- 05-22 2025
- 全电压！PD 20W氮化镓电源方案认证款：U8722BAS+U7612B 上次给大家介绍了20W氮化镓单电压的应用方案，立马就有小伙伴发出了全电压应用方案的需求。深圳银联宝科技有求必应，PD 20W氮化镓电源方案全电压认证款：U8722BAS+U7612B方案来咯！ 主控氮化镓电源芯片U8722BAS是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于30mW的超低待机功耗。U8722BAS的工作频率最高可达220kHz，可全范围工作在准谐振模式。芯片集成峰值电流抖动功能 查看详情
- 05-21 2025
- 氮化镓GaN快充芯片U8732轻松应对充电问题 氮化镓充电器与普通充电器在充电效率方面对比，性能遥遥领先。它支持多种快充协议，如PD、QC等，能够智能识别设备所需的充电功率，实现快速充电。无论是苹果手机、安卓手机，还是笔记本电脑、平板电脑，氮化镓充电器都能轻松应对，一充搞定。充电器自然离不开芯片的支持，今天主推的就是来自深圳银联宝科技的氮化镓GaN快充芯片U8732！ 氮化镓GaN快充芯片U8732特点： 1.集成 700V E-GaN 2.集成高压启动功能 3.超低启动和工作电流，待机功耗 30mW 4.谷底锁定模式， 查看详情
- 05-20 2025
- 30W单高压耐压700V氮化镓电源ic U8724AH CS管脚通常用于采样电感电流，实现峰值电流控制，并且可以限制最大输入电流，从而实现过流保护功能。此外，CS管脚还可以用于设定系统的最高工作频率。通过连接不同阻值的RSEL电阻，可以设定不同的系统工作频率上限。氮化镓电源icU8724AH复用CS管脚以设定系统最高工作频率，CS管脚连接如图所示。 芯片启动时，氮化镓电源icU8724AH通过检测RSEL电阻从而决定芯片最大工作频率。设定不同的RSEL电阻值即可选择两档不同的系统工作频率上限。选档判定结束后系统锁定，每一次启 查看详情
- 05-19 2025
- 氮化镓PD快充ic U8608输入过欠压保护电路安全运行 过压保护和欠压保护是维护芯片电路安全运行的关键功能。有些芯片会提供一个欠压保护引脚，当欠压保护被触发时，该引脚会产生一个信号。通过检测该引脚的状态，可以判断芯片是否处于欠压保护状态。深圳银联宝氮化镓PD快充icU8608输入过欠压保护 (Line OVP/BOP)，先来看看它的引脚。 PD快充icU8608引脚特征： 1 NTC I/O 外置过温检测管脚 2 COMP I/O 运放输出，在该 pin 脚和 GND 之间连接阻容网络用于调节环路。 3 FB I/O 输出反馈、 查看详情
- 05-16 2025
- 氮化镓PD快充芯片U8722DAS可减少高频噪声和应力冲击 氮化镓PD快充芯片U8722DAS集成轻载SR应力优化功能，在轻载模式下，芯片将原边开通速度减半（如配置为特定驱动电流档位时），减缓开关动作的瞬态变化，从而减小次级侧SR器件的电压尖峰，通过分压电阻设置驱动电流档位（三档可选），平衡EMI性能与效率。低驱动电流档位可降低SR开关速度，减少高频噪声和应力冲击。 氮化镓PD快充芯片U8722DAS特征： ▲集成 高压 E-GaN ▲集成高压启动功能 ▲超低启动和工作电流，待机功耗 30mW ▲谷底锁定模式， 最高工作频率两档可调( 查看详情
- 05-15 2025
- 20W氮化镓电源ic U8722SP谷底锁定模式优化损耗 谷底锁定模式是一种应用于开关电源如反激式拓扑、准谐振电源中的关键技术，其核心在于通过精确控制开关管的导通时机以降低损耗和提升系统稳定性。在深圳银联宝科技最新推出的20W氮化镓电源icU8722SP中，谷底锁定及降频工作模式，可以有效避免负载变化时因谷底跳频导致的变压器工作不稳定或噪声问题，延长器件寿命，也为系统效率带来了一定的提升！ 氮化镓电源icU8722SP采用峰值电流控制模式，可以自适应的工作在QR和降频工作模式，从而实现全负载功率范围内的效率优化。在满载和重载工况下 查看详情
- 05-15 2025
- 45W集成高压E-GaN快充电源方案U8726AHE+U7269 氮化镓电源电路由于减少了元件数量和功率转换器占用的空间而更具吸引力。深圳银联宝科技作为E-GaN快充电源方案制造商，大量投入工程研发以应对各类技术挑战，为市场提供了各种功率级和多种功能的集成解决方案，今天推荐的是银联宝45W集成高压E-GaN快充电源方案U8726AHE+U7269！ 快充电源芯片U8726AHE集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV (典型值6.4V)。E 查看详情
- 05-14 2025
- 30W E-GaN高频高性能快充电源ic U8731 GaN器件采用二维电子气结构，能够提供更高的电子迁移率和导电性能，因此适用于高频应用，可以实现更高效的功率转换。深圳银联宝科技研发生产的快充电源icU8731，集成700VE-GaN，高频高性能，推荐工作频率130KHz/220KHz，推荐最大输出功率30W，介绍给小伙伴们！ 快充电源icU8731采用的是HSOP-7封装，管脚说明如下： 1 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚 2 FB I 系统反馈输入管脚 3 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能 查看详情
- 05-13 2025
- 12V2A/3A氮化镓电源方案U8607/U8609+同步整流芯片U7613 深圳银联宝科技最新上市的氮化镓电源方案：U8607/U8609+同步整流芯片U7613，推荐输出功率12V2A、12V3A，非标共板，方案成熟，性能可靠，可满足更高性能要求、更低成本需求！ 氮化镓电源芯片U8607/U8609采用原边反馈控制，可节省光耦和TL431，简化电源BOM。它合封第三代半导体GaN FET，最高工作频率130kHz，有利于降低电源尺寸。特征如下： *原边反馈控制，无需光耦和 TL431 *集成 700V GaN FET 驱动 *集成高压启动功能 * 查看详情
- 05-12 2025
- 33W全负载高效率超结硅电源管理方案：U8623+U7612B 由于芯片结构的改变，超结MOS的结电容比传统MOS有很大的降低，超结MOS具有极低的内阻，在相同的芯片面积下，超结MOS芯片的内阻甚至只有传统MOS的一半以上。较低的内阻，能降低损耗，减少发热。今天深圳银联宝科技带来的是33W全负载高效率超结硅电源管理方案：U8623+U7612B，可显著提升产品的易用性和效率！ 电源管理芯片U8623是一款恒压、恒功率、恒温离线型电流模式PWM 电源管理芯片，内置0.85Ω/650V的超结硅功率 MOS。U8623具有全负载高效率、低空载 查看详情
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