功能描述

U771X 是一款用于替代 Flyback 副边肖特基二极管的高性能同步整流开关， 内置导通阻抗功率MOSFET 以提升系统效率。U771X 支持“浮地”和“共地”同步整流两种架构， 也支持系统断续工作模式(DCM) 和准谐振工作模式 (QR)。U771X 集成有 VDD 欠压保护功能和 VDD 电压钳位。U771X 内置 VDD 高压供电模块，无需 VDD 辅助绕组供电，减低了系统成本。

7.1V 稳压器

在原边 MOSFET 导通期间，IC 内部 7.1V 稳压器将从其 Drain 管脚抽取电流向 VDD 供电，以使 VDD 电压恒定在 7.1V 左右。基于高频解耦和供电考虑， 推荐选取容量为 1uF 的陶瓷电容作为 VDD 电容。

系统启动

系统开机以后，芯片内部高压 LDO 从 Drain 管脚抽取电流向 VDD 电容供电。

当  VDD  电压低于欠压保护阈值后（3.1V  典型值），芯片进入睡眠模式，同时内部同步整流 MOSFET 进入关断状态，副边绕组电流经内部同步整流 MOSFET 的体二极管实现续流。当 VDD 电压高于 VDD 开启电压后（4V  典型值），芯片开始工作。芯片内部同步整流 MOSFET 只在副边续流期间才能开通。

开通阶段

初始阶段同步整流 MOSFET 处于关闭状态，副边电流经 MOSFET 体二极管实现续流，同时在体二极管两端形成一负向 Vds 电压 (<-500mV)。该负向 Vds 电压远小于 U771X 内部 MOSFET 开启检测阈值， 故经过开通延迟（Td_on，约 200ns）后内部 MOSFET 开通

关断阶段

在同步整流 MOSFET 导通期间， U771X 采样MOSFET 漏-源两端电压 (Vds)。当 Vds 电压高于MOSFET 关断阈值，内部 MOSFET 将在关断延迟

前沿消隐 (LEB)

在内部同步整流 MOSFET 开通瞬间， 芯片漏- 源(Drain-Source) 之间会产生电压尖峰。为避免此类电压尖峰干扰系统正常工作导致芯片误动作，芯片内部集成有前沿消隐电路 (LEB)。在 LEB 时间（约 1us） 内，关断比较器被屏蔽， 无法关断内部同步整流MOSFET，直消隐时间结束

封装信息 SOP-8