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U6615S电源芯片ic
更多 +
多模式原边控制方式
工作无异音
优化的动态响应
可调式线损补偿
集成线电压和负载电压的恒流补偿
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副边50W开关电源芯片 SF5773
品牌：银联宝电子更多 +
型号：SF5773 SSR控制模式，
±5% 的恒压精度。
副边反馈/外驱MOSFET
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求,待机＜75mW。
- [公司新闻]25W氮化镓电源芯片方案U8723AH+U7612B输出可选5V、9V、12V2025年06月13日 10:44
- 同一套电源芯片方案，可直接应用于不同的电压输出上，这不仅有效节省成本，更是大大缩短了开发时间，使项目收益最大化。深圳银联宝科技最新推出的25W氮化镓电源芯片方案U8723AH+U7612B，输出可选5V、9V、12V，注重空间布局和兼容性问题，通过了认证测试，低耗高效，值得推荐！ 同步整流芯片U7612B是一款高频率、高性能、CCM同步整流开关，可以在GaN系统中替代肖特基整流二极管以提高系统效率。在VDD电压上升到VDD开启电压VDD_ON (典型值4.5V)之前，芯片处于
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- [公司新闻]12v2a快充电源ic U8607完善保护增强防御机制2025年06月12日 14:41
- 电源ic的保护功能，其核心意义在于构建多层次安全防线，确保硬件安全、数据完整及系统可靠性，通过实时监测电流电压，异常时切断电路，减少开关损耗，降低故障率并提升能效。今天介绍的是深圳银联宝科技12v2a快充电源icU8607多种保护功能！ ■ 输入过欠压保护 (Line OVP/BOP) 快充电源icU8607通过DRAIN管脚对母线电压进行采样，当母线电压值小于Line BOP保护阈值VBOP(典型值70Vac)时，芯片内部的Line BOP延迟计时使能，计时时间为TBOP
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- [公司新闻]银联宝快充电源ic U8731满足快速充电硬核需求2025年06月11日 14:15
- 作为苹果全新打造的iOS操作系统，视觉效果确实令人耳目一新，但新界面所带来的耗电量严重、续航时间缩短、机身发热发烫等问题，让体验感大打折扣。无论系统多么炫酷，对于手机而言，电量是血液，手机充电器则是供血站。还好有深圳银联宝科技带来的，集成GaN FET、带恒功率功能的高性能快充电源icU8731，可以让充电效率翻倍，续航升级，一起看看吧！ E-GaN快充电源icU8731特点： ●集成 700V E-GaN ●集成高压启动功能 ●超低启动和工作电流，待机功耗 30mW ●谷
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- [公司新闻]20V单高压带恒功率氮化镓PD快充芯片U8725AHE2025年06月05日 15:07
- 充电器和适配器等快充设备，需匹配高功率密度与宽电压输出范围的快充芯片。深圳银联宝科技推出的20V单高压带恒功率氮化镓PD快充芯片U8725AHE，集成高压启动、功率器件和保护电路，省去外部Boost/Buck电路及分立元件，缩小PCB面积；内置高压E-GaN和Boost供电电路，支持宽电压输出，切莫错过！ PD快充芯片U8725AHE主要特性： 1.集成 高压 E-GaN 2.集成高压启动功能 3.超低启动和工作电流，待机功耗 30mW 4.谷底锁定模式， 最高工作频率两档可
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- [公司新闻]恒压恒流PSR 12V2A氮化镓电源方案U8608+U7613A2025年06月05日 11:26
- 在手机充电器的应用中，电池与充电器之间一般会通过一定长度的电缆相连，由此也将导致输送到电池端的电压产生一定的电压降。氮化镓电源icU8608内置线损补偿功能，根据负载的变化调整线损补偿量，从而使得线缆输出端获得平直的恒压输出曲线。线损补偿的最大值为输出电压的3%。再搭配同步整流icU7613A，就可获得一个品质可靠、性能高效的恒压恒流PSR 12V2A氮化镓电源方案！ 深圳银联宝氮化镓电源icU8608是一款集成E-GaN的恒压恒流PSR反激功率开关管，可为18~65W适配器
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- [公司新闻]45W单压单C氮化镓电源方案：主控U8722EE+同步U7116W2025年06月04日 10:28
