- [公司新闻]氮化镓PD快充ic U8608输入过欠压保护电路安全运行2025年05月19日 11:36
- 过压保护和欠压保护是维护芯片电路安全运行的关键功能。有些芯片会提供一个欠压保护引脚，当欠压保护被触发时，该引脚会产生一个信号。通过检测该引脚的状态，可以判断芯片是否处于欠压保护状态。深圳银联宝氮化镓PD快充icU8608输入过欠压保护 (Line OVP/BOP)，先来看看它的引脚。 PD快充icU8608引脚特征： 1 NTC I/O 外置过温检测管脚 2 COMP I/O 运放输出，在该 pin 脚和 GND 之间连接阻容网络用于调节环路。 3 FB I/O 输出反馈、
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- [公司新闻]氮化镓PD快充芯片U8722DAS可减少高频噪声和应力冲击2025年05月16日 11:48
- 氮化镓PD快充芯片U8722DAS集成轻载SR应力优化功能，在轻载模式下，芯片将原边开通速度减半（如配置为特定驱动电流档位时），减缓开关动作的瞬态变化，从而减小次级侧SR器件的电压尖峰，通过分压电阻设置驱动电流档位（三档可选），平衡EMI性能与效率。低驱动电流档位可降低SR开关速度，减少高频噪声和应力冲击。 氮化镓PD快充芯片U8722DAS特征： ▲集成 高压 E-GaN ▲集成高压启动功能 ▲超低启动和工作电流，待机功耗 30mW ▲谷底锁定模式， 最高工作频率两档可调(
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- [公司新闻]45W集成高压E-GaN快充电源方案U8726AHE+U72692025年05月15日 10:56
- 氮化镓电源电路由于减少了元件数量和功率转换器占用的空间而更具吸引力。深圳银联宝科技作为E-GaN快充电源方案制造商，大量投入工程研发以应对各类技术挑战，为市场提供了各种功率级和多种功能的集成解决方案，今天推荐的是银联宝45W集成高压E-GaN快充电源方案U8726AHE+U7269！ 快充电源芯片U8726AHE集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV (典型值6.4V)。E
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- [公司新闻]30W E-GaN高频高性能快充电源ic U87312025年05月14日 11:14
- GaN器件采用二维电子气结构，能够提供更高的电子迁移率和导电性能，因此适用于高频应用，可以实现更高效的功率转换。深圳银联宝科技研发生产的快充电源icU8731，集成700VE-GaN，高频高性能，推荐工作频率130KHz/220KHz，推荐最大输出功率30W，介绍给小伙伴们！ 快充电源icU8731采用的是HSOP-7封装，管脚说明如下： 1 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚 2 FB I 系统反馈输入管脚 3 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能
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- [公司新闻]氮化镓PD快充芯片U8733集成恒功率与主动降功率多控制功能2025年05月09日 11:32
- 芯片恒功率控制，意味着无论负载变化如何，系统都能保持恒定的输出功率，确保设备在各种工作条件下都能稳定运行。当检测到系统温度过高时，主动降功率功能会启动，以降低系统温度，防止过热。深圳银联宝科技的氮化镓PD快充芯片U8733，就集成了恒功率控制和主动降功率控制功能，一起来看看！ 氮化镓PD快充芯片U8733集成恒功率控制与主动降功率控制功能，在恒功率区间，通过控制输出电流随输出电压变化，实现恒功率功能。外置温度检测环境温度，当温度过高主动降功率以降低系统温度，保证系统稳定
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- [公司新闻]ESOP-10W封装输入欠压保护氮化镓快充芯片U87662025年05月08日 15:14
- 在65W氮化镓快充设计中，输入欠压保护与过压保护协同工作，保障充电头在电网波动时仍能稳定输出，并避免因输入异常导致次级电路损坏。今天介绍的65W全压氮化镓快充芯片U8766，输入欠压保护(BOP)，采用ESOP-10W封装！ 氮化镓快充芯片U8766通过HV管脚对母线电压进行采样，当母线电压值小于BOP保护阈值VBOP (典型值 100V)时，芯片内部的BOP延迟计时使能，计时时间为TBOP_DELAY(典型值 80ms)，计时结束后触发BOP保护。如果母线电压超过BOP恢复
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- [公司新闻]30~65W快充应用CCM同步整流芯片U71062025年05月08日 09:31
- 同步整流芯片U7106采用PDFN5*6封装，是一款高频率、高性能、CCM 同步整流开关，典型应用于30~65W快充，无需辅助绕组供电可稳定工作，可以在GaN系统中替代肖特基整流二极管以提高系统效率。 同步整流芯片U7106电路设计参考如下： 1. 副边主功率回路 Loop1 的面积尽可能小。 2. VDD 电容推荐使用 1μF 的贴片陶瓷电容，尽量紧靠 IC，Loop2的面积尽可能小。 3. HV 到Drain建议串联30~200Ω的电阻，推荐典型值100Ω。HV连接到D
