驱动电流分档功能是指通过配置不同的分压电阻值来调节驱动电流的档位，从而优化系统的EMI性能和效率。这种功能通常集成在电源管理芯片中，如电源管理芯片U8733，集成E-GaN和驱动电流分档功能，采用此芯片，系统设计者可以根据具体需求选择最优的工作模式，减少电磁干扰（EMI），同时优化系统的整体性能和待机功耗。

电源管理芯片U8733集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV (典型值 6.4V)。EMI性能为高频交直流转换器的设计难点，为此U8733通过DEM管脚集成了驱动电流分档配置功能。通过配置DEM管脚分压电阻值，可以选择不同档位的驱动电流，进而调节GaN FET的开通速度，系统设计者可以获得最优的EMI性能和系统效率的平衡。具体分压电阻值可参照参数表。U8733系列还集成轻载SR应力优化功能，在驱动电流配置为第一、第二、第三档位时，当芯片工作于轻载模式时，将原边开通速度减半，减小空载时SR的Vds应力过冲。

电源管理芯片U8733采用ESOP-7封装，具体脚位如下：

1 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚

2 FB I 系统反馈输入管脚

3 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP /UVP 检测、驱动能力分档判定管脚

4 VDD P 芯片供电管脚

5 NTC I/O 外置温度检测，过温降功率和过温保护功能。

6、7 GND P 芯片参考地

8 DRAIN P 内置高压 GaN FET 漏极、高压启动供电管脚

电源管理芯片U8733还是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关，可以让充电器在体积缩小的情况下，依然能够提供较高的充电功率，相比传统充电器，体积大幅减小，但充电速度却更快，为人们的生活带来了极大便利，可以一试！