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    PFC肖特基 PFS5L150


    在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF较低
    在相同的額定VR、VF和IF下,电流密度较大
    在相同的EPI和晶片尺寸下,漏电电流较少
    在较高的反向电压下,开关速度更快

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    Type VF Level Die IF (A) VB (V) VF(V) 25℃ IR(uA) 25℃ VF(V) 125℃ IR(mA) 125℃ Package IFSM(A) Tj (℃)
    P5L45F-A MOS Schottky L 1 5 45 0.51 300 TBD 35 SMAF-A 150 -65~150
    PFS5L40 MOS Schottky L 1 5 40 0.47 500 0.4 100 DO-201AD 150 -65~150
    PFS5A60 MOS Schottky A 1 5 60 0.6 500 0.56 100 DO-201AD 150 -65~150
    PTS5L100 SLVF Schottky L  1 5 100 0.78 200 0.69 15 DO-201AD 130 -40~150
    PFS5L150 MOS Schottky L 1 5 150 0.86 100 0.73 20 DO-201AD 150 -65~150
    PFS5L200 MOS Schottky L 1 5 200 0.89 100 0.76 10