氮化镓凭借高频高效特性，具备了体积小、功率高、发热低等优势，但小型化虽好，散热才是硬道理，选氮化镓电源ic得看准散热设计。今天就给小伙伴们推荐一款散热性能优越、耐压700V的氮化镓电源ic U8765！

当氮化镓电源ic U8765结温超过TSD (典型值150℃)时，芯片停止工作，进入过热保护。当芯片温度下降至TRC (典型值 120℃)，芯片重新启动。U8765封装类型ESOP-10W，引脚分析如下：

1 HV P 高压启动管脚

2 DRAIN P GaN FET 漏极引脚

3 Source P GaN FET 源极引脚

4 GND P 芯片参考地

5 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚

6 FB I 系统反馈输入管脚

7 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测

8 VDD P 芯片供电管脚

9 SW P Boost 电路内置 MOS 的漏极管脚

10 NC -

氮化镓电源ic U8765主要特性：

* 集成高压 E-GaN

* 集成高压启动功能

* 超低启动和工作电流，待机功耗 <30mW

* 谷底锁定模式， 最高工作频率两档可调(220kHz，130kHz)

* 集成 EMI 优化技术

* 驱动电流分档配置

* 集成 Boost 供电电路

* 集成完备的保护功能：VDD 过压/欠压保护 (VDD OVP/UVLO)、输出过压保护 (OVP)、输入欠压保护 (BOP)、片内过热保护 (OTP)、逐周期电流限制 (OCP)、异常过流保护 (AOCP)、短路保护 (SCP)、过载保护 (OLP)、过流保护 (SOCP)、前沿消隐 (LEB)、CS 管脚开路保护

氮化镓电源ic U8765能够有效散热，提高产品的可靠性和长寿命。U8765的工作频率最高可达220kHz，可全范围工作在准谐振模式。芯片集成峰值电流抖动功能和驱动电流配置功能，可极大的优化系统EMI性能。芯片内置Boost供电电路，非常适用于宽输出电压的应用场景！