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原边15W开关电源芯片 SF5938S
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效率满足六级能效要求
原边反馈/内置600V 功率MOSFET
内置反馈脚(FB)短路保护
内置专利的线损补偿,提高量产精度
内置快速动态响应控制
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
内置软启动,启动电流,管脚浮空保护
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
支持高50V 输出电压
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原边13W开关电源芯片 SF6773V
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效率满足六级能效要求
原边反馈/内置650V 功率MOSFET
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护
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副边50W开关电源芯片 SF5773
品牌：银联宝电子更多 +
型号：SF5773 SSR控制模式，
±5% 的恒压精度。
副边反馈/外驱MOSFET
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求,待机＜75mW。
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副边15W开关电源芯片 SF5539H
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效率满足六级能效要求
副边反馈/内置600V 功率MOSFET
内置65KHz 工作频率
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
内置频率抖动EMI
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18W系列12V1.5A能效六级方案
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效率满足六级能效要求
内置650V 功率MOSFET
内置65KHz 工作频率
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
电流启动
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
内置频率抖动EMI
内置逐周期电流限制, 内置前沿消隐
内置高低压过流补偿实现全电压平坦OCP曲线
VDD欠压保护(ULVO), 过压保护及钳位
OLP可编程
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10W系列5V2A能效六级方案
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效率满足六级能效要求
内置650V 功率MOSFET
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护
零电压带载启动减小OCP恢复间隙
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
±5％恒压恒流精度
内置反馈脚(FB)短路保护
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10W系列 5V2A能效六级方案
±4％恒压恒流精度，多模式PSR控制。更多 +
内置频率抖动EMI。
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求。
内置高低压过流补偿。
内置快速动态响应控制，无异音工作。
输出过压保护，VDD欠压保护，VDD过压保护及钳位。
QR-PSR控制提高工作效率。
内置600V 功率MOSFET
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12W系列 5V2.4A能效六级方案
更多 +
效率满足六级能效要求
内置650V 功率MOSFET
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护
零电压带载启动减小OCP恢复间隙
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
±5％恒压恒流精度
内置反馈脚(FB)短路保护
- [公司新闻]5v2a小体积、高效率开关电源应用方案U7711C+U9513B2025年08月14日 10:05
- 在隔离电源设计中，同步整流芯片的应用显得尤为重要。隔离电源需要通过变压器实现输入与输出的电气隔离，以确保安全。而在这个过程中，整流环节是不可或缺的。传统的二极管整流虽然简单，但效率较低，发热严重。同步整流芯片的应用，则能显著提升整流效率，降低发热，提高电源的可靠性和稳定性。 银联宝同步整流芯片U7711C是一款用于替代反激变换器中副边肖特基二极管的低成本、高性能同步整流功率开关，内置超低导通阻抗功率MOSFET以提升系统效率。U7711C支持Low Side配置，采用输出直接
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- [公司新闻]多模式高性能准谐振式原边控制快充电源芯片U6218C2025年08月13日 15:11
- 快速充电器的原边(初级)调节的反馈信号不是直接取自于输出电压，而是取自于和输出电压保持一定比例关系的辅助绕组或原边初级主绕组，不需要隔离光耦，布局简单，成本低。快充电源芯片U6218C是一款高性能准谐振式原边控制功率开关，尤其适合于充电器应用。在满载输出条件下，U6218C在全部输入电压范围内均工作在准谐振模式，以此获得优异的效率和温升性能。 快充电源芯片U6218C特征： 1.集成功率MOSFET 2.高效率准谐振式原边控制 3.高精度恒压、恒流输出 4.待机功耗75mW
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- [公司新闻]超结硅功率MOS电源管理ic U8623+同步整流ic U7610A方案2025年08月01日 11:21
- 在相同650V耐压下，超结MOS的导通电阻（85mΩ）仅为传统器件（200mΩ）的约42%，开关频率上限提升至100kHz（传统为50kHz）。超结MOS相较于传统MOSFET，效率提升显著。今天推荐的电源方案，是来自深圳银联宝科技内置0.85Ω/650V的超结硅功率MOS电源管理icU8623+同步整流icU7610A！ 电源管理icU8623是一款恒压、恒功率、恒温离线型电流模式PWM电源管理芯片，内置0.85Ω/650V的超结硅功率MOS。U8623具有全负载高效率、
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- [公司新闻]抗干扰、极简外围的恒压恒功率PD快充芯片U86232025年06月26日 14:55