- 45W单压单C氮化镓电源方案推荐的主控芯片是来自深圳银联宝科技的氮化镓电源芯片U8722EE，同步也是采用银联宝的同步整流芯片U7116W。为大家介绍下芯片的主要性能！ 氮化镓电源芯片U8722EE特性： 集成700V E-GaN 集成高压启动功能 超低启动和工作电流，待机功耗30mW 谷底锁定模式，最高工作频率两档可调(220kHz，130kHz) 集成EMI优化技术 驱动电流分档配置 集成 Boost 供电电路 集成完备的保护功能： VDD过压/欠压保护 (VDD OV
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- [公司新闻]集成MOS耐压700V低启动低功耗的PD快充芯片U8722SP2025年05月30日 14:16
- 耐压值定义了芯片安全工作电压上限，若输入电压超过该值（如动态波动或负载突变），可能引发击穿或永久损坏，直接影响器件可靠性、性能表现及系统适配性。高耐压芯片需更大厚度或更高电阻率的半导体材料，工艺制程要求更高。深圳银联宝科技的PD快充芯片U8722SP是一款集成 E-GaN 的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关，集成MOS耐压700V，值得一试！ PD快充芯片U8722SP集成了高压启动功能。如图1所示，在启动阶段，U8722SP通过芯片DRAIN脚对VDD充电，当VDD电
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- [公司新闻]12v3a原边反馈快充电源ic U8609节省光耦和TL4312025年05月29日 14:48
- GaN FET支持MHz级开关频率，显著高于传统硅基器件，通过减小无源元件体积实现系统小型化，使开关损耗降低20%-30%。深圳银联宝快充电源icU8609合封第三代半导体GaN FET，最高工作频率130kHz，采用原边反馈控制，可节省光耦和TL431，简化电源BOM，有利于降低电源尺寸！ 快充电源icU8609是一款集成E-GaN的恒压恒流PSR反激功率开关管，可为18~65W适配器应用提供全新的解决方案。U8609集成谷底锁定技术可以防止频率抖动产生噪音。它采用CS
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- [公司新闻]ASOP7-T4封装E-GaN快充电源芯片U8724AHS2025年05月29日 11:25
- 芯片的脚位是芯片与外部电路进行连接的桥梁。通过引脚，芯片可以与电路板上的其他组件进行连接，构成完整的电路。引脚用于为芯片提供电源和接地，还可以用于控制和指示芯片的工作状态。今天，就请跟着银联宝小编的视角，一起看看关于快充电源芯片U8724AHS引脚的事！ 快充电源芯片U8724AHS封装形式ASOP7-T4，引脚特征如下： 1 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚 2 FB I 系统反馈输入管脚 3 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能力分档判定管脚
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- [公司新闻]22.5W PD快充电源芯片应用方案之U8621+U7610B2025年05月28日 14:28
- 受限于设备本身的体积和当下电池技术的瓶颈，电池容量无法显著突破，快速“补电”成为了眼下解决电量焦虑的最切实可行的解决办法。深圳银联宝今天推荐的是22.5W快充电源芯片应用方案之——U8621+U7610B！ 快充电源芯片U8621是一款峰值电流控制方式的PWM电源管理芯片，适用于离线型的反激拓扑开关变换器。U8621内置合封一颗1.9Ω/630V的高压MOS。芯片设计有完善的多种保护功能和自适应选择工作模式，使得适用U8621
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- [公司新闻]耐压650V氮化镓快充芯片U8733L优化能源利用效率2025年05月27日 11:34
- 恒功率控制方式通过精确的控制策略和先进的电子技术，实现了在各种工况下输出功率的恒定。其基本原理是通过调节系统的输入或输出参数（如电压、电流等），使得系统在负载变化时能够维持输出功率不变。银联宝氮化镓快充芯片U8733L集成恒功率控制与主动降功率控制功能，在恒功率区间，通过控制输出电流随输出电压变化，实现恒功率功能。 氮化镓快充芯片U8733L特征： 集成 700V E-GaN 集成高压启动功能 超低启动和工作电流，待机功耗 30mW 谷底锁定模式，最 高 工 作 频 率 两
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- [公司新闻]全电压！PD 20W氮化镓电源方案认证款：U8722BAS+U7612B2025年05月22日 10:39
- 上次给大家介绍了20W氮化镓单电压的应用方案，立马就有小伙伴发出了全电压应用方案的需求。深圳银联宝科技有求必应，PD 20W氮化镓电源方案全电压认证款：U8722BAS+U7612B方案来咯！ 主控氮化镓电源芯片U8722BAS是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于30mW的超低待机功耗。U8722BAS的工作频率最高可达220kHz，可全范围工作在准谐振模式。芯片集成峰值电流抖动功能
