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友恩U8623开关电源芯片
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固定65K赫兹的开关频率
内置抖频技术优化EMI
内置斜率补偿的峰值电流控制方式
低空载待机功耗(<75mW@AC230V)
支持恒压、恒功率、恒温输出
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友恩U8621开关电源芯片
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固定65K赫兹的开关频率
内置抖频技术优化EMI
内置斜率补偿的峰值电流控制方式
低空载待机功耗(<75mW@AC230V)
支持恒压、恒功率、恒温输出
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友恩U8733X系列氮化镓电源芯片
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集成高压E-GaN
集成高压启动功能
超低启动和工作电流,待机功耗<30mW
谷底锁定模式,最高工作频率两档可调(220kHz,130kHz)
集成EMI优化技术
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友恩U860X系列氮化镓电源芯片
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集成高压E-GaN
集成高压启动功能
超低启动和工作电流,待机功耗<30mW
谷底锁定模式,最高工作频率两档可调(220kHz,130kHz)
集成EMI优化技术
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友恩U876X系列氮化镓电源芯片
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集成高压E-GaN
集成高压启动功能
超低启动和工作电流,待机功耗<30mW
谷底锁定模式,最高工作频率两档可调(220kHz,130kHz)
集成EMI优化技术
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友恩U872XAH系列氮化镓电源芯片
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集成高压E-GaN
集成高压启动功能
超低启动和工作电流,待机功耗<30mW
谷底锁定模式,最高工作频率两档可调(220kHz,130kHz)
集成EMI优化技术
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友恩U8722XAS系列氮化镓电源芯片
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集成高压E-GaN
集成高压启动功能
超低启动和工作电流,待机功耗<30mW
谷底锁定模式,最高工作频率两档可调(220kHz,130kHz)
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友恩U872XAHS系列氮化镓电源芯片
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集成高压E-GaN
集成高压启动功能
超低启动和工作电流,待机功耗<30mW
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友恩U872XAHE系列氮化镓电源芯片
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集成高压E-GaN
集成高压启动功能
超低启动和工作电流,待机功耗<30mW
谷底锁定模式,最高工作频率两档可调(220kHz,130kHz)
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友恩U873X系列氮化镓电源芯片
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集成高压E-GaN
集成高压启动功能
超低启动和工作电流,待机功耗<30mW
谷底锁定模式,最高工作频率两档可调(220kHz,130kHz)
集成EMI优化技术
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友恩U8722X系列氮化镓电源芯片
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集成高压E-GaN
集成高压启动功能
超低启动和工作电流,待机功耗<30mW
谷底锁定模式,最高工作频率两档可调(220kHz,130kHz)
集成EMI优化技术
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友恩U8722SP氮化镓电源芯片
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集成高压E-GaN
集成高压启动功能
超低启动和工作电流,待机功耗<30mW
谷底锁定模式,最高工作频率两档可调(220kHz,130kHz)
集成EMI优化技术
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同步整流芯片U7711
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反激拓扑副边同步整流功率开关
支持“浮地”和“共地”同步整流两种拓扑
支持断续工作模式 (DCM) 和准谐振工作模式(QR)
<300uA 超低静态电流
内置 VDD 高压供电模块,无需 VDD 辅助绕组供电
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U9918同步整流ic
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反激拓扑副边同步整流功率开关
支持“浮地”和“共地”同步整流两种拓扑
支持断续工作模式 (DCM) 和准谐振工作模式(QR)
<300uA 静态电流
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U7710同步整流芯片
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反激拓扑副边同步整流功率开关
支持“浮地”和“共地”同步整流两种拓扑
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<300uA 静态电流
内置 VDD 高压供电模块,无需 VDD 辅助绕组供电
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PD60W 单C口 快充方案
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支持多达五档 FPDO
支持多达二档 APDO
支持 QC2.0/3.0,BC1.2 DCP 等充电协议
支持 AFC 和 FCP 快充协议
支持 USB Type-C 1.2 和 USB PD3.0 标准
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60W PD 单C口 快充方案
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支持多达五档 FPDO
支持多达二档 APDO
支持 QC2.0/3.0,BC1.2 DCP 等充电协议
支持 AFC 和 FCP 快充协议
支持 USB Type-C 1.2 和 USB PD3.0 标准
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18W QC3.0 快充方案
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支持华为 FCP 快速充电协议
支持三星 AFC 快速充电协议
支持高通 QC3.0/QC2.0 快速充电协议
支持在D+和D-加载2.7V电压的USB DCP,
可为苹果设备提供大 2.4A 充电电流
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苹果18W PD 单C口 快充方案
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支持 Quick Charge 3.0/2.0 协议
支持华为 FCP/SCP 协议
支持三星 AFC 协议
支持 USB BC1.2 DCP
支持 Apple 2.4A 充电规范