QR模式在反激电源中被称为准谐振反激模式，是DCM（不连续导电模式）的一种。它是指在磁芯能量完全释放完毕后，变压器的初级电感和MOS的结电容进行谐振，当MOS结电容放电到最低值时，初级开关管导通。此模式是集DCM的优点及大部分缺点于一起，只是把其中的一项缺点做了优化从而变成了优点。就是加了谷底检测功能，改善MOS的开通损耗，从而改善效率。深圳银联宝今天推荐的是集成E-GaN的QR模式PSR反激功率开关电源芯片U8607！

开关电源芯片U8607是一款集成E-GaN的恒压恒流PSR反激功率开关管，可为18~65W适配器应用提供全新的解决方案。U8607采用原边反馈控制，可节省光耦和TL431，简化电源BOM。它合封第三代半导体GaN FET，最高工作频率130kHz，有利于降低电源尺寸。

开关电源芯片U8607主要特性：

● 原边反馈控制，无需光耦和 TL431

● 集成 700V GaN FET 驱动

● 集成高压启动功能

● 谷底锁定 QR 模式

● 最高工作频率 130kHz

● 外置环路补偿

● 驱动电流分档配置

● 内置线损补偿

● 集成完善的保护功能

输出短路保护 (FB SLP)

输出过压保护 (FB OVP)

输入欠压保护 (Line BOP)

输出过压保护 (Line OVP)

过温保护 (OTP)

VDD 过欠压保护和钳位保护

● 封装形式 ASOP7-T4

开关电源芯片U8607集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV (典型值6.25V)。EMI性能为高频交直流转换器的设计难点，为此U8607通过DEM管脚集成了驱动电流分档配置功能。通过配置 DEM管脚分压电阻值，可以选择不同档位的驱动电流，进而调节GaN FET的开通速度，系统设计者可以获得最优的EMI性能和系统效率的平衡。具体分压电阻值可参照参数表。

开关电源芯片U8607采用峰值电流控制模式，可以自适应的工作在QR和降频工作模式，从而实现全负载功率范围内的效率优化。在满载和重载工况下，系统工作在QR工作模式，可以大幅降低系统的开关损耗。芯片根据FB电压值调节谷底个数，同时为了避免系统在临界负载处的FB电压波动导致谷底数跳变，产生噪音，U8607采用了谷底锁定工作模式，在负载一定的情况下，导通谷底数稳定，系统无噪音！