30W氮化镓电源ic U8608集成E-GaN和驱动电流分档功能，通过调节驱动电流档位，可以减少电磁干扰（EMI），优化系统的整体性能和待机功耗。具体来了解一下！

■ 集成E-GaN和驱动电流分档功能

30W氮化镓电源ic U8608集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV (典型值 6.35V)。EMI性能为高频交直流转换器的设计难点，为此U8608通过DEM管脚集成了驱动电流分档配置功能。如图所示，通过配置DEM管脚分压电阻值，可以选择不同档位的驱动电流，进而调节GaN FET的开通速度，系统设计者可以获得最优的EMI性能和系统效率的平衡。具体分压电阻值可参照参数表。

30W氮化镓电源ic U8608系列还集成轻载SR应力优化功能，在驱动电流配置为第一、第二、第四档位时，当芯片工作于轻载模式时，将原边开通速度减半，减小空载时SR的Vds应力过冲。

■ 谷底锁定及降频工作模式

30W氮化镓电源ic U8608采用峰值电流控制模式，可以自适应的工作在QR和降频工作模式，从而实现全负载功率范围内的效率优化。在满载和重载工况下，系统工作在QR工作模式，可以大幅降低系统的开关损耗。芯片根据FB电压值调节谷底个数，同时为了避免系统在临界负载处的FB电压波动导致谷底数跳变，产生噪音，U8608采用了谷底锁定工作模式，在负载一定的情况下，导通谷底数稳定，系统无噪音。

氮化镓电源ic U8608同系列芯片还有推荐功率为24W的U8607、36W的U8609，是一款集成E-GaN的恒压恒流PSR反激功率开关管，可为18-65W适配器应用提供全新的解决方案。U8608采用原边反馈控制，可节省光耦和TL431，简化电源BOM。它合封第三代半导体GaN FET，最高工作频率130kHz，有利于降低电源尺寸！