前沿消隐是开关电源系统中用于消除功率器件导通瞬间脉冲尖峰引发误触发动作的保护技术。该技术通过在开关管导通后设定特定消隐时间窗口，在此期间屏蔽电流检测信号，避免寄生电容充放电或变压器漏感导致的尖峰电压误触发过流保护机制。现代电源芯片普遍将LEB功能与逐周期限流、退饱和保护等模块集成，形成复合保护体系。一起来看看36W E-GaN快充电源ic U8609的前沿消隐是如何发挥作用的！

由于原边功率开关寄生电容、变压器寄生电容和副边整流管反向恢复的原因，功率开关开通瞬间会在采样电阻上产生电压尖刺。为避免驱动信号被错误关闭，36W E-GaN快充电源ic U8609内部集成有前沿消隐功能。在开关管导通之后的TLEB_OCP(典型值 320ns)时间内，峰值电流比较器不会关闭功率开关。在异常过流保护状态下(AOCP)，为保证系统可靠性，当CS管脚电压达到AOCP保护阈值VCS_AOCP(典型值 -1.2V)时，前沿消隐时间进一步降低到TLEB_AOCP(典型值 130ns)。

36W E-GaN快充电源ic U8609集成谷底锁定技术可以防止频率抖动产生噪音。它采用CS Jitter技术，通过调制峰值电流参考值实现频率抖动，以优化系统EMI。U8609集成有多种保护功能：VDD欠压保护(UVLO)、VDD过压保护(VDD OVP)、输出短路保护(FB SLP)、输出过压保护(FB OVP)、输入过压保护(Line OVP)、输入欠压保护(Line BOP)和过温保护(OTP)等。

在手机充电器的应用中，电池与充电器之间一般会通过一定长度的电缆相连，由此也将导致输送到电池端的电压产生一定的电压降。36W E-GaN快充电源ic U8609内置线损补偿功能，根据负载的变化调整线损补偿量，从而使得线缆输出端获得平直的恒压输出曲线。线损补偿的最大值为输出电压的3%。

有了前沿消隐的36W E-GaN快充电源ic U8609可以不用去加RC滤波电路，有效保证电源芯片的稳定性，避免出现误判导致整个电源系统崩溃，省空间省成本，千万别错过！