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副边50W开关电源芯片 SF1530
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副边反馈/外驱MOSFET,管脚浮空保护
系统频率可编程，并内置频率抖动EMI
内置同步斜率补偿
逐周期电流限制，内置前沿消隐
内置高低压过流补偿实现全电压平坦OCP曲线
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原边25W开关电源芯片 SF6771T
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原边反馈/外置MOSFET
效率满足六级能效要求
优化降频技术提率
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
内置频率抖动EMI
内置同步斜率补偿. 逐周期电流限制, 内置前沿消隐
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副边65W开关电源芯片 SF5533
更多 +
副边反馈/外驱MOSFET
效率满足六级能效要求
优化降频技术提率
无异音OCP补偿低压重载异音
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
内置频率抖动EMI
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
内置同步斜率补偿. 逐周期电流限制, 内置前沿消隐
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副边18W开关电源芯片 SF5549H
更多 +
副边反馈/内置MOSFET
效率满足六级能效要求
内置650V 功率MOSFET
内置65KHz 工作频率
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
电流启动
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
内置频率抖动EMI
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隔离36W开关电源芯片 SFL950
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提高系统效率，异音。
内置频率抖动EMI。
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求。
内置高低压过流补偿。
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护。
待机功耗(≤75mW)
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副边15W开关电源芯片 SF5539H
更多 +
效率满足六级能效要求
副边反馈/内置600V 功率MOSFET
内置65KHz 工作频率
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
内置频率抖动EMI
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24W系列 12V2A能效六级方案
提高系统效率，异音更多 +
内置软启动, 管脚浮空保护
效率满足 六级能效
启动电流
QR技术提高全负载效率,EMI和谷底切换异音
输出过压保护电压可外部编程
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
VDD欠压保护(ULVO), 过压保护及钳位
零电压带载启动减小OCP恢复间隙
内置频率抖动EMI
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18W系列12V1.5A能效六级方案
更多 +
效率满足六级能效要求
内置650V 功率MOSFET
内置65KHz 工作频率
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
电流启动
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
内置频率抖动EMI
内置逐周期电流限制, 内置前沿消隐
内置高低压过流补偿实现全电压平坦OCP曲线
VDD欠压保护(ULVO), 过压保护及钳位
OLP可编程
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65W系列 19V3.42A能效六级方案
优化降频技术提率更多 +
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
效率满足 六级能效
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
无异音OCP补偿低压重载异音
OLP时间可编程
VDD欠压保护(ULVO), 过压保护及钳位
内置同步斜率补偿. 逐周期电流限制, 内置前沿消隐
内置频率抖动EMI
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48W系列 48W能效六级方案
提高系统效率，异音。更多 +
内置频率抖动EMI。
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求。
内置高低压过流补偿。
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护。
待机功耗(≤75mW)
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5W系列 5V1A能效六级方案
QR-PSR控制提高工作效率更多 +
内置700V 功率三极管
效率满足 ‘DoE六级能效’，待机＜75mW
±4％恒压恒流精度，多模式PSR控制内置频率抖动EMI
内置快速动态响应控制，无异音工作
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
VDD欠压保护（UVLO）,过压保护及钳位
OTP过温保护
