-
12V 1A能效六级方案
更多 +
效率满足六级能效要求。
内置频率抖动EMI。
内置高低压过流补偿。
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护。
内置专利的线损补偿,提高量产精度。
-
10W系列 5V 2A电源方案
PSR控制模式，无光耦，无431。更多 +
±5% 的恒流恒压精度。
专利的‘NC-Cap/PSR’技术。
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求,待机＜75mW。
-
24W系列 12V2A能效六级方案
提高系统效率，异音更多 +
内置软启动, 管脚浮空保护
效率满足 六级能效
启动电流
QR技术提高全负载效率,EMI和谷底切换异音
输出过压保护电压可外部编程
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
VDD欠压保护(ULVO), 过压保护及钳位
零电压带载启动减小OCP恢复间隙
内置频率抖动EMI
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18W系列12V1.5A能效六级方案
更多 +
效率满足六级能效要求
内置650V 功率MOSFET
内置65KHz 工作频率
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
电流启动
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
内置频率抖动EMI
内置逐周期电流限制, 内置前沿消隐
内置高低压过流补偿实现全电压平坦OCP曲线
VDD欠压保护(ULVO), 过压保护及钳位
OLP可编程
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65W系列 19V3.42A能效六级方案
优化降频技术提率更多 +
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
效率满足 六级能效
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
无异音OCP补偿低压重载异音
OLP时间可编程
VDD欠压保护(ULVO), 过压保护及钳位
内置同步斜率补偿. 逐周期电流限制, 内置前沿消隐
内置频率抖动EMI
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60W系列 12V5A能效六级方案
更多 +
±5％恒压恒流精度, 快速动态响应控制
待机功耗小于75mW
自动补偿输入电压.电感感量变化
自动补偿输入电压.电感感量变化
启动电流
前沿消隐
内置斜率补偿
逐周期电流限制
-
48W系列 48W能效六级方案
提高系统效率，异音。更多 +
内置频率抖动EMI。
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求。
内置高低压过流补偿。
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护。
待机功耗(≤75mW)
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10W系列5V2A能效六级方案
更多 +
效率满足六级能效要求
内置650V 功率MOSFET
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护
零电压带载启动减小OCP恢复间隙
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
±5％恒压恒流精度
内置反馈脚(FB)短路保护
-
5W系列 5V1A能效六级方案
QR-PSR控制提高工作效率更多 +
内置700V 功率三极管
效率满足 ‘DoE六级能效’，待机＜75mW
±4％恒压恒流精度，多模式PSR控制内置频率抖动EMI
内置快速动态响应控制，无异音工作
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
VDD欠压保护（UVLO）,过压保护及钳位
OTP过温保护
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5V1.5A能效六级方案
QR-PSR控制提高工作效率。更多 +
±4% 的恒流恒压精度,PSR控制模式。
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求,待机＜70mW。
内置专利的线损电压补偿。
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护。
VDD欠压保护，VDD过压保护及钳位。
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10W系列 5V2A能效六级方案
±4％恒压恒流精度，多模式PSR控制。更多 +
内置频率抖动EMI。
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求。
内置高低压过流补偿。
内置快速动态响应控制，无异音工作。
输出过压保护，VDD欠压保护，VDD过压保护及钳位。
QR-PSR控制提高工作效率。
内置600V 功率MOSFET
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12W系列 12V1A能效六级方案
专利QR控制，提高系统效率，异音。更多 +
效率满足六级能效要求。
内置频率抖动EMI。
内置高低压过流补偿。
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护。
内置专利的线损补偿,提高量产精度。
内置反馈脚(FB)短路保护
支持高50V 输出电压
