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原边15W开关电源芯片 SF5938S
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效率满足六级能效要求
原边反馈/内置600V 功率MOSFET
内置反馈脚(FB)短路保护
内置专利的线损补偿,提高量产精度
内置快速动态响应控制
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
内置软启动,启动电流,管脚浮空保护
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
支持高50V 输出电压
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原边13W开关电源芯片 SF6773V
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效率满足六级能效要求
原边反馈/内置650V 功率MOSFET
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
内置软启动,启动电流,管脚浮空保护
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副边50W开关电源芯片 SF5773
品牌:银联宝电子更多 +
型号:SF5773 SSR控制模式,
±5% 的恒压精度。
副边反馈/外驱MOSFET
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求,待机<75mW。
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副边15W开关电源芯片 SF5539H
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效率满足六级能效要求
副边反馈/内置600V 功率MOSFET
内置65KHz 工作频率
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
内置频率抖动EMI
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18W系列12V1.5A能效六级方案
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效率满足六级能效要求
内置650V 功率MOSFET
内置65KHz 工作频率
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
电流启动
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
内置频率抖动EMI
内置逐周期电流限制, 内置前沿消隐
内置高低压过流补偿实现全电压平坦OCP曲线
VDD欠压保护(ULVO), 过压保护及钳位
OLP可编程
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10W系列5V2A能效六级方案
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效率满足六级能效要求
内置650V 功率MOSFET
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
内置软启动,启动电流,管脚浮空保护
零电压带载启动减小OCP恢复间隙
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
±5%恒压恒流精度
内置反馈脚(FB)短路保护
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10W系列 5V2A能效六级方案
±4%恒压恒流精度,多模式PSR控制。更多 +
内置频率抖动EMI。
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求。
内置高低压过流补偿。
内置快速动态响应控制,无异音工作。
输出过压保护,VDD欠压保护,VDD过压保护及钳位。
QR-PSR控制提高工作效率。
内置600V 功率MOSFET
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12W系列 5V2.4A能效六级方案
更多 +
效率满足六级能效要求
内置650V 功率MOSFET
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
内置软启动,启动电流,管脚浮空保护
零电压带载启动减小OCP恢复间隙
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
±5%恒压恒流精度
内置反馈脚(FB)短路保护
- [公司新闻]同步整流芯片U771XC系列型号包含:U7710SMC、U7710C、U7711C2025年06月10日 10:33
- 典型应用在反激变换器、充电器领域的高性能同步整流芯片U771XC系列,包含了U7710SMC、U7710C、U7711C这三个型号,主要差异表现在内部MOSFET导通阻抗不同,分别为U7710SMC-25m?、U7710C-19m?、U7711C-15m?,主要性能一起了解下! ■产品描述 同步整流芯片U771XC是一款用于替代反激变换器中副边肖特基二极管的低成本、高性能同步整流功率开关,内置超低导通阻抗功率MOSFET以提升系统效率。U771XC支持Low Side配置,
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- [公司新闻]内置0.85/650V的超结硅电机驱动器电源芯片U86232025年06月03日 11:38
- ■功能描述 电机驱动器电源芯片U8623是一款峰值电流控制方式的PWM电源管理芯片,适用于离线型的反激拓扑开关变换器。U8623内置合封一颗0.85Ω/650V的高压MOS。芯片设计有完善的多种保护功能和自适应选择工作模式,使得适用U8623的电源系统具有全负载高效率、低空载损耗、低EMI干扰和高EMS抗干扰、极少外围应用元件。 ■系统启动和静态电流 电机驱动器电源芯片U8623的启动电流低至10uA,启动电路的电阻值可以高达4M,这样使电源系统拥有更低的损耗;芯片静态电流
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- [公司新闻]集成MOS耐压700V低启动低功耗的PD快充芯片U8722SP2025年05月30日 14:16
- 耐压值定义了芯片安全工作电压上限,若输入电压超过该值(如动态波动或负载突变),可能引发击穿或永久损坏,直接影响器件可靠性、性能表现及系统适配性。高耐压芯片需更大厚度或更高电阻率的半导体材料,工艺制程要求更高。深圳银联宝科技的PD快充芯片U8722SP是一款集成 E-GaN 的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关,集成MOS耐压700V,值得一试! PD快充芯片U8722SP集成了高压启动功能。如图1所示,在启动阶段,U8722SP通过芯片DRAIN脚对VDD充电,当VDD电
