12v3a原边反馈快充电源ic U8609节省光耦和TL431
GaN FET支持MHz级开关频率，显著高于传统硅基器件，通过减小无源元件体积实现系统小型化，使开关损耗降低20%-30%。深圳银联宝快充电源ic U8609合封第三代半导体GaN FET，最高工作频率130kHz，采用原边反馈控制，可节省光耦和TL431，简化电源BOM，有利于降低电源尺寸！
快充电源ic U8609是一款集成E-GaN的恒压恒流PSR反激功率开关管，可为18~65W适配器应用提供全新的解决方案。U8609集成谷底锁定技术可以防止频率抖动产生噪音。它采用CS Jitter技术，通过调制峰值电流参考值实现频率抖动，以优化系统EMI。
在手机充电器的应用中，电池与充电器之间一般会通过一定长度的电缆相连，由此也将导致输送到电池端的电压产生一定的电压降。快充电源ic U8609内置线损补偿功能，根据负载的变化调整线损补偿量，从而使得线缆输出端获得平直的恒压输出曲线。线损补偿的最大值为输出电压的3%。
快充电源ic U8609集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV(典型值 6.35V)。EMI性能为高频交直流转换器的设计难点，为此U8609通过DEM管脚集成了驱动电流分档配置功能。通过配置DEM管脚分压电阻值，可以选择不同档位的驱动电流，进而调节GaN FET的开通速度，系统设计者可以获得最优的EMI性能和系统效率的平衡。具体分压电阻值可参照参数表。
快充电源ic U8609内置高压启动电路，省去外部启动电阻，合封GaN功率器件减少驱动电路复杂度，集成谷底锁定QR模式降低开关损耗，可实现全负载功率范围内的效率优化，既降低成本又提高可靠性！
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