宽电压范围是指设备或系统能够在较宽的电压区间内正常工作的能力。这意味着，当电网电压或供电电压在一定范围内波动时，具备宽电压范围的设备仍能保持稳定运行，不会因电压的波动而损坏或影响性能。这种特性对于保障设备的持续、稳定工作至关重要！

针对宽输出电压应用场合，为了满足VDD的宽电压应用需求，往往需要添加额外的电路或者辅助绕组，导致系统功耗和电路成本的增加。氮化镓电源ic U8722AH集成了Boost供电技术，仅在SW管脚添加一颗贴片电感即可，在输出电压较低时，Boost电路启动工作，维持VDD电压在VBOOST_REG (典型值10V/10.2V)，当输出电压升高，辅助绕组电压高于VBOOST_REG时，Boost电路停止工作，VDD由辅助绕组供电。

氮化镓电源ic U8722AH采用SOP-7封装，脚位如下：

1 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚

2 FB P 系统反馈输入管脚

3 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能力分档判定管脚

6 VDD P 芯片供电管脚

4 SW P Boost 电路内置 MOS 的漏极管脚

5 GND P 芯片参考地

7 DRAIN P 内置高压 GaN FET 漏极、高压启动供电管脚

氮化镓电源ic U8722AH主要特性：

1. 集成700V E-GaN

2. 集成高压启动功能

3. 超低启动和工作电流，待机功耗<30mW

4. 谷底锁定模式， 最高工作频率两档可调(220kHz，130kHz)

5. 集成EMI优化技术

6. 驱动电流分档配置

7. 集成 Boost 供电电路

8. 集成完备的保护功能：VDD 过压/欠压保护(VDD OVP/UVLO)、输出过压保护(OVP)、输入欠压保护(BOP)、片内过热保护(OTP)、逐周期电流限制(OCP)、异常过流保护(AOCP)、短路保护(SCP)、过载保护 (OLP)、过流保护(SOCP)、前沿消隐(LEB)、CS管脚开路保护。

氮化镓电源ic U8722AH集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV(典型值6.2V)。EMI性能为高频交直流转换器的设计难点，为此U8722AH通过DEM管脚集成了驱动电流分档配置功能。通过配置DEM管脚分压电阻值，可以选择不同档位的驱动电流，进而调节GaN FET的开通速度，系统设计者可以获得最优的EMI性能和系统效率的平衡。

稳定的电压是保障电子设备正常工作的基础。深圳银联宝科技的氮化镓电源ic U8722AH，集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于30mW的超低待机功耗，提供稳定的电压输出，降低电子设备受电压波动的影响。