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- [公司新闻]22.5W PD快充电源芯片应用方案之U8621+U7610B2025年05月28日 14:28
- 受限于设备本身的体积和当下电池技术的瓶颈,电池容量无法显著突破,快速“补电”成为了眼下解决电量焦虑的最切实可行的解决办法。深圳银联宝今天推荐的是22.5W快充电源芯片应用方案之——U8621+U7610B! 快充电源芯片U8621是一款峰值电流控制方式的PWM电源管理芯片,适用于离线型的反激拓扑开关变换器。U8621内置合封一颗1.9Ω/630V的高压MOS。芯片设计有完善的多种保护功能和自适应选择工作模式,使得适用U8621
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- [公司新闻]65W集成EMI优化技术的E-GaN电源芯片U8722FE2025年05月22日 14:24
- E-GaN电源芯片U8722FE是U8722X系列最新增加的型号,ID(A)(TJ=125℃)4.0,耐压700V,推荐功率60W,采用的是ESOP-7封装,具体脚位如下: 1 CSI/O 电流采样输入、最高频率选择管脚 2 FB P 系统反馈输入管脚 3 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能力分档判定管脚 4 VDD P 芯片供电管脚 5 SW P Boost 电路内置 MOS 的漏极管脚 6,7 GND P 芯片参考地 8 DRAIN P 内置高压 GaN
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- [公司新闻]33W全负载高效率超结硅电源管理方案:U8623+U7612B2025年05月12日 14:49
- 由于芯片结构的改变,超结MOS的结电容比传统MOS有很大的降低,超结MOS具有极低的内阻,在相同的芯片面积下,超结MOS芯片的内阻甚至只有传统MOS的一半以上。较低的内阻,能降低损耗,减少发热。今天深圳银联宝科技带来的是33W全负载高效率超结硅电源管理方案:U8623+U7612B,可显著提升产品的易用性和效率! 电源管理芯片U8623是一款恒压、恒功率、恒温离线型电流模式PWM 电源管理芯片,内置0.85Ω/650V的超结硅功率 MOS。U8623具有全负载高效率、低空载
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- [公司新闻]SOP-7封装20W氮化镓快充芯片U8722SP来咯!2025年04月29日 11:14
- 深圳银联宝氮化镓系列又双叒叕上“芯”料啦——U8722SP!氮化镓快充芯片U8722SP采用SOP-7封装,推荐最大输出功率20W,集成MOS耐压700V,典型应用于快速充电器和适配器上,脚位如下: 1 GND P 芯片参考地 2 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚 3 FB I 系统反馈输入管脚 4 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能力分档判定管脚 5 SW P Boost 电路内置 MOS 的漏极
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- [公司新闻]具有双LDO供电配置的同步整流ic U72682025年04月24日 14:29
- 同步整流icU7268是一款高性能副边同步整流控制器,当配合外置MOS使用时,可以替代肖特基整流二极管以提高系统效率。U7268支持High Side和Low Side配置,且内置有VDD高压供电模块,无需辅助绕组供电,降低了系统成本。U7268具有快速关断功能,支持断续工作模式(DCM)、准谐振工作模式(QR)及连续工作模式(CCM)。U7268内部集成有智能的开通检测功能,可以有效防止断续工作模式(DCM)中由于Vds振荡引起的SR误开通。 PCB 设计对同步整流icU
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- [公司新闻]25W带恒功率12V单高压氮化镓快充芯片U8723AH2025年04月24日 10:17
- 芯片内置Boost电路将功率开关器件(如MOSFET)、驱动电路、反馈网络等集成于单一封装,省去分立元件布局,显著降低PCB面积需求。深圳银联宝氮化镓快充芯片U8723AH内置Boost供电电路,非常适用于宽输出电压的应用场景。U8723AH集成峰值电流抖动功能和驱动电流配置功能,可极大的优化系统EMI性能! 氮化镓快充芯片U8723AH特性: ●集成 高压 E-GaN ●集成高压启动功能 ●超低启动和工作电流,待机功耗 30mW ●谷底锁定模式, 最高工作频率两档可调(2
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- [公司新闻]充电器ic U7576满足快速启动和低待机应用需求2025年04月17日 14:15
- 深圳银联宝充电器icU7576通过HV高压引脚实时检测交流输入状态,市电断开时触发内部放电逻辑,集成了输出欠压(BOP)与输入掉电、X电容放电功能,解决了X电容放电电阻引起的待机损耗问题。采用SOP-8封装,HV引脚集成650V VDMOS,提升了耐压性能! 充电器icU7576主要特点: 1.集成高压启动功能 2.集成 AC 输入掉电检测与X电容放电功能 3.可支持断续模式、连续模式的原边恒流技术 4.±5%恒流精度;±1%恒压精度 5.待机功
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- [公司新闻]电源管理芯片U3205A拥有良好的线性调整率和负载调整率2025年04月17日 10:55
- 银联宝电源管理芯片U3205A通过实时监测负载状态,自动调节MOSFET的开关频率,轻载或空载时降低频率(如待机状态),减少开关损耗,典型待机功耗可低于50mW;重载时提升频率以维持输出稳定性,确保系统效率最优! ■高压启动电路和超低待机功耗 (50mW) 电源管理芯片U3205A内置有一个500V高压启动单元。在开机过程中该启动单元开始工作,从Drain端取电并通过高压电流源对VDD电容进行充电,如“功能模块”中所述。当VDD电压上升至
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- [公司新闻]氮化镓电源芯片U8722X系列喜迎U8722FE料号 功率65W2025年04月10日 11:19
- 深圳银联宝科技氮化镓电源芯片U8722X家族,喜提“芯”成员——U8722FE,推荐最大输出功率65W,集成MOS耐压700V,采用ESOP-7,编带盘装,5000颗/卷,内置Boost供电电路,非常适用于宽输出电压的应用场景。 氮化镓电源芯片U8722FE采用峰值电流控制模式,可以自适应的工作在QR和降频工作模式,从而实现全负载功率范围内的效率优化。在满载和重载工况下,系统工作在QR工作模式,可以大幅降低系统的开关损耗。芯片
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