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: 副边50W开关电源芯片 SF1530

副边反馈/外驱MOSFET,管脚浮空保护
系统频率可编程，并内置频率抖动EMI
内置同步斜率补偿
逐周期电流限制，内置前沿消隐
内置高低压过流补偿实现全电压平坦OCP曲线
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: 原边25W开关电源芯片 SF6771T

原边反馈/外置MOSFET
效率满足六级能效要求
优化降频技术提率
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
内置频率抖动EMI
内置同步斜率补偿. 逐周期电流限制, 内置前沿消隐
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: 副边65W开关电源芯片 SF5533

副边反馈/外驱MOSFET
效率满足六级能效要求
优化降频技术提率
无异音OCP补偿低压重载异音
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
内置频率抖动EMI
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
内置同步斜率补偿. 逐周期电流限制, 内置前沿消隐
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: 副边18W开关电源芯片 SF5549H

副边反馈/内置MOSFET
效率满足六级能效要求
内置650V 功率MOSFET
内置65KHz 工作频率
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
电流启动
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
内置频率抖动EMI
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: 隔离36W开关电源芯片 SFL950

提高系统效率，异音。
内置频率抖动EMI。
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求。
内置高低压过流补偿。
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护。
待机功耗(≤75mW)
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: 副边15W开关电源芯片 SF5539H

效率满足六级能效要求
副边反馈/内置600V 功率MOSFET
内置65KHz 工作频率
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
内置频率抖动EMI
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: 24W系列 12V2A能效六级方案

提高系统效率，异音
内置软启动, 管脚浮空保护
效率满足六级能效
启动电流
QR技术提高全负载效率,EMI和谷底切换异音
输出过压保护电压可外部编程
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
VDD欠压保护(ULVO), 过压保护及钳位
零电压带载启动减小OCP恢复间隙
内置频率抖动EMI
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: 18W系列12V1.5A能效六级方案

效率满足六级能效要求
内置650V 功率MOSFET
内置65KHz 工作频率
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
电流启动
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
内置频率抖动EMI
内置逐周期电流限制, 内置前沿消隐
内置高低压过流补偿实现全电压平坦OCP曲线
VDD欠压保护(ULVO), 过压保护及钳位
OLP可编程
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: 65W系列 19V3.42A能效六级方案

优化降频技术提率
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
效率满足六级能效
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
无异音OCP补偿低压重载异音
OLP时间可编程
VDD欠压保护(ULVO), 过压保护及钳位
内置同步斜率补偿. 逐周期电流限制, 内置前沿消隐
内置频率抖动EMI
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: 48W系列 48W能效六级方案

提高系统效率，异音。
内置频率抖动EMI。
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求。
内置高低压过流补偿。
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护。
待机功耗(≤75mW)
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: 5W系列 5V1A能效六级方案

QR-PSR控制提高工作效率
内置700V 功率三极管
效率满足 ‘DoE六级能效’，待机＜75mW
±4％恒压恒流精度，多模式PSR控制内置频率抖动EMI
内置快速动态响应控制，无异音工作
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
VDD欠压保护（UVLO）,过压保护及钳位
OTP过温保护
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: 10W系列 5V2A能效六级方案

±4％恒压恒流精度，多模式PSR控制。
内置频率抖动EMI。
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求。
内置高低压过流补偿。
内置快速动态响应控制，无异音工作。
输出过压保护，VDD欠压保护，VDD过压保护及钳位。
QR-PSR控制提高工作效率。
内置600V 功率MOSFET
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: 12W系列 12V1A能效六级方案

专利QR控制，提高系统效率，异音。
效率满足六级能效要求。
内置频率抖动EMI。
内置高低压过流补偿。
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护。
内置专利的线损补偿,提高量产精度。
内置反馈脚(FB)短路保护
支持高50V 输出电压
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: 5W系列 5V1A能效六级方案