- 夏天来了，小风扇成了我们手中的避暑神器。在各大购物平台，迷你小风扇的搜索量日益上升，成为酷热高温里的外出必备单品。迷你小风扇的电源配件销量也在猛增。如果你正在找寻一颗优质的充电器芯片，建议了解下深圳银联宝科技的PD快充芯片U8623！ PD快充芯片U8623是一款恒压、恒功率、恒温离线型电流模式PWM电源芯片，内置0.85Ω/650V的超结硅功率MOS。U8623具有全负载高效率、低空载损耗、低EMI干扰和高EMS抗干扰、极少外围应用元件等优点。U8623在一定条件下适用于
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- [公司新闻]同步整流芯片U7610X搭配不同主控电源管理芯片方案推介！2025年06月20日 14:39
- 同步整流技术是一种提高电源效率的技术。同步整流技术采用导通电阻极低的功率MOSFET管来代替二极管，以降低整流过程中的能量损耗。深圳银联宝科技推出了多套同步整流芯片U7610X系列快充电源方案，降耗提效，效果显著！ 同步整流芯片U7610B+U8621，推荐功率22.5W！ 电源管理芯片U8621是一款恒压、恒功率、恒温离线型电流模式PWM电源管理芯片,内置1.9Ω/630V的超结硅功率MOS。U8621具有全负载高效率、低空载损耗、低EMI干扰和高EMS抗干扰、极少外围应用
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- [公司新闻]同步整流芯片U771XC系列型号包含：U7710SMC、U7710C、U7711C2025年06月10日 10:33
- 典型应用在反激变换器、充电器领域的高性能同步整流芯片U771XC系列，包含了U7710SMC、U7710C、U7711C这三个型号，主要差异表现在内部MOSFET导通阻抗不同，分别为U7710SMC-25m?、U7710C-19m?、U7711C-15m?，主要性能一起了解下！ ■产品描述 同步整流芯片U771XC是一款用于替代反激变换器中副边肖特基二极管的低成本、高性能同步整流功率开关，内置超低导通阻抗功率MOSFET以提升系统效率。U771XC支持Low Side配置，
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- [公司新闻]内置0.85/650V的超结硅电机驱动器电源芯片U86232025年06月03日 11:38
- ■功能描述 电机驱动器电源芯片U8623是一款峰值电流控制方式的PWM电源管理芯片，适用于离线型的反激拓扑开关变换器。U8623内置合封一颗0.85Ω/650V的高压MOS。芯片设计有完善的多种保护功能和自适应选择工作模式，使得适用U8623的电源系统具有全负载高效率、低空载损耗、低EMI干扰和高EMS抗干扰、极少外围应用元件。 ■系统启动和静态电流 电机驱动器电源芯片U8623的启动电流低至10uA，启动电路的电阻值可以高达4M，这样使电源系统拥有更低的损耗；芯片静态电流
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- [公司新闻]集成MOS耐压700V低启动低功耗的PD快充芯片U8722SP2025年05月30日 14:16
- 耐压值定义了芯片安全工作电压上限，若输入电压超过该值（如动态波动或负载突变），可能引发击穿或永久损坏，直接影响器件可靠性、性能表现及系统适配性。高耐压芯片需更大厚度或更高电阻率的半导体材料，工艺制程要求更高。深圳银联宝科技的PD快充芯片U8722SP是一款集成 E-GaN 的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关，集成MOS耐压700V，值得一试！ PD快充芯片U8722SP集成了高压启动功能。如图1所示，在启动阶段，U8722SP通过芯片DRAIN脚对VDD充电，当VDD电
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- [公司新闻]22.5W PD快充电源芯片应用方案之U8621+U7610B2025年05月28日 14:28
- 受限于设备本身的体积和当下电池技术的瓶颈，电池容量无法显著突破，快速“补电”成为了眼下解决电量焦虑的最切实可行的解决办法。深圳银联宝今天推荐的是22.5W快充电源芯片应用方案之——U8621+U7610B！ 快充电源芯片U8621是一款峰值电流控制方式的PWM电源管理芯片，适用于离线型的反激拓扑开关变换器。U8621内置合封一颗1.9Ω/630V的高压MOS。芯片设计有完善的多种保护功能和自适应选择工作模式，使得适用U8621
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- [公司新闻]65W集成EMI优化技术的E-GaN电源芯片U8722FE2025年05月22日 14:24
- E-GaN电源芯片U8722FE是U8722X系列最新增加的型号，ID(A)(TJ=125℃)4.0，耐压700V，推荐功率60W，采用的是ESOP-7封装，具体脚位如下： 1 CSI/O 电流采样输入、最高频率选择管脚 2 FB P 系统反馈输入管脚 3 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能力分档判定管脚 4 VDD P 芯片供电管脚 5 SW P Boost 电路内置 MOS 的漏极管脚 6,7 GND P 芯片参考地 8 DRAIN P 内置高压 GaN
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- [公司新闻]33W全负载高效率超结硅电源管理方案：U8623+U7612B2025年05月12日 14:49
- 由于芯片结构的改变，超结MOS的结电容比传统MOS有很大的降低，超结MOS具有极低的内阻，在相同的芯片面积下，超结MOS芯片的内阻甚至只有传统MOS的一半以上。较低的内阻，能降低损耗，减少发热。今天深圳银联宝科技带来的是33W全负载高效率超结硅电源管理方案：U8623+U7612B，可显著提升产品的易用性和效率！ 电源管理芯片U8623是一款恒压、恒功率、恒温离线型电流模式PWM 电源管理芯片，内置0.85Ω/650V的超结硅功率 MOS。U8623具有全负载高效率、低空载
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- [公司新闻]SOP-7封装20W氮化镓快充芯片U8722SP来咯！2025年04月29日 11:14
- 深圳银联宝氮化镓系列又双叒叕上“芯”料啦——U8722SP！氮化镓快充芯片U8722SP采用SOP-7封装，推荐最大输出功率20W，集成MOS耐压700V，典型应用于快速充电器和适配器上，脚位如下： 1 GND P 芯片参考地 2 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚 3 FB I 系统反馈输入管脚 4 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能力分档判定管脚 5 SW P Boost 电路内置 MOS 的漏极
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