- [公司新闻]低静态电流快充电源芯片U8621功耗低、待机长2025年06月06日 14:57
- 静态电流是指芯片在不进行任何操作时的电流消耗，如果静态电流低，说明芯片在待机状态下消耗的电能非常少。这种特性使得芯片特别适用于需要长时间运行且耗电量要求较低的场合，如便携式充电器和需要长时间待机的适配器等设备。快充电源芯片U8621的启动电流低至10uA，启动电路的电阻值可以高达4M，这样使电源系统拥有更低的损耗；芯片静态电流低至500uA，使得电源系统设计者更加轻松应对能源之星6或者能效6级的能效标准。 ? 快充电源芯片U8621是一款恒压、恒功率、恒温离线型电流模式PWM
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- [公司新闻]20V单高压带恒功率氮化镓PD快充芯片U8725AHE2025年06月05日 15:07
- 充电器和适配器等快充设备，需匹配高功率密度与宽电压输出范围的快充芯片。深圳银联宝科技推出的20V单高压带恒功率氮化镓PD快充芯片U8725AHE，集成高压启动、功率器件和保护电路，省去外部Boost/Buck电路及分立元件，缩小PCB面积；内置高压E-GaN和Boost供电电路，支持宽电压输出，切莫错过！ PD快充芯片U8725AHE主要特性： 1.集成 高压 E-GaN 2.集成高压启动功能 3.超低启动和工作电流，待机功耗 30mW 4.谷底锁定模式， 最高工作频率两档可
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- [公司新闻]45W单压单C氮化镓电源方案：主控U8722EE+同步U7116W2025年06月04日 10:28
- 45W单压单C氮化镓电源方案推荐的主控芯片是来自深圳银联宝科技的氮化镓电源芯片U8722EE，同步也是采用银联宝的同步整流芯片U7116W。为大家介绍下芯片的主要性能！ 氮化镓电源芯片U8722EE特性： 集成700V E-GaN 集成高压启动功能 超低启动和工作电流，待机功耗30mW 谷底锁定模式，最高工作频率两档可调(220kHz，130kHz) 集成EMI优化技术 驱动电流分档配置 集成 Boost 供电电路 集成完备的保护功能： VDD过压/欠压保护 (VDD OV
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- [公司新闻]内置0.85/650V的超结硅电机驱动器电源芯片U86232025年06月03日 11:38
- ■功能描述 电机驱动器电源芯片U8623是一款峰值电流控制方式的PWM电源管理芯片，适用于离线型的反激拓扑开关变换器。U8623内置合封一颗0.85Ω/650V的高压MOS。芯片设计有完善的多种保护功能和自适应选择工作模式，使得适用U8623的电源系统具有全负载高效率、低空载损耗、低EMI干扰和高EMS抗干扰、极少外围应用元件。 ■系统启动和静态电流 电机驱动器电源芯片U8623的启动电流低至10uA，启动电路的电阻值可以高达4M，这样使电源系统拥有更低的损耗；芯片静态电流
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- [公司新闻]集成MOS耐压700V低启动低功耗的PD快充芯片U8722SP2025年05月30日 14:16
- 耐压值定义了芯片安全工作电压上限，若输入电压超过该值（如动态波动或负载突变），可能引发击穿或永久损坏，直接影响器件可靠性、性能表现及系统适配性。高耐压芯片需更大厚度或更高电阻率的半导体材料，工艺制程要求更高。深圳银联宝科技的PD快充芯片U8722SP是一款集成 E-GaN 的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关，集成MOS耐压700V，值得一试！ PD快充芯片U8722SP集成了高压启动功能。如图1所示，在启动阶段，U8722SP通过芯片DRAIN脚对VDD充电，当VDD电
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- [公司新闻]ASOP7-T4封装E-GaN快充电源芯片U8724AHS2025年05月29日 11:25
- 芯片的脚位是芯片与外部电路进行连接的桥梁。通过引脚，芯片可以与电路板上的其他组件进行连接，构成完整的电路。引脚用于为芯片提供电源和接地，还可以用于控制和指示芯片的工作状态。今天，就请跟着银联宝小编的视角，一起看看关于快充电源芯片U8724AHS引脚的事！ 快充电源芯片U8724AHS封装形式ASOP7-T4，引脚特征如下： 1 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚 2 FB I 系统反馈输入管脚 3 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能力分档判定管脚
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- [公司新闻]22.5W PD快充电源芯片应用方案之U8621+U7610B2025年05月28日 14:28
