- 06-04 2025
- 45W单压单C氮化镓电源方案：主控U8722EE+同步U7116W 45W单压单C氮化镓电源方案推荐的主控芯片是来自深圳银联宝科技的氮化镓电源芯片U8722EE，同步也是采用银联宝的同步整流芯片U7116W。为大家介绍下芯片的主要性能！ 氮化镓电源芯片U8722EE特性： 集成700V E-GaN 集成高压启动功能 超低启动和工作电流，待机功耗30mW 谷底锁定模式，最高工作频率两档可调(220kHz，130kHz) 集成EMI优化技术 驱动电流分档配置 集成 Boost 供电电路 集成完备的保护功能： VDD过压/欠压保护 (VDD OV 查看详情
- 06-03 2025
- 内置0.85/650V的超结硅电机驱动器电源芯片U8623 ■功能描述 电机驱动器电源芯片U8623是一款峰值电流控制方式的PWM电源管理芯片，适用于离线型的反激拓扑开关变换器。U8623内置合封一颗0.85Ω/650V的高压MOS。芯片设计有完善的多种保护功能和自适应选择工作模式，使得适用U8623的电源系统具有全负载高效率、低空载损耗、低EMI干扰和高EMS抗干扰、极少外围应用元件。 ■系统启动和静态电流 电机驱动器电源芯片U8623的启动电流低至10uA，启动电路的电阻值可以高达4M，这样使电源系统拥有更低的损耗；芯片静态电流 查看详情
- 05-30 2025
- 集成MOS耐压700V低启动低功耗的PD快充芯片U8722SP 耐压值定义了芯片安全工作电压上限，若输入电压超过该值（如动态波动或负载突变），可能引发击穿或永久损坏，直接影响器件可靠性、性能表现及系统适配性。高耐压芯片需更大厚度或更高电阻率的半导体材料，工艺制程要求更高。深圳银联宝科技的PD快充芯片U8722SP是一款集成 E-GaN 的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关，集成MOS耐压700V，值得一试！ PD快充芯片U8722SP集成了高压启动功能。如图1所示，在启动阶段，U8722SP通过芯片DRAIN脚对VDD充电，当VDD电 查看详情
- 05-29 2025
- 12v3a原边反馈快充电源ic U8609节省光耦和TL431 GaN FET支持MHz级开关频率，显著高于传统硅基器件，通过减小无源元件体积实现系统小型化，使开关损耗降低20%-30%。深圳银联宝快充电源icU8609合封第三代半导体GaN FET，最高工作频率130kHz，采用原边反馈控制，可节省光耦和TL431，简化电源BOM，有利于降低电源尺寸！ 快充电源icU8609是一款集成E-GaN的恒压恒流PSR反激功率开关管，可为18~65W适配器应用提供全新的解决方案。U8609集成谷底锁定技术可以防止频率抖动产生噪音。它采用CS 查看详情
- 05-29 2025
- ASOP7-T4封装E-GaN快充电源芯片U8724AHS 芯片的脚位是芯片与外部电路进行连接的桥梁。通过引脚，芯片可以与电路板上的其他组件进行连接，构成完整的电路。引脚用于为芯片提供电源和接地，还可以用于控制和指示芯片的工作状态。今天，就请跟着银联宝小编的视角，一起看看关于快充电源芯片U8724AHS引脚的事！ 快充电源芯片U8724AHS封装形式ASOP7-T4，引脚特征如下： 1 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚 2 FB I 系统反馈输入管脚 3 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能力分档判定管脚 查看详情
- 05-28 2025
- 22.5W PD快充电源芯片应用方案之U8621+U7610B 受限于设备本身的体积和当下电池技术的瓶颈，电池容量无法显著突破，快速“补电”成为了眼下解决电量焦虑的最切实可行的解决办法。深圳银联宝今天推荐的是22.5W快充电源芯片应用方案之——U8621+U7610B！ 快充电源芯片U8621是一款峰值电流控制方式的PWM电源管理芯片，适用于离线型的反激拓扑开关变换器。U8621内置合封一颗1.9Ω/630V的高压MOS。芯片设计有完善的多种保护功能和自适应选择工作模式，使得适用U8621 查看详情
- 05-27 2025
- 耐压650V氮化镓快充芯片U8733L优化能源利用效率 恒功率控制方式通过精确的控制策略和先进的电子技术，实现了在各种工况下输出功率的恒定。其基本原理是通过调节系统的输入或输出参数（如电压、电流等），使得系统在负载变化时能够维持输出功率不变。银联宝氮化镓快充芯片U8733L集成恒功率控制与主动降功率控制功能，在恒功率区间，通过控制输出电流随输出电压变化，实现恒功率功能。 氮化镓快充芯片U8733L特征： 集成 700V E-GaN 集成高压启动功能 超低启动和工作电流，待机功耗 30mW 谷底锁定模式，最 高 工 作 频 率 两 查看详情
- 05-26 2025
- 氮化镓快充电源ic U8765全负载功率范围内效率优化 QR模式一般工作在变频模式下，根据负载大小改变变换器的频率。当负载变轻时，变换器的频率会增加，以适应轻载条件下的高效运行。QR模式通过检测原边电流和电压的变化，实现开关管的最佳开通时机，从而减少开关损耗。氮化镓快充电源icU8765采用峰值电流控制模式，可以自适应的工作在QR和降频工作模式，从而实现全负载功率范围内的效率优化！ 在满载和重载工况下，系统工作在QR工作模式，可以大幅降低系统的开关损耗。氮化镓快充电源icU8765根据FB电压值调节谷底个数，同时为了避免系统在临界 查看详情
- 05-23 2025
- 同步整流芯片U7106在氮化镓电源方案U8766中的应用 氮化镓器件开关频率升级，同步整流芯片需具备高速响应能力，确保高频工况下精准控制同步整流管的开通与关断时。同步整流芯片U7106应用在氮化镓电源芯片U8766中可显著减少功率损耗，提升转换效率！ 同步整流芯片U7106是一款高频率、高性能、CCM同步整流开关，可以在GaN系统中替代肖特基整流二极管以提高系统效率。U7106内置有VDD高压供电模块，无需辅助绕组供电可稳定工作，系统上支持High Side和Low Side配置，兼顾了系统性能和成本。 同步整流芯片U7106特性 查看详情
- 05-22 2025
- 65W集成EMI优化技术的E-GaN电源芯片U8722FE E-GaN电源芯片U8722FE是U8722X系列最新增加的型号，ID(A)(TJ=125℃)4.0，耐压700V，推荐功率60W，采用的是ESOP-7封装，具体脚位如下： 1 CSI/O 电流采样输入、最高频率选择管脚 2 FB P 系统反馈输入管脚 3 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能力分档判定管脚 4 VDD P 芯片供电管脚 5 SW P Boost 电路内置 MOS 的漏极管脚 6,7 GND P 芯片参考地 8 DRAIN P 内置高压 GaN 查看详情
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