- [公司新闻]PD快充芯片U8732软启动功能保障电源电压平稳上升2025年07月03日 15:23
- 软启动技术的核心在于控制芯片电源电压的平稳上升。银联宝PD快充芯片U8732内部集成有软启动功能，在软启动时间TST(典型值 5ms)内，电流峰值从最小值逐步增加，避免变压器磁芯饱和，系统每次重启都会伴随一次软启动过程。 由于原边功率开关寄生电容、变压器寄生电容和副边整流管反向恢复的原因，功率开关开通瞬间会在采样电阻上产生电压尖刺。为避免驱动信号被错误关闭，PD快充芯片U8732内部集成有前沿消隐功能。在开关管导通之后的TLEB_OCP(典型值 230ns)时间内，峰值电流
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- [公司新闻]银联宝20W快充电源方案：220V单电压和90-264V全电压 通通都有！2025年07月02日 10:22
- ■220V单电压：主控PD快充芯片U8722AH+同步整流IC U7715 PD快充芯片U8722AH集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV(典型值6.2V)。EMI性能为高频交直流转换器的设计难点，为此U8722AH通过DEM管脚集成了驱动电流分档配置功能。通过配置DEM管脚分压电阻值，可以选择不同档位的驱动电流，进而调节GaN FET的开通速度，系统设计者可以获得最优
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- [公司新闻]耐压700V高频高性能准谐振模式PD快充ic U8726AHE2025年06月30日 14:57
- 准谐振芯片广泛应用于便携式设备、快充产品、USB-PD充电器等领域，特别是在高功率密度、低功耗的设计中表现出色。许多准谐振芯片集成了驱动电路、保护电路等功能，减少了外围元件的数量，简化了系统设计。今日推荐：深圳银联宝科技集成E-GaN的高频高性能准谐振模式PD快充icU8726AHE！ ■ 高压启动 PD快充icU8726AHE集成了高压启动功能。如图所示，在启动阶段， U8726AHE通过芯片DRAIN脚对VDD充电， 当VDD电压达到VVDD_ON( 典型值12V)
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- [公司新闻]抗干扰、极简外围的恒压恒功率PD快充芯片U86232025年06月26日 14:55
- 夏天来了，小风扇成了我们手中的避暑神器。在各大购物平台，迷你小风扇的搜索量日益上升，成为酷热高温里的外出必备单品。迷你小风扇的电源配件销量也在猛增。如果你正在找寻一颗优质的充电器芯片，建议了解下深圳银联宝科技的PD快充芯片U8623！ PD快充芯片U8623是一款恒压、恒功率、恒温离线型电流模式PWM电源芯片，内置0.85Ω/650V的超结硅功率MOS。U8623具有全负载高效率、低空载损耗、低EMI干扰和高EMS抗干扰、极少外围应用元件等优点。U8623在一定条件下适用于
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- [公司新闻]PD 40W氮化镓快充电源方案：U8725AHE+U7110W2025年06月26日 10:50
- 芯片替代方案在选型时，需要选择比原芯片参数更多或一样的芯片。如果封装能做到pin to pin，则无需更改PCB设计，否则就要重新设计PCB板，替换的步骤和成本将高许多。如果产品更新换代的速度较快，在选型时就要考虑芯片的可升级性，为以后的长远效益做打算。深圳银联宝科技新推出的PD 40W氮化镓快充电源方案U8725AHE+U7110W，正被采用替代市面上常见的一些料号，感兴趣的小伙伴可以多多了解一下！ 氮化镓快充芯片U8725AHE集成了高压启动功能。如图所示，在启动阶段，
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- [公司新闻]快充电源芯片U872XAH欠压、过压互补防护机制确保用电安全2025年06月25日 11:06
- 欠压保护是指当输入电压低于预设阈值时，自动切断电源输出，避免设备在低压下异常工作或损坏；过压保护是指输入电压超过安全限值时，立即切断输入或关闭输出，防止高压击穿元件。快充电源芯片U872XAH系列有三个档位，输入、输出都具备欠压保护和过压保护性能，有效保障电源安全！ ■输入欠压保护 (BOP) 快充电源芯片U872XAH通过DRAIN管脚对母线电压进行采样，当母线电压值小于BOP保护阈值VBOP(典型值100V) 时，芯片内部的BOP延迟计时使能，计时时间为TBOP_DEL
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- [公司新闻]同步整流芯片U7116W/U7110W快充电源方案参考2025年06月24日 14:57
- 同步整流芯片U711XW系列（U7116W/U7110W）快充电源方案参考： 1.U7116W+U8722DE，可做PD30W快充电源方案；+U8722DH，可做非标PD30W方案；+U8722EE，可做到45W； 2.同步整流芯片U7110W+U8722DE，可做PD30W-36W快充电源方案；+U8722EE，可做50W-60W。 同步整流芯片U7116W/U7110W是一款高频率、高性能、CCM同步整流开关，可以在GaN系统中替代肖特基整流二极管以提高系统效率。U7
