设备出现过充电、过放电、过电流等问题，在电子设备中构建起全方位的安全屏障，今天具体分析一下！ ■输入过欠压保护 (Line OVP/BOP) 氮化镓快充芯片U8608通过DRAIN管脚对母线电压进行采样，当母线电压值小于Line BOP 保护阈值VBOP (典型值70Vac)时，芯片内部的Line BOP延迟计时使能，计时时间为TBOP_DELAY(典型值 80ms)，计时结束后触发Lin
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- [公司新闻]耐压700V氮化镓电源ic U8765散热性能优越2025年04月27日 14:07
- 氮化镓凭借高频高效特性，具备了体积小、功率高、发热低等优势，但小型化虽好，散热才是硬道理，选氮化镓电源ic得看准散热设计。今天就给小伙伴们推荐一款散热性能优越、耐压700V的氮化镓电源icU8765！ 当氮化镓电源icU8765结温超过TSD (典型值150℃)时，芯片停止工作，进入过热保护。当芯片温度下降至TRC (典型值 120℃)，芯片重新启动。U8765封装类型ESOP-10W，引脚分析如下： 1 HV P 高压启动管脚 2 DRAIN P GaN FET 漏极引脚
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- [公司新闻]20V单高压45W氮化镓电源芯片U8726AHE2025年04月25日 14:31
- EMI性能为高频交直流转换器的设计难点，为此氮化镓电源芯片U8726AHE通过DEM管脚集成了驱动电流分档配置功能。通过配置DEM管脚分压电阻值，可以选择不同档位的驱动电流，进而调节GaN FET的开通速度，系统设计者可以获得最优的EMI性能和系统效率的平衡。 氮化镓电源芯片U8726AHE引脚： 1 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚 2 FB I 系统反馈输入管脚 3 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能力分档判定管脚 4 VDD P 芯片供电管
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- [公司新闻]25W带恒功率12V单高压氮化镓快充芯片U8723AH2025年04月24日 10:17
- 芯片内置Boost电路将功率开关器件（如MOSFET）、驱动电路、反馈网络等集成于单一封装，省去分立元件布局，显著降低PCB面积需求。深圳银联宝氮化镓快充芯片U8723AH内置Boost供电电路，非常适用于宽输出电压的应用场景。U8723AH集成峰值电流抖动功能和驱动电流配置功能，可极大的优化系统EMI性能！ 氮化镓快充芯片U8723AH特性： ●集成 高压 E-GaN ●集成高压启动功能 ●超低启动和工作电流，待机功耗 30mW ●谷底锁定模式， 最高工作频率两档可调(2
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- [公司新闻]700V/165mΩ HV高压启动频率可调氮化镓快充芯片U87662025年04月23日 14:32
- 700V/165mΩ HV高压启动频率可调氮化镓快充芯片U8766，推荐功率为65W，代表机型有5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A等。 氮化镓快充芯片U8766集成了高压启动功能。在启动阶段，U8766通过芯片HV脚对VDD充电，当VDD电压达到VVDD_ON(典型值 12V)时，高压供电关闭。输出建立后，芯片供电由辅助绕组提供。在启动过程中，当VDD低于3V时，高压供电电路对VDD电容的充电电流为IHV1 (典型值 0.5mA)，小电流充电，可以
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- [公司新闻]银联宝氮化镓电源芯片U8733L与U8733差异化分析2025年04月22日 11:25
- 氮化镓电源芯片U8733L与U8733同属U8733X系列，都是外置OTP，自带降功率（限12V最大输出），集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于30mW的超低待机功耗。但参数性能略有不同，今天就为各位小伙伴详细拆解一下两者不同之处！ ▲U8733L Vds 耐压650V，Rdson内阻0.8R，ID电流2.5A，推荐功率33W。 ▲U8733 Vds 耐压700V，Rdson内阻0.47--0.6R，ID电流3.3A，推荐功率33W-45W ▲封装
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- [公司新闻]700V/365mΩ高压启动GaN快充芯片U86092025年04月21日 14:31