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10W系列 5V2A能效六级方案
±4％恒压恒流精度，多模式PSR控制。更多 +
内置频率抖动EMI。
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求。
内置高低压过流补偿。
内置快速动态响应控制，无异音工作。
输出过压保护，VDD欠压保护，VDD过压保护及钳位。
QR-PSR控制提高工作效率。
内置600V 功率MOSFET
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12W系列 12V1A能效六级方案
专利QR控制，提高系统效率，异音。更多 +
效率满足六级能效要求。
内置频率抖动EMI。
内置高低压过流补偿。
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护。
内置专利的线损补偿,提高量产精度。
内置反馈脚(FB)短路保护
支持高50V 输出电压
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5W系列 5V1A能效六级方案
QR-PSR控制提高工作效率更多 +
内置700V 功率三极管
效率满足 ‘DoE六级能效’，待机＜75mW
±4％恒压恒流精度，多模式PSR控制内置频率抖动EMI
内置快速动态响应控制，无异音工作
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
VDD欠压保护（UVLO）,过压保护及钳位
OTP过温保护
- [公司新闻]5-24V适配器E-GaN电源应用方案：U8722DE+U7110W2025年08月14日 14:26
- 电源适配器能将家庭用电的高电压转换成设备能工作的稳定低电压，确保设备正常运行。除了电脑、手机、游戏机，还广泛配套于安防摄像头、机顶盒、路由器、灯条、按摩仪等设备中。深圳银联宝今天推荐的是5-24V适配器E-GaN电源应用方案：U8722DE+U7110W。 E-GaN电源芯片U8722DE主要特征： 集成700V E-GaN 集成高压启动功能 超低启动和工作电流，待机功耗30mW 谷底锁定模式，最高工作频率两档可调(220kHz，130kHz) 集成EMI优化技术 驱动电流分
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- [公司新闻]氮化镓快充芯片U8725AHE平衡效率和最优EMI性能2025年07月18日 11:23
- 氮化镓充电器的高功率密度，能在很小的体积里给出更高的功率，所以氮化镓充电器个头更小，重量也更轻。且能把电能转换得更有效，能量损失也少，充电速度就能变得更快。推荐一款快速启动功能和超低的工作电流氮化镓快充芯片——U8725AHE，可实现小于30mW的超低待机功耗！ 氮化镓快充芯片U8725AHE成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV(典型值 6.4V)。
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- [公司新闻]5v2a小功率离线式手机充电器ic U951432025年07月17日 10:42
- 手机充电器ic是充电设备中的核心部件，关乎充电效率与安全性。在寻找高效充电解决方案时，不妨考虑深圳银联宝的这款手机充电器icU95143。U95143是一款高性能、低成本的原边控制功率开关，内置高压功率三极管，可提供高精度恒压和恒流输出性能，尤其适合于小功率离线式充电器应用！ 手机充电器icU95143主要特性： 内置超高压功率BTJ 谷底开通、原边控制、系统效率高 多模式原边控制方式 优异的动态响应 集成动态三极管驱动电路 工作无异音 优化的EMI性能 恒流、恒压调整率小
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- [公司新闻]PD快充芯片U8621+同步整流芯片多套电源方案可选2025年07月16日 14:21
- 电源芯片方案的成本优化可从芯片选型、模块化设计、外围元件减少等方面实现。采用高集成度电源芯片可大幅减少外围元件数量。今天推荐的PD快充芯片U8621具有全负载高效率、低空载损耗、低EMI干扰和高EMS抗干扰、极少外围应用元件等优点，还有搭配的同步整流芯片介绍！ PD快充芯片U8621的启动电流低至10uA,启动电路的电阻值可以高达4M,这样使电源系统拥有更低的损耗；芯片静态电流低至500uA，使得电源系统设计者更加轻松应对能源之星六或者能效六级的能效标准。频率抖动功能U86
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- [公司新闻]5V2A充电器电源应用方案：U9513B+U7710SMC2025年07月15日 15:17
- 充电器的选择直接影响使用体验。5V2A作为常见的充电规格，电源应用方案的选择非常重要。深圳银联宝科技的5V2A充电器电源应用方案：U9513B+U7710SMC，因安全性高、成本低、兼容强三大优势一直备受青睐，一起了解下！ 充电器芯片U9513B主要特征： ●内置超高压功率BTJ ●谷底开通、原边控制、系统效率高 ●多模式原边控制方式 ●优异的动态响应 ●集成动态三极管驱动电路 ●工作无异音 ●优化的EMI性能 ●恒流、恒压调整率小于±5% ●超低待机功耗30
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- [公司新闻]银联宝20W快充电源方案：220V单电压和90-264V全电压 通通都有！2025年07月02日 10:22
- ■220V单电压：主控PD快充芯片U8722AH+同步整流IC U7715 PD快充芯片U8722AH集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV(典型值6.2V)。EMI性能为高频交直流转换器的设计难点，为此U8722AH通过DEM管脚集成了驱动电流分档配置功能。通过配置DEM管脚分压电阻值，可以选择不同档位的驱动电流，进而调节GaN FET的开通速度，系统设计者可以获得最优
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