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65W集成EMI优化技术的E-GaN电源芯片U8722FE

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浏览:- 发布日期:2025-05-22 14:24:11【

E-GaN电源芯片U8722FEU8722X系列最新增加的型号,ID(A)(TJ=125)4.0,耐压700V,推荐功率60W,采用的是ESOP-7封装,具体脚位如下:

1 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚

2 FB P 系统反馈输入管脚

3 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能力分档判定管脚

4 VDD P 芯片供电管脚

5 SW P Boost 电路内置 MOS 的漏极管脚

6,7 GND P 芯片参考地

8 DRAIN P 内置高压 GaN FET 漏极、高压启动供电管脚

针对宽输出电压应用场合,为了满足VDD的宽电压应用需求,往往需要添加额外的电路或者辅助绕组,导致系统功耗和电路成本的增加。E-GaN电源芯片U8722FE集成了Boost供电技术,仅在SW管脚添加一颗贴片电感即可在输出电压较低时,Boost电路启动工作维持VDD电压在VBOOST_REG (典型值10V/10.2V),当输出电压升高,辅助绕组电压高于VBOOST_REG时,Boost电路停止工作,VDD由辅助绕组供电。

E-GaN电源芯片U8722FE特点:

1. 集成700V E-GaN

2. 集成高压启动功能

3. 超低启动和工作电流,待机功耗<30mW

4. 谷底锁定模式最高工作频率两档可调(220kHz130kHz)

5. 集成EMI优化技术

6. 驱动电流分档配置

7. 集成 Boost 供电电路

8. 集成完备的保护功能:VDD过压/欠压保护(VDD OVP/UVLO)输出过压保护(OVP)输入欠压保护(BOP)片内过热保护(OTP)逐周期电流限制(OCP)异常过流保护(AOCP)短路保护(SCP)过载保护(OLP)过流保护(SOCP)前沿消隐(LEB)CS管脚开路保护

系统异常状态下 (如副边整流管短路,变压器绕组短路),当功率开关的峰值电流达到AOCP的阈值VCS_AOCP (典型值 -1.2V)时,系统进入AOCP保护模式,降低系统开关频率,如果连续三个开关周期触发AOCP状态后,E-GaN电源芯片U8722FE系统进入自动重启保护模式保护模式。

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