- GaN快充芯片U8609最高工作频率130kHz，700V/365mΩ，采用DASOP-7封装，主推12V3A，合封第三代半导体GaN FET，有利于降低电源尺寸。U8609采用CS Jitter技术，通过调制峰值电流参考值实现频率抖动，以优化系统EMI。 GaN快充芯片U8609复用CS管脚以设定系统最高工作频率，CS管脚连接如图所示。芯片启动时，U8609通过检测RSEL电阻从而决定芯片最大工作频率。设定不同的RSEL电阻值即可选择两档不同的系统工作频率上限。选档判定结束
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- [公司新闻]12V单高压20W-25W氮化镓快充芯片U8722BAS2025年04月18日 14:39
- 氮化镓快充芯片U8722BAS复用CS管脚以设定系统最高工作频率，CS管脚连接如图所示。 芯片启动时，U8722BAS通过检测RSEL电阻从而决定芯片最大工作频率。设定不同的RSEL电阻值即可选择两档不同的系统工作频率上限。选档判定结束后系统锁定，每一次启动都伴随一次判定。 氮化镓快充芯片U8722BAS封装类型 ASOP7-T4，引脚名称如下： 1 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚 2 FB I 系统反馈输入管脚 3 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检
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- [公司新闻]充电器ic U7576满足快速启动和低待机应用需求2025年04月17日 14:15
- 深圳银联宝充电器icU7576通过HV高压引脚实时检测交流输入状态，市电断开时触发内部放电逻辑，集成了输出欠压(BOP)与输入掉电、X电容放电功能，解决了X电容放电电阻引起的待机损耗问题。采用SOP-8封装，HV引脚集成650V VDMOS，提升了耐压性能！ 充电器icU7576主要特点： 1.集成高压启动功能 2.集成 AC 输入掉电检测与X电容放电功能 3.可支持断续模式、连续模式的原边恒流技术 4.±5%恒流精度；±1%恒压精度 5.待机功
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- [公司新闻]电源管理芯片U3205A拥有良好的线性调整率和负载调整率2025年04月17日 10:55
- 银联宝电源管理芯片U3205A通过实时监测负载状态，自动调节MOSFET的开关频率，轻载或空载时降低频率（如待机状态），减少开关损耗，典型待机功耗可低于50mW；重载时提升频率以维持输出稳定性，确保系统效率最优！ ■高压启动电路和超低待机功耗 (50mW) 电源管理芯片U3205A内置有一个500V高压启动单元。在开机过程中该启动单元开始工作，从Drain端取电并通过高压电流源对VDD电容进行充电，如“功能模块”中所述。当VDD电压上升至
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- [公司新闻]带快速关断功能的高性能副边同步整流芯片U72692025年04月16日 11:51
- 同步整流芯片U7269具有双LDO供电。图1展示了低端配置的典型系统架构，这种供电方式的优点在于其支持的输出电压范围广，即使输出电压降低到0V SR也能正常工作。 同步整流芯片U7269亦支持高端应用，有两类配置方式。图2中Vo引脚直接和HV引脚相连，此时VDD电压会稳定在9V左右。 图3中Vo引脚和GND引脚相连，此时VDD电压稳定在6V左右。 同步整流芯片U7269主要特点： 支持断续工作模式(DCM)、准谐振工作模式(QR)及连续工作模式(CCM)和有源钳位（AC
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- [公司新闻]5V2.1A电源方案推荐主控U92143+同步U77102025年04月14日 14:58
- 5V2.1A电源方案推荐深圳银联宝科技的开关电源芯片U92143+同步整流芯片U7710，有兴趣的小伙伴可以来电询问详细资料。今天简单介绍下！ 开关电源芯片U92143是一款高性能、低成本的原边控制功率开关，内置高压功率三极管，可提供高精度恒压和恒流输出性能，尤其适合于小功率离线式充电器应用。采用U92143可以工作无异音，同时可保证优异的动态性能。利用集成的线损补偿功能，可获得高性能的恒压输出表现。 开关电源芯片U92143集成有多种保护功能：如VDD欠压保护(UVLO)
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