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: 副边50W开关电源芯片 SF1530

副边反馈/外驱MOSFET,管脚浮空保护
系统频率可编程，并内置频率抖动EMI
内置同步斜率补偿
逐周期电流限制，内置前沿消隐
内置高低压过流补偿实现全电压平坦OCP曲线
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: 原边25W开关电源芯片 SF6771T

原边反馈/外置MOSFET
效率满足六级能效要求
优化降频技术提率
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
内置频率抖动EMI
内置同步斜率补偿. 逐周期电流限制, 内置前沿消隐
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: 副边65W开关电源芯片 SF5533

副边反馈/外驱MOSFET
效率满足六级能效要求
优化降频技术提率
无异音OCP补偿低压重载异音
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
内置频率抖动EMI
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
内置同步斜率补偿. 逐周期电流限制, 内置前沿消隐
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: 副边18W开关电源芯片 SF5549H

副边反馈/内置MOSFET
效率满足六级能效要求
内置650V 功率MOSFET
内置65KHz 工作频率
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
电流启动
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
内置频率抖动EMI
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: 隔离36W开关电源芯片 SFL950

提高系统效率，异音。
内置频率抖动EMI。
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求。
内置高低压过流补偿。
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护。
待机功耗(≤75mW)
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: 副边15W开关电源芯片 SF5539H

效率满足六级能效要求
副边反馈/内置600V 功率MOSFET
内置65KHz 工作频率
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
内置频率抖动EMI
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: 24W系列 12V2A能效六级方案

提高系统效率，异音
内置软启动, 管脚浮空保护
效率满足六级能效
启动电流
QR技术提高全负载效率,EMI和谷底切换异音
输出过压保护电压可外部编程
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
VDD欠压保护(ULVO), 过压保护及钳位
零电压带载启动减小OCP恢复间隙
内置频率抖动EMI
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: 18W系列12V1.5A能效六级方案

效率满足六级能效要求
内置650V 功率MOSFET
内置65KHz 工作频率
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
电流启动
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
内置频率抖动EMI
内置逐周期电流限制, 内置前沿消隐
内置高低压过流补偿实现全电压平坦OCP曲线
VDD欠压保护(ULVO), 过压保护及钳位
OLP可编程
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: 65W系列 19V3.42A能效六级方案

优化降频技术提率
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
效率满足六级能效
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
无异音OCP补偿低压重载异音
OLP时间可编程
VDD欠压保护(ULVO), 过压保护及钳位
内置同步斜率补偿. 逐周期电流限制, 内置前沿消隐
内置频率抖动EMI
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: 48W系列 48W能效六级方案

提高系统效率，异音。
内置频率抖动EMI。
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求。
内置高低压过流补偿。
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护。
待机功耗(≤75mW)
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: 5W系列 5V1A能效六级方案

QR-PSR控制提高工作效率
内置700V 功率三极管
效率满足 ‘DoE六级能效’，待机＜75mW
±4％恒压恒流精度，多模式PSR控制内置频率抖动EMI
内置快速动态响应控制，无异音工作
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
VDD欠压保护（UVLO）,过压保护及钳位
OTP过温保护
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: 10W系列 5V2A能效六级方案

±4％恒压恒流精度，多模式PSR控制。
内置频率抖动EMI。
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求。
内置高低压过流补偿。
内置快速动态响应控制，无异音工作。
输出过压保护，VDD欠压保护，VDD过压保护及钳位。
QR-PSR控制提高工作效率。
内置600V 功率MOSFET
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: 12W系列 12V1A能效六级方案

专利QR控制，提高系统效率，异音。
效率满足六级能效要求。
内置频率抖动EMI。
内置高低压过流补偿。
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护。
内置专利的线损补偿,提高量产精度。
内置反馈脚(FB)短路保护
支持高50V 输出电压
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: 5W系列 5V1A能效六级方案

