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12W系列 12V1A能效六级方案
专利QR控制，提高系统效率，异音。更多 +
效率满足六级能效要求。
内置频率抖动EMI。
内置高低压过流补偿。
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护。
内置专利的线损补偿,提高量产精度。
内置反馈脚(FB)短路保护
支持高50V 输出电压
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5W系列 5V1A能效六级方案
QR-PSR控制提高工作效率更多 +
内置700V 功率三极管
效率满足 ‘DoE六级能效’，待机＜75mW
±4％恒压恒流精度，多模式PSR控制内置频率抖动EMI
内置快速动态响应控制，无异音工作
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
VDD欠压保护（UVLO）,过压保护及钳位
OTP过温保护
- [公司新闻]45W单压单C氮化镓电源方案：主控U8722EE+同步U7116W2025年06月04日 10:28
- 45W单压单C氮化镓电源方案推荐的主控芯片是来自深圳银联宝科技的氮化镓电源芯片U8722EE，同步也是采用银联宝的同步整流芯片U7116W。为大家介绍下芯片的主要性能！ 氮化镓电源芯片U8722EE特性： 集成700V E-GaN 集成高压启动功能 超低启动和工作电流，待机功耗30mW 谷底锁定模式，最高工作频率两档可调(220kHz，130kHz) 集成EMI优化技术 驱动电流分档配置 集成 Boost 供电电路 集成完备的保护功能： VDD过压/欠压保护 (VDD OV
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- [公司新闻]内置0.85/650V的超结硅电机驱动器电源芯片U86232025年06月03日 11:38
- ■功能描述 电机驱动器电源芯片U8623是一款峰值电流控制方式的PWM电源管理芯片，适用于离线型的反激拓扑开关变换器。U8623内置合封一颗0.85Ω/650V的高压MOS。芯片设计有完善的多种保护功能和自适应选择工作模式，使得适用U8623的电源系统具有全负载高效率、低空载损耗、低EMI干扰和高EMS抗干扰、极少外围应用元件。 ■系统启动和静态电流 电机驱动器电源芯片U8623的启动电流低至10uA，启动电路的电阻值可以高达4M，这样使电源系统拥有更低的损耗；芯片静态电流
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- [公司新闻]65W集成EMI优化技术的E-GaN电源芯片U8722FE2025年05月22日 14:24
- E-GaN电源芯片U8722FE是U8722X系列最新增加的型号，ID(A)(TJ=125℃)4.0，耐压700V，推荐功率60W，采用的是ESOP-7封装，具体脚位如下： 1 CSI/O 电流采样输入、最高频率选择管脚 2 FB P 系统反馈输入管脚 3 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能力分档判定管脚 4 VDD P 芯片供电管脚 5 SW P Boost 电路内置 MOS 的漏极管脚 6,7 GND P 芯片参考地 8 DRAIN P 内置高压 GaN
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- [公司新闻]氮化镓PD快充芯片U8722DAS可减少高频噪声和应力冲击2025年05月16日 11:48
- 氮化镓PD快充芯片U8722DAS集成轻载SR应力优化功能，在轻载模式下，芯片将原边开通速度减半（如配置为特定驱动电流档位时），减缓开关动作的瞬态变化，从而减小次级侧SR器件的电压尖峰，通过分压电阻设置驱动电流档位（三档可选），平衡EMI性能与效率。低驱动电流档位可降低SR开关速度，减少高频噪声和应力冲击。 氮化镓PD快充芯片U8722DAS特征： ▲集成 高压 E-GaN ▲集成高压启动功能 ▲超低启动和工作电流，待机功耗 30mW ▲谷底锁定模式， 最高工作频率两档可调(
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- [公司新闻]20V单高压45W氮化镓电源芯片U8726AHE2025年04月25日 14:31
- EMI性能为高频交直流转换器的设计难点，为此氮化镓电源芯片U8726AHE通过DEM管脚集成了驱动电流分档配置功能。通过配置DEM管脚分压电阻值，可以选择不同档位的驱动电流，进而调节GaN FET的开通速度，系统设计者可以获得最优的EMI性能和系统效率的平衡。 氮化镓电源芯片U8726AHE引脚： 1 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚 2 FB I 系统反馈输入管脚 3 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能力分档判定管脚 4 VDD P 芯片供电管
