超结功率MOSFET在高电压开关应用中占据主导地位，适用于需要高效能和紧凑设计的场合。超结结构能够在保持高电压的同时实现低导通电阻，突破了传统硅极限，超结MOSFET中的电荷平衡特性，能够设计更薄、掺杂更多的区域，实现更快的开关速度，降低开关损耗，提高效率。深圳银联宝内置合封一颗1.9Ω/630V的高压MOS开关电源芯片U8621，在175V--264Vac推荐22.5W，85V-264Vac推荐18W，一起了解下！

开关电源芯片U8621拥有自适应工作模式，根据FB脚电平自动匹配工作模式，当FB电平低于1.1V时，芯片进入打嗝工作模式，此模式下芯片工作频率为25KHz，最小导通时间为1.2uS；当FB电平低于1.7V 时，芯片进入变频模式，此模式下芯片工作频率在25K-65K变动，驱动高电平时间由FB和CS电平控制；当FB电平大于3.7V时，芯片进入恒功率模式，此时芯片工作频率为65KHz，PWM占空比由对应的VOCP控制。

开关电源芯片U8621管脚说明：

1 GND 芯片内部电路电位基准引脚

2 VCC 芯片内部电路供电引脚

3 FB 输出反馈输脚，芯片 PWM 输出的频率和占空比由FB 和CS 控制

4 CS 电感峰值电流采样输入引脚

5/6/7/8 PD 内置高压功率 MOS 的漏极

开关电源芯片U8621主要特点：

▲ 固定 65K 赫兹的开关频率

▲ 内置抖频技术优化EMI

▲ 根据负载大小自适应多种工作模式包括打嗝模式、绿色节能模式和定频PWM工作模式

▲ 内置斜率补偿的峰值电流控制方式

▲ 内置过流点补偿优化宽输入电压范围内最大输出功率的一致性

▲ 内置前沿消隐技术

▲ 低空载待机功耗（<75mW@AC230V）

▲ 支持恒压、恒功率、恒温输出

▲ 内置软启动技术

▲ 内置集成多种自保护功能，包括VCC 欠压保护功能（UVLO）、VCC 过压保护功能（OVP）、逐周期限流功能（OCP）、恒温输出功能（OTP-L）、CS 引脚开路保护功能

同时，开关电源芯片U8621高达630V的耐压能力，使得芯片能够轻松应对输入电压的波动，确保在各种复杂的供电环境下都能正常工作。无论是电网电压的瞬间升高，还是雷击等极端情况引发的电压冲击，U8621芯片内置的超结硅功率MOS都能为芯片提供可靠的保护，让设备免受损坏，稳定运行！