QR-PSR控制提高工作效率
内置700V 功率三极管
效率满足 ‘DoE六级能效’，待机＜75mW
±4％恒压恒流精度，多模式PSR控制内置频率抖动EMI
内置快速动态响应控制，无异音工作
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
VDD欠压保护（UVLO）,过压保护及钳位
OTP过温保护
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[公司新闻]U8722AH+U7714A PD22.5W氮化镓应用方案2025年11月13日 10:51: U8722AH 是一款集成 E-GaN 的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于 30mW 的超低待机功耗。 U8722AH 的工作频率最高可达 220kHz，可全范围工作在准谐振模式。芯片集成峰值电流抖动功能和驱动电流可配置功能，可极大的优化系统 EMI 性能。芯片内置 Boost 供电电路，非常适用于宽输出电压的应用场景。 U8722AH 集成有完备的保护功能，包括：VDD 欠压保护 (UVLO)、VDD 过压保护 (VDD OVP)、输入欠压保护 (BOP)、输出过压保护 (OVP)、逐周期电流限制 (OCP)、异常过流保护 (AOCP)、过载保护(OLP)、输出过流保护 (SOCP)、内置过热保护(OTP)、前沿消隐(LEB)、CS 管脚开路保护等。; 阅读（4）标签：U8722AH+U7714A PD22.5W氮化镓应用方案

[公司新闻]恒功率、恒压、恒温离线型电流模式快充电源ic ——U86232025年08月28日 15:06: 恒功率芯片具有稳压、高效、过载保护等特性。恒压芯片的核心功能是提供稳定的电压输出；恒流芯片则主要用于电源和驱动电路中，维持输出电流的恒定。深圳银联宝快充电源icU8623是一款恒压、恒功率、恒温离线型电流模式PWM电源管理芯片，内置0.85Ω/650V的超结硅功率MOS！快充电源icU8623具有全负载高效率、低空载损耗、低EMI干扰和高EMS抗干扰、极少外围应用元件等优点。U8623在一定条件下适用于输入电压AC90V-264V的输出功率为22.5W以内的离线式反激开关; 阅读（17）标签：

[公司新闻]36W副边氮化镓应用方案——U8722DE+U7612B2025年08月25日 14:54: ■方案介绍及产品特色氮化镓电源芯片U8722DE是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于30mW的超低待机功耗。特色如下： ●集成 700V E-GaN ●集成高压启动功能 ●超低启动和工作电流，待机功耗 30mW ●谷底锁定模式，最高工作频率两档可调(220kHz，130kHz) ●集成 EMI 优化技术 ●驱动电流分档配置 ●; 阅读（11）标签：

[公司新闻]银联宝氮化镓电源芯片U872XAHE系列新成员——U8727AHE2025年08月22日 10:04: 好消息！深圳银联宝科技氮化镓电源芯片U872XAHE系列，规格书升级，新增料号U8727AHE，封装形式ESOP-7，集成MOS耐压700V，推荐最大输出功率100W！氮化镓电源芯片U8727AHE特性：集成高压E-GaN 集成高压启动功能超低启动和工作电流，待机功耗30mW 谷底锁定模式，最高工作频率两档可调(220kHz，130kHz) 集成EMI优化技术驱动电流分档配置集成Boost供电电路集成完备的保护功能： VDD过压/欠压保护(VDD OVP/UVL; 阅读（9）标签：

[公司新闻]5-24V适配器E-GaN电源应用方案：U8722DE+U7110W2025年08月14日 14:26: 电源适配器能将家庭用电的高电压转换成设备能工作的稳定低电压，确保设备正常运行。除了电脑、手机、游戏机，还广泛配套于安防摄像头、机顶盒、路由器、灯条、按摩仪等设备中。深圳银联宝今天推荐的是5-24V适配器E-GaN电源应用方案：U8722DE+U7110W。 E-GaN电源芯片U8722DE主要特征：集成700V E-GaN 集成高压启动功能超低启动和工作电流，待机功耗30mW 谷底锁定模式，最高工作频率两档可调(220kHz，130kHz) 集成EMI优化技术驱动电流分; 阅读（6）标签：

[公司新闻]氮化镓快充芯片U8725AHE平衡效率和最优EMI性能2025年07月18日 11:23: 氮化镓充电器的高功率密度，能在很小的体积里给出更高的功率，所以氮化镓充电器个头更小，重量也更轻。且能把电能转换得更有效，能量损失也少，充电速度就能变得更快。推荐一款快速启动功能和超低的工作电流氮化镓快充芯片——U8725AHE，可实现小于30mW的超低待机功耗！氮化镓快充芯片U8725AHE成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV(典型值 6.4V)。; 阅读（6）标签：

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