EMI性能为高频交直流转换器的设计难点，为此氮化镓电源芯片U8726AHE通过DEM管脚集成了驱动电流分档配置功能。通过配置DEM管脚分压电阻值，可以选择不同档位的驱动电流，进而调节GaN FET的开通速度，系统设计者可以获得最优的EMI性能和系统效率的平衡。

氮化镓电源芯片U8726AHE引脚：

1 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚

2 FB I 系统反馈输入管脚

3 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能力分档判定管脚

4 VDD P 芯片供电管脚

5 SW P Boost 电路内置 MOS 的漏极管脚

6 GND P 芯片参考地

7 DRAIN P 内置高压 GaN FET 漏极、高压启动供电管脚

氮化镓电源芯片U8726AHE特点：

1. 集成 高压 E-GaN

2. 集成高压启动功能

3. 超低启动和工作电流，待机功耗 <30mW

4. 谷底锁定模式， 最高工作频率两档可调(220kHz，130kHz)

5. 集成 EMI 优化技术

6. 驱动电流分档配置

7. 集成 Boost 供电电路

8. 集成完备的保护功能：

 VDD 过压/欠压保护 (VDD OVP/UVLO)

输出过压/欠压保护 (DEM OVP/UVP)

输入过压/欠压保护 (LOVP /BOP)

片内过热保护 (OTP)

逐周期电流限制 (OCP)

异常过流保护 (AOCP)

短路保护 (SCP)

过载保护 (OLP)

前沿消隐 (LEB)

CS 管脚开路保护

9. 封装类型 ESOP-7

氮化镓电源芯片U8726AHE集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV (典型值 6.4V)。U8726AHE还集成轻载SR应力优化功能，在驱动电流配置为第一、第二、第三档位时，当芯片工作于轻载模式时，将原边开通速度减半，减小空载时SR的Vds应力过冲。