E-GaN电源芯片U8722EE，推荐搭配银联宝同步整流芯片U7110W、U7612A，分别可做PD 45W、PD 30W方案，可极大的优化系统EMI性能，非常适用于宽输出电压的应用场景！

■PD 45W方案：U8722EE+U7110W

针对宽输出电压应用场合，为了满足VDD的宽电压应用需求，往往需要添加额外的电路或者辅助绕组，导致系统功耗和电路成本的增加。E-GaN电源芯片U8722EE集成了Boost供电技术，仅在SW管脚添加一颗贴片电感即可，在输出电压较低时，Boost电路启动工作，维持VDD电压在VBOOST_REG (典型值10V/10.2V)，当输出电压升高，辅助绕组电压高于VBOOST_REG时，Boost电路停止工作，VDD由辅助绕组供电。

同步整流芯片U7110W是一款高频率、高性能、CCM同步整流开关，可以在GaN系统中替代肖特基整流二极管以提高系统效率。U7110W内置有VDD高压供电模块，无需辅助绕组供电可稳定工作，系统上支持High Side和Low Side配置，兼顾了系统性能和成本。U7110W的快速关断功能可以帮助功率器件获得较低的电压应力，可支持断续工作模式(DCM)、准谐振工作模式(QR)及连续工作模式(CCM)。U7110W内部集成有智能的开通检测功能，可以有效防止反激电路中寄生参数振荡引起的同步整流开关误开通。

■PD 30W方案：U8722EE+U7612A

E-GaN电源芯片U8722EE集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV(典型值6.2V)。EMI性能为高频交直流转换器的设计难点，为此U8722EE通过DEM管脚集成了驱动电流分档配置功能。通过配置DEM管脚分压电阻值，可以选择不同档位的驱动电流，进而调节GaN FET的开通速度，系统设计者可以获得最优的EMI性能和系统效率的平衡。

在VDD电压上升到VDD开启电压VDD_ON(典型值4.5V)之前，同步整流芯片U7612A处于关机状态。内部Gate智能钳位电路可以保证内置MOSFET不会发生高dv/dt导致的误开通。当VDD电压达到 VDD_ON之后，U7612A启动，内部控制电路开始工作，副边绕组电流Is经内置MOSFET的沟道实现续流。当VDD电压低于欠压保护阈值VDD_OFF(典型值3.3V)后，芯片关机，副边绕组电流Is经内置MOSFET的体二极管实现续流。