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- [公司新闻]25W带恒功率12V单高压氮化镓快充芯片U8723AH2025年04月24日 10:17
- 芯片内置Boost电路将功率开关器件（如MOSFET）、驱动电路、反馈网络等集成于单一封装，省去分立元件布局，显著降低PCB面积需求。深圳银联宝氮化镓快充芯片U8723AH内置Boost供电电路，非常适用于宽输出电压的应用场景。U8723AH集成峰值电流抖动功能和驱动电流配置功能，可极大的优化系统EMI性能！ 氮化镓快充芯片U8723AH特性： ●集成 高压 E-GaN ●集成高压启动功能 ●超低启动和工作电流，待机功耗 30mW ●谷底锁定模式， 最高工作频率两档可调(2
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- [公司新闻]700V/365mΩ高压启动GaN快充芯片U86092025年04月21日 14:31
- GaN快充芯片U8609最高工作频率130kHz，700V/365mΩ，采用DASOP-7封装，主推12V3A，合封第三代半导体GaN FET，有利于降低电源尺寸。U8609采用CS Jitter技术，通过调制峰值电流参考值实现频率抖动，以优化系统EMI。 GaN快充芯片U8609复用CS管脚以设定系统最高工作频率，CS管脚连接如图所示。芯片启动时，U8609通过检测RSEL电阻从而决定芯片最大工作频率。设定不同的RSEL电阻值即可选择两档不同的系统工作频率上限。选档判定结束
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- [公司新闻]E-GaN电源芯片U8722EE的45W、30W同步搭配推荐2025年04月03日 11:09
- E-GaN电源芯片U8722EE，推荐搭配银联宝同步整流芯片U7110W、U7612A，分别可做PD 45W、PD 30W方案，可极大的优化系统EMI性能，非常适用于宽输出电压的应用场景！ ■PD45W方案：U8722EE+U7110W 针对宽输出电压应用场合，为了满足VDD的宽电压应用需求，往往需要添加额外的电路或者辅助绕组，导致系统功耗和电路成本的增加。E-GaN电源芯片U8722EE集成了Boost供电技术，仅在SW管脚添加一颗贴片电感即可，在输出电压较低时，Boos
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- [公司新闻]20W恒压、恒功率、恒温离线电源方案U8621+ U7610C2025年04月03日 10:37
- 恒功率一般通过动态补偿和多模式切换等方式实现，通占空比动态调整，确保输入电压波动时输出功率稳定，另外根据FB脚电平自动切换打嗝模式、变频模式、恒功率模式，优化全负载效率。银联宝电源芯片U8621支持快充适配器应用，具有全负载高效率、低空载损耗、低EMI干扰和高EMS抗干扰、极少外围应用元件等优点。再搭配同步整流芯片U7610C，打造出一款优质耐用的20W恒压、恒功率、恒温离线电源方案！ 银联宝电源芯片U8621特性： * 固定 65K 赫兹的开关频率 * 内置抖频技
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- [公司新闻]30W氮化镓电源ic U8608灵活配置最优工作模式2025年03月27日 14:57
- 30W氮化镓电源icU8608集成E-GaN和驱动电流分档功能，通过调节驱动电流档位，可以减少电磁干扰（EMI），优化系统的整体性能和待机功耗。具体来了解一下！ ■ 集成E-GaN和驱动电流分档功能 30W氮化镓电源icU8608集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV (典型值 6.35V)。EMI性能为高频交直流转换器的设计难点，为此U8608通过DEM管脚集成了驱动电流
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- [公司新闻]恒压模式可调线损补偿小功率电源芯片U6215A2025年03月27日 10:56
- 深圳银联宝电源芯片的特点包括高集成度、高效能、低待机功耗、多重保护功能等，适用于小型电子设备、便携式设备等应用场景。选择合适的电源芯片需要根据具体的应用需求和设计要求来决定，如果您正在寻找一颗小功率高性能、低成本的原边控制功率开关芯片，试试银联宝6W小功率电源芯片U6215A！ 小功率电源芯片U6215A主要特性： 内置超高压功率 BTJ 谷底开通、原边控制、系统效率高 多模式原边控制方式 优异的动态响应 集成动态三极管驱动电路 工作无异音 优化的 EMI 性能 恒流、恒压调
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- [公司新闻]65W全压700V底部无PAD氮化镓快充芯片U87662025年03月20日 15:32
