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PFC肖特基 PTR20V100CT
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下,电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏电电流较少
在较高的反向电压下,开关速度更快
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PFC肖特基 PTR20100CTF
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下,电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏电电流较少
在较高的反向电压下,开关速度更快
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PFC肖特基 PTR20100CT
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下,电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏电电流较少
在较高的反向电压下,开关速度更快
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PFC肖特基 PFR2045CT
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下,电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏电电流较少
在较高的反向电压下,开关速度更快
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PFC肖特基 P15V50SP
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下,电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏电电流较少
在较高的反向电压下,开关速度更快
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PFC肖特基 PFR10L300CTF
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下,电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏电电流较少
在较高的反向电压下,开关速度更快
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PFC肖特基 PFS10L60CT
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下,电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏电电流较少
在较高的反向电压下,开关速度更快
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PFC肖特基 PFS10L60
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下,电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏电电流较少
在较高的反向电压下,开关速度更快
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PFC肖特基 PTS5L100
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下,电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏电电流较少
在较高的反向电压下,开关速度更快
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PFC肖特基 P10V45SP
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下,电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏电电流较少
在较高的反向电压下,开关速度更快
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PFC肖特基 PTR20L80CT
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下,电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏电电流较少
在较高的反向电压下,开关速度更快
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PFC肖特基 PFS5A60
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下,电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏电电流较少
在较高的反向电压下,开关速度更快
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PFC肖特基 PFR20L200CT
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下,电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏电电流较少
在较高的反向电压下,开关速度更快
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PFC肖特基 PFR10L200CTF
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下,电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏电电流较少
在较高的反向电压下,开关速度更快
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PFC肖特基 PTR30L80CTF
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下,电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏电电流较少
在较高的反向电压下,开
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PFC肖特基 PFR30L60CTF
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下,电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏电电流较少
在较高的反向电压下,开关速度更快
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PFC肖特基 P5L45F-A
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下,电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏电电流较少
在较高的反向电压下,开关速度更快
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PFC肖特基 PFR2060CTF
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下,电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏电电流较少
在较高的反向电压下,开关速度更快
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PFC肖特基 PTR20100CTB
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下,VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下,电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下,漏电电流较少
在较高的反向电压下,开关速度更快