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- [公司新闻]PD 20W氮化镓单电压应用方案：U8722AH+U77152025年05月07日 14:23
- 深圳银联宝科技推出的PD20W氮化镓单电压应用方案，主控芯片使用的是氮化镓快充芯片U8722AH，同步整流芯片U7715，协议338E。输入规格：180V-264V 50Hz，输出规格：C口，PD20W：5V3A / 9V2.22A / 12V1.67A。 氮化镓快充芯片U8722AH特点： 1.集成 700V E-GaN 2.集成高压启动功能 3.超低启动和工作电流，待机功耗 30mW 4.谷底锁定模式， 最高工作频率两档可调(220kHz，130kHz) 5.集
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- [公司新闻]SOP-7封装20W氮化镓快充芯片U8722SP来咯！2025年04月29日 11:14
- 深圳银联宝氮化镓系列又双叒叕上“芯”料啦——U8722SP！氮化镓快充芯片U8722SP采用SOP-7封装，推荐最大输出功率20W，集成MOS耐压700V，典型应用于快速充电器和适配器上，脚位如下： 1 GND P 芯片参考地 2 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚 3 FB I 系统反馈输入管脚 4 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能力分档判定管脚 5 SW P Boost 电路内置 MOS 的漏极
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- [公司新闻]氮化镓快充芯片U8608集成多维度安全防护机制2025年04月28日 14:25
- 深圳银联宝氮化镓快充芯片U8608具有多重故障保护机制，通过集成多维度安全防护，防止设备出现过充电、过放电、过电流等问题，在电子设备中构建起全方位的安全屏障，今天具体分析一下！ ■输入过欠压保护 (Line OVP/BOP) 氮化镓快充芯片U8608通过DRAIN管脚对母线电压进行采样，当母线电压值小于Line BOP 保护阈值VBOP (典型值70Vac)时，芯片内部的Line BOP延迟计时使能，计时时间为TBOP_DELAY(典型值 80ms)，计时结束后触发Lin
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- [公司新闻]25W带恒功率12V单高压氮化镓快充芯片U8723AH2025年04月24日 10:17
- 芯片内置Boost电路将功率开关器件（如MOSFET）、驱动电路、反馈网络等集成于单一封装，省去分立元件布局，显著降低PCB面积需求。深圳银联宝氮化镓快充芯片U8723AH内置Boost供电电路，非常适用于宽输出电压的应用场景。U8723AH集成峰值电流抖动功能和驱动电流配置功能，可极大的优化系统EMI性能！ 氮化镓快充芯片U8723AH特性： ●集成 高压 E-GaN ●集成高压启动功能 ●超低启动和工作电流，待机功耗 30mW ●谷底锁定模式， 最高工作频率两档可调(2
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- [公司新闻]700V/165mΩ HV高压启动频率可调氮化镓快充芯片U87662025年04月23日 14:32
- 700V/165mΩ HV高压启动频率可调氮化镓快充芯片U8766，推荐功率为65W，代表机型有5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A等。 氮化镓快充芯片U8766集成了高压启动功能。在启动阶段，U8766通过芯片HV脚对VDD充电，当VDD电压达到VVDD_ON(典型值 12V)时，高压供电关闭。输出建立后，芯片供电由辅助绕组提供。在启动过程中，当VDD低于3V时，高压供电电路对VDD电容的充电电流为IHV1 (典型值 0.5mA)，小电流充电，可以
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- [公司新闻]700V/365mΩ高压启动GaN快充芯片U86092025年04月21日 14:31
- GaN快充芯片U8609最高工作频率130kHz，700V/365mΩ，采用DASOP-7封装，主推12V3A，合封第三代半导体GaN FET，有利于降低电源尺寸。U8609采用CS Jitter技术，通过调制峰值电流参考值实现频率抖动，以优化系统EMI。 GaN快充芯片U8609复用CS管脚以设定系统最高工作频率，CS管脚连接如图所示。芯片启动时，U8609通过检测RSEL电阻从而决定芯片最大工作频率。设定不同的RSEL电阻值即可选择两档不同的系统工作频率上限。选档判定结束
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- [公司新闻]12V单高压20W-25W氮化镓快充芯片U8722BAS2025年04月18日 14:39
