随着芯片尺寸的逐渐缩小，电场强度却随距离的减小而线性增加。若电源电压保持不变，产生的电场强度将足以击穿芯片，这无疑对电子系统的电源电压提出了更为严苛的要求。银联宝氮化镓电源ic U8726AHE集成高压E-GaN、集成高压启动电路，减少外围元件，适配快速充电器和适配器等电源设备。

■集成Boost供电电路

针对宽输出电压应用场合，为了满足VDD的宽电压应用需求，往往需要添加额外的电路或者辅助绕组，导致系统功耗和电路成本的增加。氮化镓电源ic U8726AHE集成了Boost供电技术，仅在SW管脚添加一颗贴片电感即可，在输出电压较低时，Boost电路启动工作，维持VDD电压在VBOOST_REG (典型值10.1V)，当输出电压升高，辅助绕组电压高于VBOOST_REG时，Boost电路停止工作，VDD由辅助绕组供电。

■管脚定义

氮化镓电源ic U8726AHE封装形式ESOP-7，脚位如下：

1 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚

2 FB I 系统反馈输入管脚

3 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能力分档判定管脚

4 VDD P 芯片供电管脚

5 SW P Boost 电路内置 MOS 的漏极管脚

6 GND P 芯片参考地

7 DRAIN P 内置高压 GaN FET 漏极、高压启动供电管脚

■最高工作频率设定

氮化镓电源ic U8726AHE复用CS管脚以设定系统最高工作频率，CS 管脚连接如图所示。芯片启动时，U8726AHE通过检测RSEL电阻从而决定芯片最大工作频率。设定不同的RSEL电阻值即可选择两档不同的系统工作频率上限。选档判定结束后系统锁定，每一次启动都伴随一次判定。推荐的RSEL电阻值与最大工作频率的关系见表。

银联宝氮化镓电源ic U8726AHE可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于30mW的超低待机功耗，负责电能的转换、分配、监控以及整体电能管理，确保设备的稳定运行和高效电能利用，非常适用于宽输出电压的应用场景！