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- [公司新闻]36W E-GaN快充电源ic U8609前沿消隐复合保护体系2025年06月23日 11:01
- 前沿消隐是开关电源系统中用于消除功率器件导通瞬间脉冲尖峰引发误触发动作的保护技术。该技术通过在开关管导通后设定特定消隐时间窗口，在此期间屏蔽电流检测信号，避免寄生电容充放电或变压器漏感导致的尖峰电压误触发过流保护机制。现代电源芯片普遍将LEB功能与逐周期限流、退饱和保护等模块集成，形成复合保护体系。一起来看看36W E-GaN快充电源icU8609的前沿消隐是如何发挥作用的！ 由于原边功率开关寄生电容、变压器寄生电容和副边整流管反向恢复的原因，功率开关开通瞬间会在采样电阻上
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- [公司新闻]同步整流芯片U7610X搭配不同主控电源管理芯片方案推介！2025年06月20日 14:39
- 同步整流技术是一种提高电源效率的技术。同步整流技术采用导通电阻极低的功率MOSFET管来代替二极管，以降低整流过程中的能量损耗。深圳银联宝科技推出了多套同步整流芯片U7610X系列快充电源方案，降耗提效，效果显著！ 同步整流芯片U7610B+U8621，推荐功率22.5W！ 电源管理芯片U8621是一款恒压、恒功率、恒温离线型电流模式PWM电源管理芯片,内置1.9Ω/630V的超结硅功率MOS。U8621具有全负载高效率、低空载损耗、低EMI干扰和高EMS抗干扰、极少外围应用
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- [公司新闻]PD快充芯片U8766稳定的电压和频率优化电源设备2025年06月18日 10:11
- 芯片工作频率指芯片内部时钟信号的振荡速率，是芯片性能的重要基础。晶体管导通电阻越小、切换速度越快，信号传输效率越高。PD快充芯片U8766的工作频率最高可达220kHz，可全范围工作在准谐振模式。芯片集成峰值电流抖动功能和驱动电流配置功能，可极大的优化系统EMI性能。U8766内置Boost供电电路，非常适用于宽输出电压的应用场景。 针对宽输出电压应用场合，为了满足VDD的宽电压应用需求，往往需要添加额外的电路或者辅助绕组，导致系统功耗和电路成本的增加。PD快充芯片U876
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- [公司新闻]PD快充A+C口：30W高效率氮化镓电源方案U8722DE+U7110W2025年06月17日 14:40
- A+C口兼容双接口电路，可满足多设备充电需求，还可以兼容传统USB-A设备，接口互补，场景覆盖广，依然是当前充电市场不可忽略的中坚力量。深圳银联宝科技推出的PD快充A+C口：30W高效率氮化镓电源方案U8722DE+U7110W，最大程度简化设计方案，易上手，低成本！ 氮化镓电源ICU8722DE采用峰值电流控制模式，可以自适应的工作在QR和降频工作模式，从而实现全负载功率范围内的效率优化。在满载和重载工况下，系统工作在QR工作模式，可以大幅降低系统的开关损耗。芯片根据FB电
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- [公司新闻]氮化镓快充芯片U8722SP调整封装形式为SOP-8输出20W2025年06月16日 10:51
- 氮化镓快充芯片U8722SP封装形式升级调整为SOP-8，集成完备的保护功能：VDD过压/欠压保护(VDD OVP/UVLO)、输出过压保护(OVP)、输出欠压保护(DEM UVP)、输入过压保护(LOVP)、输入欠压保护(BOP)、片内过热保护(OTP)、逐周期电流限制(OCP)、异常过流保护(AOCP)、短路保护(SCP)、过载保护(OLP)、前沿消隐(LEB)、CS管脚开路保护等。 氮化镓快充芯片U8722SP管脚说明： 1 GND P 芯片参考地 2 CS I/O 电
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- [公司新闻]12v2a快充电源ic U8607完善保护增强防御机制2025年06月12日 14:41
- 电源ic的保护功能，其核心意义在于构建多层次安全防线，确保硬件安全、数据完整及系统可靠性，通过实时监测电流电压，异常时切断电路，减少开关损耗，降低故障率并提升能效。今天介绍的是深圳银联宝科技12v2a快充电源icU8607多种保护功能！ ■ 输入过欠压保护 (Line OVP/BOP) 快充电源icU8607通过DRAIN管脚对母线电压进行采样，当母线电压值小于Line BOP保护阈值VBOP(典型值70Vac)时，芯片内部的Line BOP延迟计时使能，计时时间为TBOP
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- [公司新闻]银联宝快充电源ic U8731满足快速充电硬核需求2025年06月11日 14:15