- 深圳银联宝科技推出的氮化镓快充芯片集成高频高性能准谐振模式，显著降低磁性元件体积，同时通过同步整流技术将效率翻番。比如今天介绍的65W全压700V底部无PAD氮化镓快充芯片U8766，拥有超低启动和工作电流，可实现小于30mW的超低待机功耗，势如破竹！ 氮化镓快充芯片U8766集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV (典型值 6.2V)。EMI性能为高频交直流转换器的
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- [公司新闻]高效、安全管理电能转换的手机充电器芯片U6107D2025年03月20日 14:44
- 充电器芯片的核心是高效、安全的管理电能转换与电池充电过程。充电器芯片U6107D是一种高性能的电流模式PWM离线反激变换器电源开关应用。在U6107D中，内部具有高精度65kHz开关频率振荡器，且带有抖频功能可优化EMI性能。芯片采用绿色节能模式和打嗝模式工作，对于小于40W的应用可以保证小于75mW的待机功耗。 充电器芯片U6107D集成有完备的保护功能，包括：VDD欠压保护（UVLO）、VDD过压保护（OVP）、逐周期电流限制、短路保护（SCP）、过载保护（OLP）、过
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- [公司新闻]电源管理IC U8623采用单边漏极并联封装增加散热效果2025年03月13日 14:52
- 芯片在实现数据处理、存储和传输等功能的过程中，会伴随电阻、电容、电感等能量损耗，这些损耗会被转化为热能，因此会产生大量热量。过高的温度会影响电子设备工作性能，甚至导致电子设备损坏。今天推荐的电源管理ICU8623采用SOP-8封装，并采用单边漏极并联封装增加散热效果，从而提高了散热效率，积极保护电子设备。 电源管理ICU8623是一款恒压、恒功率、恒温离线型电流模式PWM电源芯片，内置0.85Ω/650V的超结硅功率 MOS。U8623具有全负载高效率、低空载损耗、低EMI
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- [公司新闻]开关电源芯片U6221深入探索优化驱动性能2025年03月06日 14:49
- 电源电路的软驱动功能通过逐渐增加输出电压或电流，以消除启动时的冲击电流，从而简化EMI问题，使系统能够平滑启动，减少对系统的冲击，开关电源芯片U6221设计的软驱动功能的驱动电路优化了系统EMI性能。芯片内部设计有Gate高电平16V钳位电路，以防止高VDD输入时Gate受损。 PCB设计对电源的EMI，ESD等性能有显著影响，开关电源芯片U6221设计原边回路时建议参考以下的内容（详情可见规格书）： 1.原边主功率环路(Loop1)的面积应尽可能小，同时走线应尽可能粗以
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- [公司新闻]典型应用下空载功耗<75mW的5v2a充电器ic U521432025年03月06日 10:39
- 想要在旅行途中阅读，可以考虑使用电子书阅读器或者手机阅读软件。深圳银联宝科技有一款专门为旅行配备的充电器icU52143，内置功率BJT，可用于11W以内的离线式开关电源产品，PWM+PFM 多模式混合控制，从而可以获得高精度的恒压恒流控制效果，且无需任何次级采样和控制电路。 同时，5v2a充电器ic U52143还内置了输入线电压补偿以及输出线缆补偿，从而可以获得更好的电压和电流调整率。U52143内置了大量的补偿以及保护功能，从而简化了外围电路，利于PCB布局及EMI设
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- [公司新闻]充电器芯片U6218C实现高效产品更高性能优化设计2025年02月21日 14:42
- 智能化设备的质量与可靠性均与大多数的电磁兼容(EMC)、电磁干扰(EMI)问题有关，而PCB的布局和堆叠设计是这其中重要的一环。充电器芯片U6218C设计的软驱动功能的驱动电路优化了系统EMI性能。芯片内部设计有Gate高电平16V钳位电路，以防止高VDD输入时Gate受损。 PCB设计对电源的EMI，ESD等性能有显著影响，充电器芯片U6218C设计原边回路时建议参考以下内容（详尽资料可参照规格书）： ●原边主功率环路 (Loop1) 的面积应尽可能小，同时走线应尽可能粗
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- [公司新闻]超结硅功率MOS电源管理芯片U8621展现低功耗特性2025年02月20日 10:08
- 在全负载范围内，相比传统功率器件，超结硅功率MOS电源管理芯片U8621能为用户节省更多的电能。同时，在空载状态下，U8621的低功耗特性得以体现，满足了六级能效标准，有效避免了能源的无谓消耗，对于电子设备的应用而言，是非常值得推荐的一颗芯片！ 电源管理芯片U8621是一款恒压、恒功率、恒温离线型电流模式PWM 电源管理芯片，内置1.9Ω/630V的超结硅功率MOS。U8621具有全负载高效率、低空载损耗、低EMI干扰和高EMS抗干扰、极少外围应用元件等优点。U8621在一
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