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5W系列 5V1A能效六级方案
QR-PSR控制提高工作效率更多 +
内置700V 功率三极管
效率满足 ‘DoE六级能效’，待机＜75mW
±4％恒压恒流精度，多模式PSR控制内置频率抖动EMI
内置快速动态响应控制，无异音工作
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
VDD欠压保护（UVLO）,过压保护及钳位
OTP过温保护
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12W系列 5V2.4A能效六级方案
更多 +
效率满足六级能效要求
内置650V 功率MOSFET
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护
零电压带载启动减小OCP恢复间隙
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
±5％恒压恒流精度
内置反馈脚(FB)短路保护
- [公司新闻]U8722ESGA+U7110W PD45W 氮化镓 应用方案2026年06月26日 10:05
- 01U8722ESGA+U7110WPD45W 氮化镓 应用方案 1.方案介绍及产品色 U8722ESGA是一款集成 E-GaN 的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于 30mW 的超低待机功耗。 芯片的工作频率最高可达 220kHZ，可全范围工作在准谐振模式。芯片集成峰值电动抖动功 能和驱动电流配置功能，可极大的优化系统 EMI 性能。芯片内置 Boost 供电电路，非常适用于宽输出 电压的·
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- [公司新闻]U8721S+U7612B PD20W ?应用方案2026年06月05日 16:45
- U8721S+U7612B PD20W 应用方案1. 方案介绍及产品特色 U8721S 是一款针对离线式反激变换器的高性能电流模式 PWM 转换芯片。芯片集成有高压启 动电路， 可以获得快速启动和低待机的性能。芯片支持 9V-60V 的 VDD 供电 ,方便满足宽电压输出 电源的要求 。 U8721S 芯片结合 CCM 模式，QR 模式，绿色节能模式和打嗝模式工作，全范围优化效率， 实现待机功耗小于 30mW。 U8721S 集成有完备的保护功能，包 括：VDD 欠压保护 (
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- [公司新闻]U8720S+U7714A PD20W 氮化镓 应用方案2026年05月22日 10:18
- 应用方案PD20W 单电压认证款01方案介绍及产品特色 U8720S 是一款针对离线式反激变换器的高性能电流模式 PWM 转换芯片。芯片集成有高压 启动电路， 可以获得快速启动和低待机的性能。芯片支持 9V-60V 的 VDD 供电 ,方便满足宽电压输 出电源的要求 。 U8720S 芯片结合 CCM 模式，QR 模式，绿色节能模式和打嗝模式工作，全范围优化效率， 实现待机功耗小于 30mW。 U8720S 集成有完备的保护功能，包 括：VDD 欠压保护 (UVLO) 、VD
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- [公司新闻]PD20W 单电压认证款2026年05月15日 15:53
- （ PD20W 氮化镓应用方案 ） U8722SP+U7714A PD20W 氮化镓应用方案1.方案介绍及产品特色 U8722SP 是一款集成E-GaN 的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路， 可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于30mW 的超低待机功耗。 U8722SP 的工作频率最高可达220kHz，可全范围工作在准谐振模式。芯片集成峰值电流抖动功能和驱 动电流可配置功能，可极大的优化系统EMI 性能。芯片内置Boost 供电电路
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- [公司新闻]20W氮化镓电源方案 U8722SP2026年05月09日 16:27
- 20W氮化镓电源方案 U8722SP主要特点 ? 集成高压E-GaN ? 集成高压启动功能 ? 超低启动和工作电流，待机功耗30mW ? 谷底锁定模式， 最高工作频率两档可调 (220kHz，130kHz) ? 集成EMI 优化技术 ? 驱动电流分档配置 ? 集成Boost 供电电路 ? 集成完备的保护功能： ? VDD 过压/欠压保护(VDD OVP/UVLO) ? 输出过压保护(OVP) ? 输出欠压保护(DEM UVP) ? 输入过压保
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- [公司新闻]PD30W E-GaN 单电压认证款2026年04月03日 14:07
- PD30W 单电压认证款 U8722BAS(G)+U7612A1. 方案介绍及产品特色 U8722BAS(G) 是一款集成 E-GaN 的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于 30mW 的超低待机功耗。 U8722BAS(G) 的工作频率最高可达 220kHz，可全范围工作在准谐振模式。芯片集成峰值电流抖动功能和 驱动电流可配置功能，可极大的优化系统 EMI 性能。芯片内置 Boost 供电电路，非常适用于
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