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12V 1A能效六级方案
更多 +
效率满足六级能效要求。
内置频率抖动EMI。
内置高低压过流补偿。
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护。
内置专利的线损补偿,提高量产精度。
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10W系列 5V 2A电源方案
PSR控制模式，无光耦，无431。更多 +
±5% 的恒流恒压精度。
专利的‘NC-Cap/PSR’技术。
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求,待机＜75mW。
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24W系列 12V2A能效六级方案
提高系统效率，异音更多 +
内置软启动, 管脚浮空保护
效率满足 六级能效
启动电流
QR技术提高全负载效率,EMI和谷底切换异音
输出过压保护电压可外部编程
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
VDD欠压保护(ULVO), 过压保护及钳位
零电压带载启动减小OCP恢复间隙
内置频率抖动EMI
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18W系列12V1.5A能效六级方案
更多 +
效率满足六级能效要求
内置650V 功率MOSFET
内置65KHz 工作频率
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
电流启动
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
内置频率抖动EMI
内置逐周期电流限制, 内置前沿消隐
内置高低压过流补偿实现全电压平坦OCP曲线
VDD欠压保护(ULVO), 过压保护及钳位
OLP可编程
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65W系列 19V3.42A能效六级方案
优化降频技术提率更多 +
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
效率满足 六级能效
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
无异音OCP补偿低压重载异音
OLP时间可编程
VDD欠压保护(ULVO), 过压保护及钳位
内置同步斜率补偿. 逐周期电流限制, 内置前沿消隐
内置频率抖动EMI
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60W系列 12V5A能效六级方案
更多 +
±5％恒压恒流精度, 快速动态响应控制
待机功耗小于75mW
自动补偿输入电压.电感感量变化
自动补偿输入电压.电感感量变化
启动电流
前沿消隐
内置斜率补偿
逐周期电流限制
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48W系列 48W能效六级方案
提高系统效率，异音。更多 +
内置频率抖动EMI。
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求。
内置高低压过流补偿。
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护。
待机功耗(≤75mW)
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10W系列5V2A能效六级方案
更多 +
效率满足六级能效要求
内置650V 功率MOSFET
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护
零电压带载启动减小OCP恢复间隙
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
±5％恒压恒流精度
内置反馈脚(FB)短路保护
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5W系列 5V1A能效六级方案
QR-PSR控制提高工作效率更多 +
内置700V 功率三极管
效率满足 ‘DoE六级能效’，待机＜75mW
±4％恒压恒流精度，多模式PSR控制内置频率抖动EMI
内置快速动态响应控制，无异音工作
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
VDD欠压保护（UVLO）,过压保护及钳位
OTP过温保护
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5V1.5A能效六级方案
QR-PSR控制提高工作效率。更多 +
±4% 的恒流恒压精度,PSR控制模式。
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求,待机＜70mW。
内置专利的线损电压补偿。
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护。
VDD欠压保护，VDD过压保护及钳位。
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10W系列 5V2A能效六级方案
±4％恒压恒流精度，多模式PSR控制。更多 +
内置频率抖动EMI。
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求。
内置高低压过流补偿。
内置快速动态响应控制，无异音工作。
输出过压保护，VDD欠压保护，VDD过压保护及钳位。
QR-PSR控制提高工作效率。
内置600V 功率MOSFET
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12W系列 12V1A能效六级方案
专利QR控制，提高系统效率，异音。更多 +
效率满足六级能效要求。