- 受限于设备本身的体积和当下电池技术的瓶颈，电池容量无法显著突破，快速“补电”成为了眼下解决电量焦虑的最切实可行的解决办法。深圳银联宝今天推荐的是22.5W快充电源芯片应用方案之——U8621+U7610B！ 快充电源芯片U8621是一款峰值电流控制方式的PWM电源管理芯片，适用于离线型的反激拓扑开关变换器。U8621内置合封一颗1.9Ω/630V的高压MOS。芯片设计有完善的多种保护功能和自适应选择工作模式，使得适用U8621
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- [公司新闻]耐压650V氮化镓快充芯片U8733L优化能源利用效率2025年05月27日 11:34
- 恒功率控制方式通过精确的控制策略和先进的电子技术，实现了在各种工况下输出功率的恒定。其基本原理是通过调节系统的输入或输出参数（如电压、电流等），使得系统在负载变化时能够维持输出功率不变。银联宝氮化镓快充芯片U8733L集成恒功率控制与主动降功率控制功能，在恒功率区间，通过控制输出电流随输出电压变化，实现恒功率功能。 氮化镓快充芯片U8733L特征： 集成 700V E-GaN 集成高压启动功能 超低启动和工作电流，待机功耗 30mW 谷底锁定模式，最 高 工 作 频 率 两
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- [公司新闻]同步整流芯片U7106在氮化镓电源方案U8766中的应用2025年05月23日 14:22
- 氮化镓器件开关频率升级，同步整流芯片需具备高速响应能力，确保高频工况下精准控制同步整流管的开通与关断时。同步整流芯片U7106应用在氮化镓电源芯片U8766中可显著减少功率损耗，提升转换效率！ 同步整流芯片U7106是一款高频率、高性能、CCM同步整流开关，可以在GaN系统中替代肖特基整流二极管以提高系统效率。U7106内置有VDD高压供电模块，无需辅助绕组供电可稳定工作，系统上支持High Side和Low Side配置，兼顾了系统性能和成本。 同步整流芯片U7106特性
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- [公司新闻]65W集成EMI优化技术的E-GaN电源芯片U8722FE2025年05月22日 14:24
- E-GaN电源芯片U8722FE是U8722X系列最新增加的型号，ID(A)(TJ=125℃)4.0，耐压700V，推荐功率60W，采用的是ESOP-7封装，具体脚位如下： 1 CSI/O 电流采样输入、最高频率选择管脚 2 FB P 系统反馈输入管脚 3 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能力分档判定管脚 4 VDD P 芯片供电管脚 5 SW P Boost 电路内置 MOS 的漏极管脚 6,7 GND P 芯片参考地 8 DRAIN P 内置高压 GaN
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- [公司新闻]全电压！PD 20W氮化镓电源方案认证款：U8722BAS+U7612B2025年05月22日 10:39
- 上次给大家介绍了20W氮化镓单电压的应用方案，立马就有小伙伴发出了全电压应用方案的需求。深圳银联宝科技有求必应，PD 20W氮化镓电源方案全电压认证款：U8722BAS+U7612B方案来咯！ 主控氮化镓电源芯片U8722BAS是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于30mW的超低待机功耗。U8722BAS的工作频率最高可达220kHz，可全范围工作在准谐振模式。芯片集成峰值电流抖动功能
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- [公司新闻]氮化镓GaN快充芯片U8732轻松应对充电问题2025年05月21日 14:36
- 氮化镓充电器与普通充电器在充电效率方面对比，性能遥遥领先。它支持多种快充协议，如PD、QC等，能够智能识别设备所需的充电功率，实现快速充电。无论是苹果手机、安卓手机，还是笔记本电脑、平板电脑，氮化镓充电器都能轻松应对，一充搞定。充电器自然离不开芯片的支持，今天主推的就是来自深圳银联宝科技的氮化镓GaN快充芯片U8732！ 氮化镓GaN快充芯片U8732特点： 1.集成 700V E-GaN 2.集成高压启动功能 3.超低启动和工作电流，待机功耗 30mW 4.谷底锁定模式，
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- [公司新闻]30W单高压耐压700V氮化镓电源ic U8724AH2025年05月20日 10:24
- CS管脚通常用于采样电感电流，实现峰值电流控制，并且可以限制最大输入电流，从而实现过流保护功能。此外，CS管脚还可以用于设定系统的最高工作频率。通过连接不同阻值的RSEL电阻，可以设定不同的系统工作频率上限。氮化镓电源icU8724AH复用CS管脚以设定系统最高工作频率，CS管脚连接如图所示。 芯片启动时，氮化镓电源icU8724AH通过检测RSEL电阻从而决定芯片最大工作频率。设定不同的RSEL电阻值即可选择两档不同的系统工作频率上限。选档判定结束后系统锁定，每一次启
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- [公司新闻]氮化镓PD快充ic U8608输入过欠压保护电路安全运行2025年05月19日 11:36
