一些集成GaN FET的芯片能够根据输入电压和负载的变化自动调整工作模式，这种自适应调整可以使芯片在不同的工作条件下都能实现恒功率输出，同时保持较高的效率。深圳银联宝科技推出的集成GaN FET带恒功率快充电源芯片U8733L，可以在充电器使用过程中，根据设备的需求提供合适的功率，提高充电效率！

快充电源芯片U8733L集成恒功率控制与主动降功率控制功能，在恒功率区间，通过控制输出电流随输出电压变化，实现恒功率功能。外置温度检测环境温度，当温度过高主动降功率以降低系统温度，保证系统稳定可靠工作。

快充电源芯片U8733L集成GaN耐压650V，封装形式也与U8733 ESOP-7不同，采用HSOP-7封装，具体脚位如下：

1 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚

2 FB I 系统反馈输入管脚

3 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能力分档判定管脚

4 NTC I/O 外置温度检测，过温降功率和过温保护功能。

5 GND P 芯片参考地

6 VDD P 芯片供电管脚

7 DRAIN P 内置高压 GaN FET 漏极、高压启动供电管脚

由于原边功率开关寄生电容、变压器寄生电容和副边整流管反向恢复的原因，功率开关开通瞬间会在采样电阻上产生电压尖刺。为避免驱动信号被错误关闭，快充电源芯片U8733L内部集成有前沿消隐功能。在开关管导通之后的TLEB_OCP(典型值 230ns)时间内，峰值电流比较器不会关闭功率开关。在异常过流保护状态下(AOCP)，为保证系统可靠性，当CS管脚电压达到AOCP保护阈值VCS_AOCP(典型值 -1.2V)时，前沿消隐时间进一步降低到TLEB_AOCP(典型值 130ns)。

快充电源芯片U8733L复用CS管脚以设定系统最高工作频率，芯片启动时，U8733L通过检测RSEL电阻从而决定芯片最大工作频率。设定不同的RSEL电阻值即可选择两档不同的系统工作频率上限。选档判定结束后系统锁定，每一次启动都伴随一次判定。U8733L内部集成有软启动功能，在软启动时间TST(典型值5ms)内，电流峰值从最小值逐步增加，避免变压器磁芯饱和，系统每次重启都会伴随一次软启动过程。