内置频率抖动EMI。
内置高低压过流补偿。
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护。
内置专利的线损补偿,提高量产精度。
内置反馈脚(FB)短路保护
支持高50V 输出电压
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5W系列 5V1A能效六级方案
QR-PSR控制提高工作效率更多 +
内置700V 功率三极管
效率满足 ‘DoE六级能效’，待机＜75mW
±4％恒压恒流精度，多模式PSR控制内置频率抖动EMI
内置快速动态响应控制，无异音工作
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
VDD欠压保护（UVLO）,过压保护及钳位
OTP过温保护
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12W系列 5V2.4A能效六级方案
更多 +
效率满足六级能效要求
内置650V 功率MOSFET
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护
零电压带载启动减小OCP恢复间隙
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
±5％恒压恒流精度
内置反馈脚(FB)短路保护
- [公司新闻]5-24V适配器E-GaN电源应用方案：U8722DE+U7110W2025年08月14日 14:26
- 电源适配器能将家庭用电的高电压转换成设备能工作的稳定低电压，确保设备正常运行。除了电脑、手机、游戏机，还广泛配套于安防摄像头、机顶盒、路由器、灯条、按摩仪等设备中。深圳银联宝今天推荐的是5-24V适配器E-GaN电源应用方案：U8722DE+U7110W。 E-GaN电源芯片U8722DE主要特征： 集成700V E-GaN 集成高压启动功能 超低启动和工作电流，待机功耗30mW 谷底锁定模式，最高工作频率两档可调(220kHz，130kHz) 集成EMI优化技术 驱动电流分
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- [公司新闻]5v2a小体积、高效率开关电源应用方案U7711C+U9513B2025年08月14日 10:05
- 在隔离电源设计中，同步整流芯片的应用显得尤为重要。隔离电源需要通过变压器实现输入与输出的电气隔离，以确保安全。而在这个过程中，整流环节是不可或缺的。传统的二极管整流虽然简单，但效率较低，发热严重。同步整流芯片的应用，则能显著提升整流效率，降低发热，提高电源的可靠性和稳定性。 银联宝同步整流芯片U7711C是一款用于替代反激变换器中副边肖特基二极管的低成本、高性能同步整流功率开关，内置超低导通阻抗功率MOSFET以提升系统效率。U7711C支持Low Side配置，采用输出直接
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- [公司新闻]PD 20W全电压认证款U8722BAS+U7612B方案资料2025年08月08日 10:52
- PD20W全电压认证款U8722BAS+U7612B规格参数： 1、输入规格：90V-264V 50/60Hz 2、输出规格：C口 PD20W——5V3A / 9V2.22A / 12V1.67A 3、芯片型号：主控——U8722BAS、同步——U7612B、协议——SDC5433 5493C PD快充芯片U8722BAS集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET
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- [公司新闻]充电器、适配器能效管理推荐——快充电源芯片U86092025年08月07日 15:02
- 发电、输电、储电和用电的各个环节需要更智能、更高效的能源管理，才能更好实现降低能源消耗、低碳化的愿景。功率半导体技术则是这一链条各环节的核心所在。GaN技术的一个典型应用是，提升智能手机和笔记本电脑的充电器效率和功率密度。在GaN FET驱动市场，有这么一颗广受关注的快充电源芯片U8609，推荐给各位小伙伴！ 快充电源芯片U8609是一款集成E-GaN的恒压恒流PSR反激功率开关管，可为18~65W适配器应用提供全新的解决方案。U8609采用原边反馈控制，可节省光耦和TL43
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- [公司新闻]超结硅功率MOS电源管理ic U8623+同步整流ic U7610A方案2025年08月01日 11:21
- 在相同650V耐压下，超结MOS的导通电阻（85mΩ）仅为传统器件（200mΩ）的约42%，开关频率上限提升至100kHz（传统为50kHz）。超结MOS相较于传统MOSFET，效率提升显著。今天推荐的电源方案，是来自深圳银联宝科技内置0.85Ω/650V的超结硅功率MOS电源管理icU8623+同步整流icU7610A！ 电源管理icU8623是一款恒压、恒功率、恒温离线型电流模式PWM电源管理芯片，内置0.85Ω/650V的超结硅功率MOS。U8623具有全负载高效率、
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- [公司新闻]PD65W氮化镓快充电源应用高转换效率方案：U8765+U7110W2025年07月30日 14:27
- 设计大电流，高开关频率同步降压电路时，要想设计一个稳定可靠的系统，PCB布局显得尤为重要。同步整流icU7110W设计同步整流电路时建议参考下图的内容。图为PCB布局设计参考，包含U7110W、变压器副边引脚和输出滤波电容等。 1. 副边主功率回路Loop1的面积尽可能小。 2. VDD电容推荐使用1μF的贴片陶瓷电容，尽量紧靠IC，Loop2的面积尽可能小。 3. HV到Drain建议串联30~200Ω的电阻，推荐典型值100Ω。HV检测点位置对CCM应力有影响，HV检测
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