- 作为苹果全新打造的iOS操作系统，视觉效果确实令人耳目一新，但新界面所带来的耗电量严重、续航时间缩短、机身发热发烫等问题，让体验感大打折扣。无论系统多么炫酷，对于手机而言，电量是血液，手机充电器则是供血站。还好有深圳银联宝科技带来的，集成GaN FET、带恒功率功能的高性能快充电源icU8731，可以让充电效率翻倍，续航升级，一起看看吧！ E-GaN快充电源icU8731特点： ●集成 700V E-GaN ●集成高压启动功能 ●超低启动和工作电流，待机功耗 30mW ●谷
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- [公司新闻]低静态电流快充电源芯片U8621功耗低、待机长2025年06月06日 14:57
- 静态电流是指芯片在不进行任何操作时的电流消耗，如果静态电流低，说明芯片在待机状态下消耗的电能非常少。这种特性使得芯片特别适用于需要长时间运行且耗电量要求较低的场合，如便携式充电器和需要长时间待机的适配器等设备。快充电源芯片U8621的启动电流低至10uA，启动电路的电阻值可以高达4M，这样使电源系统拥有更低的损耗；芯片静态电流低至500uA，使得电源系统设计者更加轻松应对能源之星6或者能效6级的能效标准。 快充电源芯片U8621是一款恒压、恒功率、恒温离线型电流模式PWM
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- [公司新闻]20V单高压带恒功率氮化镓PD快充芯片U8725AHE2025年06月05日 15:07
- 充电器和适配器等快充设备，需匹配高功率密度与宽电压输出范围的快充芯片。深圳银联宝科技推出的20V单高压带恒功率氮化镓PD快充芯片U8725AHE，集成高压启动、功率器件和保护电路，省去外部Boost/Buck电路及分立元件，缩小PCB面积；内置高压E-GaN和Boost供电电路，支持宽电压输出，切莫错过！ PD快充芯片U8725AHE主要特性： 1.集成 高压 E-GaN 2.集成高压启动功能 3.超低启动和工作电流，待机功耗 30mW 4.谷底锁定模式， 最高工作频率两档可
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- [公司新闻]集成MOS耐压700V低启动低功耗的PD快充芯片U8722SP2025年05月30日 14:16
- 耐压值定义了芯片安全工作电压上限，若输入电压超过该值（如动态波动或负载突变），可能引发击穿或永久损坏，直接影响器件可靠性、性能表现及系统适配性。高耐压芯片需更大厚度或更高电阻率的半导体材料，工艺制程要求更高。深圳银联宝科技的PD快充芯片U8722SP是一款集成 E-GaN 的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关，集成MOS耐压700V，值得一试！ PD快充芯片U8722SP集成了高压启动功能。如图1所示，在启动阶段，U8722SP通过芯片DRAIN脚对VDD充电，当VDD电
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- [公司新闻]12v3a原边反馈快充电源ic U8609节省光耦和TL4312025年05月29日 14:48
- GaN FET支持MHz级开关频率，显著高于传统硅基器件，通过减小无源元件体积实现系统小型化，使开关损耗降低20%-30%。深圳银联宝快充电源icU8609合封第三代半导体GaN FET，最高工作频率130kHz，采用原边反馈控制，可节省光耦和TL431，简化电源BOM，有利于降低电源尺寸！ 快充电源icU8609是一款集成E-GaN的恒压恒流PSR反激功率开关管，可为18~65W适配器应用提供全新的解决方案。U8609集成谷底锁定技术可以防止频率抖动产生噪音。它采用CS
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- [公司新闻]ASOP7-T4封装E-GaN快充电源芯片U8724AHS2025年05月29日 11:25
- 芯片的脚位是芯片与外部电路进行连接的桥梁。通过引脚，芯片可以与电路板上的其他组件进行连接，构成完整的电路。引脚用于为芯片提供电源和接地，还可以用于控制和指示芯片的工作状态。今天，就请跟着银联宝小编的视角，一起看看关于快充电源芯片U8724AHS引脚的事！ 快充电源芯片U8724AHS封装形式ASOP7-T4，引脚特征如下： 1 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚 2 FB I 系统反馈输入管脚 3 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能力分档判定管脚
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- [公司新闻]22.5W PD快充电源芯片应用方案之U8621+U7610B2025年05月28日 14:28
- 受限于设备本身的体积和当下电池技术的瓶颈，电池容量无法显著突破，快速“补电”成为了眼下解决电量焦虑的最切实可行的解决办法。深圳银联宝今天推荐的是22.5W快充电源芯片应用方案之——U8621+U7610B！ 快充电源芯片U8621是一款峰值电流控制方式的PWM电源管理芯片，适用于离线型的反激拓扑开关变换器。U8621内置合封一颗1.9Ω/630V的高压MOS。芯片设计有完善的多种保护功能和自适应选择工作模式，使得适用U8621
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