700V/365mΩ高压启动GaN快充芯片U8609

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浏览：- 发布日期：2025-04-21 14:31:10【大中小】

GaN快充芯片U8609最高工作频率130kHz，700V/365mΩ，采用DASOP-7封装，主推12V3A，合封第三代半导体GaN FET，有利于降低电源尺寸。U8609采用CS Jitter技术，通过调制峰值电流参考值实现频率抖动，以优化系统EMI。

GaN快充芯片U8609复用CS管脚以设定系统最高工作频率，CS管脚连接如图所示。芯片启动时，U8609通过检测RSEL电阻从而决定芯片最大工作频率。设定不同的RSEL电阻值即可选择两档不同的系统工作频率上限。选档判定结束后系统锁定，每一次启动都伴随一次判定。

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在手机充电器的应用中，电池与充电器之间一般会通过一定长度的电缆相连，由此也将导致输送到电池端的电压产生一定的电压降。GaN快充芯片U8609内置线损补偿功能，根据负载的变化调整线损补偿量，从而使得线缆输出端获得平直的恒压输出曲线。线损补偿的最大值为输出电压的3%。

GaN快充芯片U8609集成外置NTC功能，NTC引脚外接NTC电阻，通过内部上拉电流源上拉，检测NTC引脚电压，当判定NTC管脚电压小于VOTP时，触发过温保护功能。过温保护设置0.1V的迟滞区间。

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系统异常状态下(如副边整流管短路，变压器绕组短路)，当功率开关的峰值电流达到AOCP的阈值VCS_AOCP (典型值 -1.2V)时，系统进入AOCP保护模式，降低系统开关频率，如果连续三个开关周期触发AOCP状态后，GaN快充芯片U8609系统进入自动重启保护模式保护模式。

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