- 氮化镓快充芯片U8722BAS复用CS管脚以设定系统最高工作频率，CS管脚连接如图所示。 芯片启动时，U8722BAS通过检测RSEL电阻从而决定芯片最大工作频率。设定不同的RSEL电阻值即可选择两档不同的系统工作频率上限。选档判定结束后系统锁定，每一次启动都伴随一次判定。 氮化镓快充芯片U8722BAS封装类型 ASOP7-T4，引脚名称如下： 1 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚 2 FB I 系统反馈输入管脚 3 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检
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- [公司新闻]20W恒压、恒功率、恒温离线电源方案U8621+ U7610C2025年04月03日 10:37
- 恒功率一般通过动态补偿和多模式切换等方式实现，通占空比动态调整，确保输入电压波动时输出功率稳定，另外根据FB脚电平自动切换打嗝模式、变频模式、恒功率模式，优化全负载效率。银联宝电源芯片U8621支持快充适配器应用，具有全负载高效率、低空载损耗、低EMI干扰和高EMS抗干扰、极少外围应用元件等优点。再搭配同步整流芯片U7610C，打造出一款优质耐用的20W恒压、恒功率、恒温离线电源方案！ 银联宝电源芯片U8621特性： * 固定 65K 赫兹的开关频率 * 内置抖频技
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- [公司新闻]外置OTP自带降功率氮化镓快充芯片U87322025年04月01日 10:18
- 当设备温度超过设定阈值时，外置OTP功能会自动触发，降低设备功率或关闭设备，以防止过热，这对于保护设备内部组件和延长设备寿命至关重要。在检测到温度升高时，设备会自动降低功率输出，以减少热量产生，从而防止过热。这种功能可以与OTP协同工作，提供双重保护。深圳银联宝氮化镓快充芯片U8732外置OTP自带降功率，单高压30W，一起了解下！ 氮化镓快充芯片U8732特点： 集成 700V E-GaN 集成高压启动功能 超低启动和工作电流，待机功耗 30mW 谷底锁定模式，最高
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- [公司新闻]65W全压700V底部无PAD氮化镓快充芯片U87662025年03月20日 15:32
- 深圳银联宝科技推出的氮化镓快充芯片集成高频高性能准谐振模式，显著降低磁性元件体积，同时通过同步整流技术将效率翻番。比如今天介绍的65W全压700V底部无PAD氮化镓快充芯片U8766，拥有超低启动和工作电流，可实现小于30mW的超低待机功耗，势如破竹！ 氮化镓快充芯片U8766集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV (典型值 6.2V)。EMI性能为高频交直流转换器的
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- [公司新闻]PD快充宽电压应用同步整流芯片U7610B2025年03月19日 10:45
- 同步整流芯片在PD快充领域的应用主要体现在提升效率、降低损耗以及适配小型化设计等方面。深圳银联宝科技同步整流芯片U7610B采用低导阻MOSFET替代传统肖特基二极管，显著降低导通损耗，高集成度设计减少外围元件需求，简化了电路布局！ 在VDD电压上升到VDD开启电压VDD_ON (典型值4.5V)之前，同步整流芯片U7610B处于关机状态。内部Gate智能钳位电路可以保证内置MOSFET不会发生高dv/dt导致的误开通。当VDD电压达到VDD_ON之后，芯片启动，内部控制
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- [公司新闻]集成GaN FET的带恒功率快充电源芯片U8733L2025年03月18日 14:51
- 一些集成GaN FET的芯片能够根据输入电压和负载的变化自动调整工作模式，这种自适应调整可以使芯片在不同的工作条件下都能实现恒功率输出，同时保持较高的效率。深圳银联宝科技推出的集成GaN FET带恒功率快充电源芯片U8733L，可以在充电器使用过程中，根据设备的需求提供合适的功率，提高充电效率！ 快充电源芯片U8733L集成恒功率控制与主动降功率控制功能，在恒功率区间，通过控制输出电流随输出电压变化，实现恒功率功能。外置温度检测环境温度，当温度过高主动降功率以降低系统温度，
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- [公司新闻]35W PD快充芯片U8724AHS宽幅电压输出超稳的2025年02月19日 10:42
- 宽幅电源的输出电压范围一般在85 ~ 265VAC的标准，而普通电源的输出电压范围一般在180V-240V的标准。电源的宽幅越大，输出电压随负载电流变化的程度就越小，输出电压就越稳定。35W PD快充芯片U8724AHS内置Boost供电电路，非常适用于宽输出电压的应用场景。 35W PD快充芯片U8724AHS的工作频率最高可达220kHz，可全范围工作在准谐振模式。芯片集成峰值电流抖动功能和驱动电流配置功能，可极大的优化系统EMI性能。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动
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