设计大电流，高开关频率同步降压电路时，要想设计一个稳定可靠的系统，PCB布局显得尤为重要。同步整流ic U7110W设计同步整流电路时建议参考下图的内容。图为PCB布局设计参考，包含U7110W、变压器副边引脚和输出滤波电容等。

1. 副边主功率回路Loop1的面积尽可能小。

2. VDD电容推荐使用1μF的贴片陶瓷电容，尽量紧靠IC，Loop2的面积尽可能小。

3. HV到Drain建议串联30~200Ω的电阻，推荐典型值100Ω。HV检测点位置对CCM应力有影响，HV检测点离Drain引脚越远，CCM应力越小。如图所示的High Side配置中，建议HV通过R2电阻连接到输出电容的正端。

4. R1和C1构成同步整流开关的RC吸收电路，RC吸收回路Loop3的面积可能小。

5. Drain引脚的PCB散热面积尽可能大。

6. 如图所示，ASOP-6的封装框架与Drain引脚电位相同，芯片切筋后，框架金属有少量暴露，考虑到绝缘要求，外围元器件应与IC本体保持0.2mm以上的绝缘距离。

同步整流ic U7110W搭配氮化镓快充芯片U8765，可以做65W快充方案。U8765主要特性如下：

1. 集成高压 E-GaN

2. 集成高压启动功能

3. 超低启动和工作电流，待机功耗 <30mW

4. 谷底锁定模式， 最高工作频率两档可调(220kHz，130kHz)

5. 集成 EMI 优化技术

6. 驱动电流分档配置

7. 集成 Boost 供电电路

8. 集成完备的保护功能：VDD过压/欠压保护(VDD OVP/UVLO)、输出过压保护(OVP)、输入欠压保护(BOP)、片内过热保护(OTP)、逐周期电流限制(OCP)、异常过流保护(AOCP)、短路保护(SCP)、过载保护(OLP)、过流保护(SOCP)、前沿消隐(LEB)、CS管脚开路保护

9. 封装类型 ESOP-10W

氮化镓快充芯片U8765采用峰值电流控制模式，可以自适应的工作在QR和降频工作模式，从而实现全负载功率范围内的效率优化。在满载和重载工况下，系统工作在QR工作模式，可以大幅降低系统的开关损耗。芯片根据FB电压值调节谷底个数，同时为了避免系统在临界负载处的FB电压波动导致谷底数跳变，产生噪音，U8765采用了谷底锁定工作模式在负载一定的情况下，导通谷底数稳定，系统无噪音。

高效快充方案的核心是要选对同步整流ic与快充芯片。深圳银联宝科技推出的多套氮化镓快充芯片+同步整流ic+协议ic电源方案，通过内置同步整流功能或外部组合，实现电源应用的高转换效率、低功耗和小型化！