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原边13W开关电源芯片 SF6773V
更多 +
效率满足六级能效要求
原边反馈/内置650V 功率MOSFET
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护
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隔离36W开关电源芯片 SFL950
更多 +
提高系统效率，异音。
内置频率抖动EMI。
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求。
内置高低压过流补偿。
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护。
待机功耗(≤75mW)
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10W系列 5V 2A电源方案
PSR控制模式，无光耦，无431。更多 +
±5% 的恒流恒压精度。
专利的‘NC-Cap/PSR’技术。
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求,待机＜75mW。
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副边50W开关电源芯片 SF5773
品牌：银联宝电子更多 +
型号：SF5773 SSR控制模式，
±5% 的恒压精度。
副边反馈/外驱MOSFET
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求,待机＜75mW。
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副边15W开关电源芯片 SF5539H
更多 +
效率满足六级能效要求
副边反馈/内置600V 功率MOSFET
内置65KHz 工作频率
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
内置频率抖动EMI
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24W系列 12V2A能效六级方案
提高系统效率，异音更多 +
内置软启动, 管脚浮空保护
效率满足 六级能效
启动电流
QR技术提高全负载效率,EMI和谷底切换异音
输出过压保护电压可外部编程
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
VDD欠压保护(ULVO), 过压保护及钳位
零电压带载启动减小OCP恢复间隙
内置频率抖动EMI
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18W系列12V1.5A能效六级方案
更多 +
效率满足六级能效要求
内置650V 功率MOSFET
内置65KHz 工作频率
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
电流启动
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
内置频率抖动EMI
内置逐周期电流限制, 内置前沿消隐
内置高低压过流补偿实现全电压平坦OCP曲线
VDD欠压保护(ULVO), 过压保护及钳位
OLP可编程
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65W系列 19V3.42A能效六级方案
优化降频技术提率更多 +
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
效率满足 六级能效
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
无异音OCP补偿低压重载异音
OLP时间可编程
VDD欠压保护(ULVO), 过压保护及钳位
内置同步斜率补偿. 逐周期电流限制, 内置前沿消隐
内置频率抖动EMI
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60W系列 12V5A能效六级方案
更多 +
±5％恒压恒流精度, 快速动态响应控制
待机功耗小于75mW
自动补偿输入电压.电感感量变化
自动补偿输入电压.电感感量变化
启动电流
前沿消隐
内置斜率补偿
逐周期电流限制
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48W系列 48W能效六级方案
提高系统效率，异音。更多 +
内置频率抖动EMI。
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求。
内置高低压过流补偿。
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护。
待机功耗(≤75mW)
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10W系列5V2A能效六级方案
更多 +
效率满足六级能效要求
内置650V 功率MOSFET
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护
零电压带载启动减小OCP恢复间隙
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
±5％恒压恒流精度
内置反馈脚(FB)短路保护
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5W系列 5V1A能效六级方案
QR-PSR控制提高工作效率更多 +
内置700V 功率三极管
效率满足 ‘DoE六级能效’，待机＜75mW
±4％恒压恒流精度，多模式PSR控制内置频率抖动EMI
内置快速动态响应控制，无异音工作
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
VDD欠压保护（UVLO）,过压保护及钳位
OTP过温保护
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5V1.5A能效六级方案
QR-PSR控制提高工作效率。更多 +
±4% 的恒流恒压精度,PSR控制模式。
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求,待机＜70mW。
内置专利的线损电压补偿。
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护。
VDD欠压保护，VDD过压保护及钳位。
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10W系列 5V2A能效六级方案
±4％恒压恒流精度，多模式PSR控制。更多 +
内置频率抖动EMI。
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求。
内置高低压过流补偿。
内置快速动态响应控制，无异音工作。
输出过压保护，VDD欠压保护，VDD过压保护及钳位。
QR-PSR控制提高工作效率。
内置600V 功率MOSFET
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12W系列 12V1A能效六级方案
专利QR控制，提高系统效率，异音。更多 +
效率满足六级能效要求。
内置频率抖动EMI。
内置高低压过流补偿。
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护。
内置专利的线损补偿,提高量产精度。
内置反馈脚(FB)短路保护
支持高50V 输出电压
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5W系列 5V1A能效六级方案
QR-PSR控制提高工作效率更多 +
内置700V 功率三极管
效率满足 ‘DoE六级能效’，待机＜75mW
±4％恒压恒流精度，多模式PSR控制内置频率抖动EMI
内置快速动态响应控制，无异音工作
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
VDD欠压保护（UVLO）,过压保护及钳位
OTP过温保护
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12W系列 5V2.4A能效六级方案
更多 +
效率满足六级能效要求
内置650V 功率MOSFET
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护
零电压带载启动减小OCP恢复间隙
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
±5％恒压恒流精度
内置反馈脚(FB)短路保护
- [公司新闻]SOP-7封装20W氮化镓快充芯片U8722SP来咯！2025年04月29日 11:14
- 深圳银联宝氮化镓系列又双叒叕上“芯”料啦——U8722SP！氮化镓快充芯片U8722SP采用SOP-7封装，推荐最大输出功率20W，集成MOS耐压700V，典型应用于快速充电器和适配器上，脚位如下： 1 GND P 芯片参考地 2 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚 3 FB I 系统反馈输入管脚 4 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能力分档判定管脚 5 SW P Boost 电路内置 MOS 的漏极
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- [公司新闻]氮化镓快充芯片U8608集成多维度安全防护机制2025年04月28日 14:25
- 深圳银联宝氮化镓快充芯片U8608具有多重故障保护机制，通过集成多维度安全防护，防止设备出现过充电、过放电、过电流等问题，在电子设备中构建起全方位的安全屏障，今天具体分析一下！ ■输入过欠压保护 (Line OVP/BOP) 氮化镓快充芯片U8608通过DRAIN管脚对母线电压进行采样，当母线电压值小于Line BOP 保护阈值VBOP (典型值70Vac)时，芯片内部的Line BOP延迟计时使能，计时时间为TBOP_DELAY(典型值 80ms)，计时结束后触发Lin
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- [公司新闻]耐压700V氮化镓电源ic U8765散热性能优越2025年04月27日 14:07
- 氮化镓凭借高频高效特性，具备了体积小、功率高、发热低等优势，但小型化虽好，散热才是硬道理，选氮化镓电源ic得看准散热设计。今天就给小伙伴们推荐一款散热性能优越、耐压700V的氮化镓电源icU8765！ 当氮化镓电源icU8765结温超过TSD (典型值150℃)时，芯片停止工作，进入过热保护。当芯片温度下降至TRC (典型值 120℃)，芯片重新启动。U8765封装类型ESOP-10W，引脚分析如下： 1 HV P 高压启动管脚 2 DRAIN P GaN FET 漏极引脚
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