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30W E-GaN高频高性能快充电源ic U8731

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浏览:- 发布日期:2025-05-14 11:14:36【

GaN器件采用二维电子气结构,能够提供更高的电子迁移率和导电性能,因此适用于高频应用,可以实现更高效的功率转换。深圳银联宝科技研发生产的快充电源ic U8731,集成700V E-GaN,高频高性能,推荐工作频率130KHz/220KHz,推荐最大输出功率30W,介绍给小伙伴们!

快充电源ic U8731采用的是HSOP-7封装,管脚说明如下:

1 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚

2 FB I 系统反馈输入管脚

3 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能力分档判定管脚

6 VDD P 芯片供电管脚

4 NTC I/O 外置温度检测,过温降功率和过温保护功能

5 GND P 芯片参考地

7 DRAIN P 内置高压 GaN FET 漏极、高压启动供电管脚

快充电源ic U8731集成外置NTC功能,NTC引脚外接NTC电阻,通过内部上拉电流源上拉,检测TEM引脚电压,当判定TEM管脚电压Vntc <VCP时,触发降功率功能。当判定TEM管脚电压Vntc < VOTP时,触发外置过温保护功能。降功率功能和过温保护设置1.2V的迟滞区间。

873X-5

快充电源ic U8731通过辅助绕组检测输出电压的范围设定系统工作于不同的工作状态下,包括恒压模式(CV)、恒功率模式(CP)和恒流模式(CC)。同时通过外置NTC检测,设置不同的恒功率参数,实现降功率功能。具体为,当芯片未触发降功率功能时,在2.8V<Vdem<3.1V时,芯片工作在恒功率模式(CP),系统实际输出最大功率计算公式如下:

873X.

Vdem<2.8V或者3.1V<Vdem 时,芯片工作在恒流模式,根据VCC_Ref1恒流基准计算输出恒流值,公式如下:

873X..

当芯片外置NTC检测到达到降功率阈值后,芯片内部的恒功率和恒流参数切换到VCP_Ref2VCC_Ref2,从而实现降功率的功能。快充电源ic U8731集成外置温度检测和恒功率功能,具有更好的高频性能和高效率,推荐一试!

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