- 过压保护和欠压保护是维护芯片电路安全运行的关键功能。有些芯片会提供一个欠压保护引脚，当欠压保护被触发时，该引脚会产生一个信号。通过检测该引脚的状态，可以判断芯片是否处于欠压保护状态。深圳银联宝氮化镓PD快充icU8608输入过欠压保护 (Line OVP/BOP)，先来看看它的引脚。 PD快充icU8608引脚特征： 1 NTC I/O 外置过温检测管脚 2 COMP I/O 运放输出，在该 pin 脚和 GND 之间连接阻容网络用于调节环路。 3 FB I/O 输出反馈、
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- [公司新闻]氮化镓PD快充芯片U8722DAS可减少高频噪声和应力冲击2025年05月16日 11:48
- 氮化镓PD快充芯片U8722DAS集成轻载SR应力优化功能，在轻载模式下，芯片将原边开通速度减半（如配置为特定驱动电流档位时），减缓开关动作的瞬态变化，从而减小次级侧SR器件的电压尖峰，通过分压电阻设置驱动电流档位（三档可选），平衡EMI性能与效率。低驱动电流档位可降低SR开关速度，减少高频噪声和应力冲击。 氮化镓PD快充芯片U8722DAS特征： ▲集成 高压 E-GaN ▲集成高压启动功能 ▲超低启动和工作电流，待机功耗 30mW ▲谷底锁定模式， 最高工作频率两档可调(
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- [公司新闻]45W集成高压E-GaN快充电源方案U8726AHE+U72692025年05月15日 10:56
- 氮化镓电源电路由于减少了元件数量和功率转换器占用的空间而更具吸引力。深圳银联宝科技作为E-GaN快充电源方案制造商，大量投入工程研发以应对各类技术挑战，为市场提供了各种功率级和多种功能的集成解决方案，今天推荐的是银联宝45W集成高压E-GaN快充电源方案U8726AHE+U7269！ 快充电源芯片U8726AHE集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV (典型值6.4V)。E
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- [公司新闻]12V2A/3A氮化镓电源方案U8607/U8609+同步整流芯片U76132025年05月13日 10:54
- 深圳银联宝科技最新上市的氮化镓电源方案：U8607/U8609+同步整流芯片U7613，推荐输出功率12V2A、12V3A，非标共板，方案成熟，性能可靠，可满足更高性能要求、更低成本需求！ 氮化镓电源芯片U8607/U8609采用原边反馈控制，可节省光耦和TL431，简化电源BOM。它合封第三代半导体GaN FET，最高工作频率130kHz，有利于降低电源尺寸。特征如下： *原边反馈控制，无需光耦和 TL431 *集成 700V GaN FET 驱动 *集成高压启动功能 *
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- [公司新闻]33W全负载高效率超结硅电源管理方案：U8623+U7612B2025年05月12日 14:49
- 由于芯片结构的改变，超结MOS的结电容比传统MOS有很大的降低，超结MOS具有极低的内阻，在相同的芯片面积下，超结MOS芯片的内阻甚至只有传统MOS的一半以上。较低的内阻，能降低损耗，减少发热。今天深圳银联宝科技带来的是33W全负载高效率超结硅电源管理方案：U8623+U7612B，可显著提升产品的易用性和效率！ 电源管理芯片U8623是一款恒压、恒功率、恒温离线型电流模式PWM 电源管理芯片，内置0.85Ω/650V的超结硅功率 MOS。U8623具有全负载高效率、低空载
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- [公司新闻]氮化镓PD快充芯片U8733集成恒功率与主动降功率多控制功能2025年05月09日 11:32
- 芯片恒功率控制，意味着无论负载变化如何，系统都能保持恒定的输出功率，确保设备在各种工作条件下都能稳定运行。当检测到系统温度过高时，主动降功率功能会启动，以降低系统温度，防止过热。深圳银联宝科技的氮化镓PD快充芯片U8733，就集成了恒功率控制和主动降功率控制功能，一起来看看！ 氮化镓PD快充芯片U8733集成恒功率控制与主动降功率控制功能，在恒功率区间，通过控制输出电流随输出电压变化，实现恒功率功能。外置温度检测环境温度，当温度过高主动降功率以降低系统温度，保证系统稳定
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- [公司新闻]ESOP-10W封装输入欠压保护氮化镓快充芯片U87662025年05月08日 15:14
- 在65W氮化镓快充设计中，输入欠压保护与过压保护协同工作，保障充电头在电网波动时仍能稳定输出，并避免因输入异常导致次级电路损坏。今天介绍的65W全压氮化镓快充芯片U8766，输入欠压保护(BOP)，采用ESOP-10W封装！ 氮化镓快充芯片U8766通过HV管脚对母线电压进行采样，当母线电压值小于BOP保护阈值VBOP (典型值 100V)时，芯片内部的BOP延迟计时使能，计时时间为TBOP_DELAY(典型值 80ms)，计时结束后触发BOP保护。如果母线电压超过BOP恢复
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