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05-09 2025
氮化镓PD快充芯片U8733集成恒功率与主动降功率多控制功能 芯片恒功率控制,意味着无论负载变化如何,系统都能保持恒定的输出功率,确保设备在各种工作条件下都能稳定运行。当检测到系统温度过高时,主动降功率功能会启动,以降低系统温度,防止过热。深圳银联宝科技的氮化镓PD快充芯片U8733,就集成了恒功率控制和主动降功率控制功能,一起来看看! 氮化镓PD快充芯片U8733集成恒功率控制与主动降功率控制功能,在恒功率区间,通过控制输出电流随输出电压变化,实现恒功率功能。外置温度检测环境温度,当温度过高主动降功率以降低系统温度,保证系统稳定 查看详情
05-08 2025
ESOP-10W封装输入欠压保护氮化镓快充芯片U8766 在65W氮化镓快充设计中,输入欠压保护与过压保护协同工作,保障充电头在电网波动时仍能稳定输出,并避免因输入异常导致次级电路损坏。今天介绍的65W全压氮化镓快充芯片U8766,输入欠压保护(BOP),采用ESOP-10W封装! 氮化镓快充芯片U8766通过HV管脚对母线电压进行采样,当母线电压值小于BOP保护阈值VBOP (典型值 100V)时,芯片内部的BOP延迟计时使能,计时时间为TBOP_DELAY(典型值 80ms),计时结束后触发BOP保护。如果母线电压超过BOP恢复 查看详情
05-08 2025
30~65W快充应用CCM同步整流芯片U7106 同步整流芯片U7106采用PDFN5*6封装,是一款高频率、高性能、CCM 同步整流开关,典型应用于30~65W快充,无需辅助绕组供电可稳定工作,可以在GaN系统中替代肖特基整流二极管以提高系统效率。 同步整流芯片U7106电路设计参考如下: 1. 副边主功率回路 Loop1 的面积尽可能小。 2. VDD 电容推荐使用 1μF 的贴片陶瓷电容,尽量紧靠 IC,Loop2的面积尽可能小。 3. HV 到Drain建议串联30~200Ω的电阻,推荐典型值100Ω。HV连接到D 查看详情
05-07 2025
PD 20W氮化镓单电压应用方案:U8722AH+U7715 深圳银联宝科技推出的PD20W氮化镓单电压应用方案,主控芯片使用的是氮化镓快充芯片U8722AH,同步整流芯片U7715,协议338E。输入规格:180V-264V 50Hz,输出规格:C口,PD20W:5V3A / 9V2.22A / 12V1.67A。 氮化镓快充芯片U8722AH特点: 1.集成 700V E-GaN 2.集成高压启动功能 3.超低启动和工作电流,待机功耗 30mW 4.谷底锁定模式, 最高工作频率两档可调(220kHz,130kHz) 5.集 查看详情
05-06 2025
带恒功率集成高压E-GaN氮化镓电源IC U8723AHS 恒功率电源芯片具有稳压、高效、过载保护等特性,适用于一些功率要求严格的应用场景,如充电器、LED驱动器、电动工具等。今天推荐的深圳银联宝带恒功率集成高压E-GaN氮化镓电源ICU8723AHS,不仅可以提高电路的稳定性和可靠性,同时也可以提高能源利用效率,使优势发挥到最大! 针对宽输出电压应用场合,为了满足VDD的宽电压应用需求,往往需要添加额外的电路或者辅助绕组,导致系统功耗和电路成本的增加。氮化镓电源ICU8723AHS集成了Boost供电技术,仅在SW管脚添加一颗贴片电 查看详情
04-29 2025
SOP-7封装20W氮化镓快充芯片U8722SP来咯! 深圳银联宝氮化镓系列又双叒叕上“芯”料啦——U8722SP!氮化镓快充芯片U8722SP采用SOP-7封装,推荐最大输出功率20W,集成MOS耐压700V,典型应用于快速充电器和适配器上,脚位如下: 1 GND P 芯片参考地 2 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚 3 FB I 系统反馈输入管脚 4 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能力分档判定管脚 5 SW P Boost 电路内置 MOS 的漏极 查看详情
04-28 2025
氮化镓快充芯片U8608集成多维度安全防护机制 深圳银联宝氮化镓快充芯片U8608具有多重故障保护机制,通过集成多维度安全防护,防止设备出现过充电、过放电、过电流等问题,在电子设备中构建起全方位的安全屏障,今天具体分析一下! ■输入过欠压保护 (Line OVP/BOP) 氮化镓快充芯片U8608通过DRAIN管脚对母线电压进行采样,当母线电压值小于Line BOP 保护阈值VBOP (典型值70Vac)时,芯片内部的Line BOP延迟计时使能,计时时间为TBOP_DELAY(典型值 80ms),计时结束后触发Lin 查看详情
04-27 2025
耐压700V氮化镓电源ic U8765散热性能优越 氮化镓凭借高频高效特性,具备了体积小、功率高、发热低等优势,但小型化虽好,散热才是硬道理,选氮化镓电源ic得看准散热设计。今天就给小伙伴们推荐一款散热性能优越、耐压700V的氮化镓电源icU8765! 当氮化镓电源icU8765结温超过TSD (典型值150℃)时,芯片停止工作,进入过热保护。当芯片温度下降至TRC (典型值 120℃),芯片重新启动。U8765封装类型ESOP-10W,引脚分析如下: 1 HV P 高压启动管脚 2 DRAIN P GaN FET 漏极引脚 查看详情
04-25 2025
20V单高压45W氮化镓电源芯片U8726AHE EMI性能为高频交直流转换器的设计难点,为此氮化镓电源芯片U8726AHE通过DEM管脚集成了驱动电流分档配置功能。通过配置DEM管脚分压电阻值,可以选择不同档位的驱动电流,进而调节GaN FET的开通速度,系统设计者可以获得最优的EMI性能和系统效率的平衡。 氮化镓电源芯片U8726AHE引脚: 1 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚 2 FB I 系统反馈输入管脚 3 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能力分档判定管脚 4 VDD P 芯片供电管 查看详情
04-24 2025
具有双LDO供电配置的同步整流ic U7268 同步整流icU7268是一款高性能副边同步整流控制器,当配合外置MOS使用时,可以替代肖特基整流二极管以提高系统效率。U7268支持High Side和Low Side配置,且内置有VDD高压供电模块,无需辅助绕组供电,降低了系统成本。U7268具有快速关断功能,支持断续工作模式(DCM)、准谐振工作模式(QR)及连续工作模式(CCM)。U7268内部集成有智能的开通检测功能,可以有效防止断续工作模式(DCM)中由于Vds振荡引起的SR误开通。 PCB 设计对同步整流icU 查看详情
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