QR-PSR控制提高工作效率
内置700V 功率三极管
效率满足 ‘DoE六级能效’，待机＜75mW
±4％恒压恒流精度，多模式PSR控制内置频率抖动EMI
内置快速动态响应控制，无异音工作
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
VDD欠压保护（UVLO）,过压保护及钳位
OTP过温保护
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[公司新闻]U872XAHE 集成 E-GaN 的高频高性能准谐振模式 ACDC 功率开关2026年02月03日 11:21: 友恩今日推荐U872XAHE 集成 E-GaN 的高频高性能准谐振模式 ACDC 功率开关产品描述 U872XAHS 是一款集成 E-GaN 的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于 30mW 的超低待机功耗。 U872XAHS 的工作频率最高可达 220kHz，可全范围工作在准谐振模式。芯片集成峰值电流抖动功能和驱动电流配置功能，可极大的优化系统 EMI 性能。芯片内置Boost 供电电路，非常适; 阅读（1）标签：U872XAHE 集成 E-GaN 的高频高性能准谐振模式 ACDC 功率开关

[公司新闻]U6201高效率低成本的电源管理芯片2026年01月09日 17:19: 友恩高效率低成本的电源管理芯片 U6201为客户提供高能效、低功耗、品质稳定的集成电源管理芯片，同时提供一站式的应用解决方案和现场技术支持服务，提供中小功率19V3.42A方案主要特点 ? 可支持断续模式、连续模式的原边恒流技术 ? ±5% 恒流精度；±1%恒压精度 ? 待机功耗75mW ? 固定 65KHz 开关频率 ? 绿色省电模式和打嗝模式工作 ? 超低启动和工作电流 ? 集成抖频功能优化 EMI ? 集成内部斜率补偿的电流模式控制 ? 集; 阅读（4）标签：U6201高效率低成本的电源管理芯片;

[公司新闻]PD20W 认证全压氮化镓应用方案2025年12月19日 18:02: PD20W 认证全压氮化镓应用方案方案介绍及产品特色 U8722BAS 是一款集成 E-GaN 的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于 30mW 的超低待机功耗。 U8722BAS 的工作频率最高可达 220kHz，可全范围工作在准谐振模式。芯片集成峰值电流抖动功能和驱动电流可配置功能，可极大的优化系统 EMI 性能。芯片内置 Boost 供电电路，非常适用于宽输出电压; 阅读（2）标签：PD20W 认证全压氮化镓应用方案

[公司新闻]U8722BAS+U7612A 30W 氮化镓应用方案2025年12月12日 17:54: U8722BAS+U7612A30W 氮化镓应用方案1. 方案介绍及产品特色 U8722BAS 是一款集成 E-GaN 的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于 30mW 的超低待机功耗。 U8722BAS 的工作频率最高可达 220kHz，可全范围工作在准谐振模式。芯片集成峰值电流抖动功能和驱动电流可配置功能，可极大的优化系统 EMI 性能。芯片内置 Boost 供电电路，非常适用于宽输出电压的; 阅读（5）标签：U8722BAS+U7612A 30W 氮化镓应用方案

[公司新闻]U8722DE+U7612APD30W 氮化镓应用方案2025年12月05日 17:16: U8722DE+U7612APD30W 氮化镓应用方案方案介绍及产品特色 U8722DE 是一款集成 E-GaN 的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于 30mW 的超低待机功耗。 U8722DE 的工作频率最高可达 220kHz，可全范围工作在准谐振模式。芯片集成峰值电流抖动功能和驱动电流可配置功能，可极大的优化系统 EMI 性能。芯片内置 Boost 供电电路，非常适用于宽输出电压的应; 阅读（11）标签：

[公司新闻]U8722AH+U7714A PD22.5W氮化镓应用方案2025年11月13日 10:51: U8722AH 是一款集成 E-GaN 的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于 30mW 的超低待机功耗。 U8722AH 的工作频率最高可达 220kHz，可全范围工作在准谐振模式。芯片集成峰值电流抖动功能和驱动电流可配置功能，可极大的优化系统 EMI 性能。芯片内置 Boost 供电电路，非常适用于宽输出电压的应用场景。 U8722AH 集成有完备的保护功能，包括：VDD 欠压保护 (UVLO)、VDD 过压保护 (VDD OVP)、输入欠压保护 (BOP)、输出过压保护 (OVP)、逐周期电流限制 (OCP)、异常过流保护 (AOCP)、过载保护(OLP)、输出过流保护 (SOCP)、内置过热保护(OTP)、前沿消隐(LEB)、CS 管脚开路保护等。; 阅读（12）标签：U8722AH+U7714A PD22.5W氮化镓应用方案

记录总数：587 | 页数：30 首页上一页 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ...> 下一页尾页

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