65W集成EMI优化技术的E-GaN电源芯片U8722FE
E-GaN电源芯片U8722FE是U8722X系列最新增加的型号,ID(A)(TJ=125℃)4.0,耐压700V,推荐功率60W,采用的是ESOP-7封装,具体脚位如下:
1 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚
2 FB P 系统反馈输入管脚
3 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能力分档判定管脚
4 VDD P 芯片供电管脚
5 SW P Boost 电路内置 MOS 的漏极管脚
6,7 GND P 芯片参考地
8 DRAIN P 内置高压 GaN FET 漏极、高压启动供电管脚
针对宽输出电压应用场合,为了满足VDD的宽电压应用需求,往往需要添加额外的电路或者辅助绕组,导致系统功耗和电路成本的增加。E-GaN电源芯片U8722FE集成了Boost供电技术,仅在SW管脚添加一颗贴片电感即可,在输出电压较低时,Boost电路启动工作,维持VDD电压在VBOOST_REG (典型值10V/10.2V),当输出电压升高,辅助绕组电压高于VBOOST_REG时,Boost电路停止工作,VDD由辅助绕组供电。
E-GaN电源芯片U8722FE特点:
1. 集成700V E-GaN
2. 集成高压启动功能
3. 超低启动和工作电流,待机功耗<30mW
4. 谷底锁定模式,最高工作频率两档可调(220kHz,130kHz)
5. 集成EMI优化技术
6. 驱动电流分档配置
7. 集成 Boost 供电电路
8. 集成完备的保护功能:VDD过压/欠压保护(VDD OVP/UVLO)、输出过压保护(OVP)、输入欠压保护(BOP)、片内过热保护(OTP)、逐周期电流限制(OCP)、异常过流保护(AOCP)、短路保护(SCP)、过载保护(OLP)、过流保护(SOCP)、前沿消隐(LEB)、CS管脚开路保护
系统异常状态下 (如副边整流管短路,变压器绕组短路),当功率开关的峰值电流达到AOCP的阈值VCS_AOCP (典型值 -1.2V)时,系统进入AOCP保护模式,降低系统开关频率,如果连续三个开关周期触发AOCP状态后,E-GaN电源芯片U8722FE系统进入自动重启保护模式保护模式。
银联宝热销产品
相关公司新闻
- 65W集成EMI优化技术的E-GaN电源芯片U8722FE
- 全电压!PD 20W氮化镓电源方案认证款:U8722BAS+U7612B
- 氮化镓GaN快充芯片U8732轻松应对充电问题
- 30W单高压耐压700V氮化镓电源ic U8724AH
- 氮化镓PD快充ic U8608输入过欠压保护电路安全运行
- 氮化镓PD快充芯片U8722DAS可减少高频噪声和应力冲击
- 20W氮化镓电源ic U8722SP谷底锁定模式优化损耗
- 45W集成高压E-GaN快充电源方案U8726AHE+U7269
- 30W E-GaN高频高性能快充电源ic U8731
- 12V2A/3A氮化镓电源方案U8607/U8609+同步整流芯片U7613