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- [公司新闻]氮化镓GaN快充芯片U8732轻松应对充电问题2025年05月21日 14:36
- 氮化镓充电器与普通充电器在充电效率方面对比，性能遥遥领先。它支持多种快充协议，如PD、QC等，能够智能识别设备所需的充电功率，实现快速充电。无论是苹果手机、安卓手机，还是笔记本电脑、平板电脑，氮化镓充电器都能轻松应对，一充搞定。充电器自然离不开芯片的支持，今天主推的就是来自深圳银联宝科技的氮化镓GaN快充芯片U8732！ 氮化镓GaN快充芯片U8732特点： 1.集成 700V E-GaN 2.集成高压启动功能 3.超低启动和工作电流，待机功耗 30mW 4.谷底锁定模式，
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- [公司新闻]氮化镓PD快充ic U8608输入过欠压保护电路安全运行2025年05月19日 11:36
- 过压保护和欠压保护是维护芯片电路安全运行的关键功能。有些芯片会提供一个欠压保护引脚，当欠压保护被触发时，该引脚会产生一个信号。通过检测该引脚的状态，可以判断芯片是否处于欠压保护状态。深圳银联宝氮化镓PD快充icU8608输入过欠压保护 (Line OVP/BOP)，先来看看它的引脚。 PD快充icU8608引脚特征： 1 NTC I/O 外置过温检测管脚 2 COMP I/O 运放输出，在该 pin 脚和 GND 之间连接阻容网络用于调节环路。 3 FB I/O 输出反馈、
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- [公司新闻]20W氮化镓电源ic U8722SP谷底锁定模式优化损耗2025年05月15日 14:33
- 谷底锁定模式是一种应用于开关电源如反激式拓扑、准谐振电源中的关键技术，其核心在于通过精确控制开关管的导通时机以降低损耗和提升系统稳定性。在深圳银联宝科技最新推出的20W氮化镓电源icU8722SP中，谷底锁定及降频工作模式，可以有效避免负载变化时因谷底跳频导致的变压器工作不稳定或噪声问题，延长器件寿命，也为系统效率带来了一定的提升！ 氮化镓电源icU8722SP采用峰值电流控制模式，可以自适应的工作在QR和降频工作模式，从而实现全负载功率范围内的效率优化。在满载和重载工况下
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- [公司新闻]45W集成高压E-GaN快充电源方案U8726AHE+U72692025年05月15日 10:56
- 氮化镓电源电路由于减少了元件数量和功率转换器占用的空间而更具吸引力。深圳银联宝科技作为E-GaN快充电源方案制造商，大量投入工程研发以应对各类技术挑战，为市场提供了各种功率级和多种功能的集成解决方案，今天推荐的是银联宝45W集成高压E-GaN快充电源方案U8726AHE+U7269！ 快充电源芯片U8726AHE集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV (典型值6.4V)。E
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- [公司新闻]30W E-GaN高频高性能快充电源ic U87312025年05月14日 11:14
- GaN器件采用二维电子气结构，能够提供更高的电子迁移率和导电性能，因此适用于高频应用，可以实现更高效的功率转换。深圳银联宝科技研发生产的快充电源icU8731，集成700VE-GaN，高频高性能，推荐工作频率130KHz/220KHz，推荐最大输出功率30W，介绍给小伙伴们！ 快充电源icU8731采用的是HSOP-7封装，管脚说明如下： 1 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚 2 FB I 系统反馈输入管脚 3 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能
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- [公司新闻]12V2A/3A氮化镓电源方案U8607/U8609+同步整流芯片U76132025年05月13日 10:54
- 深圳银联宝科技最新上市的氮化镓电源方案：U8607/U8609+同步整流芯片U7613，推荐输出功率12V2A、12V3A，非标共板，方案成熟，性能可靠，可满足更高性能要求、更低成本需求！ 氮化镓电源芯片U8607/U8609采用原边反馈控制，可节省光耦和TL431，简化电源BOM。它合封第三代半导体GaN FET，最高工作频率130kHz，有利于降低电源尺寸。特征如下： *原边反馈控制，无需光耦和 TL431 *集成 700V GaN FET 驱动 *集成高压启动功能 *
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