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原边5W开关电源芯片 SF6072
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原边反馈/内置三极管
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
支持高50V输出电压
?内置专利的线损电压补偿，提高量产精度
自动补偿输入电压、电感感量变化，实现高精度
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护
逐周期电流限制，内置前沿消隐
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原边5W开关电源芯片 SF6010N
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原边反馈/外驱三极管
支持高50V输出电压
内置专利的线损电压补偿，提高量产精度
自动补偿输入电压、电感感量变化，实现高精度
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护
逐周期电流限制，内置前沿消隐
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原边15W开关电源芯片 SF5928S
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专利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技术
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒压恒流高精度
原边反馈（PSR）控制，无需光耦和TL431
内置专利的线损电压补偿
自动补偿输入电压、电感感量变化，实现高精度
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护
原边反馈/内置MOSFET,输出过压保护
逐周期电流限制，内置前沿消隐
VDD欠压保护（UVLO），过压保护及钳位
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原边9W开关电源芯片 SF5926S
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专利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技术
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒压恒流高精度
原边反馈（PSR）控制，无需光耦和TL431
内置专利的线损电压补偿
自动补偿输入电压、电感感量变化，实现高精度
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护
原边反馈/内置MOSFET,输出过压保护
逐周期电流限制，内置前沿消隐
VDD欠压保护（UVLO），过压保护及钳位
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原边6W开关电源芯片 SF5922S
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专利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技术
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒压恒流高精度
原边反馈（PSR）控制，无需光耦和TL431
内置专利的线损电压补偿
自动补偿输入电压、电感感量变化，实现高精度
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护
原边反馈/内置MOSFET,输出过压保护
逐周期电流限制，内置前沿消隐
VDD欠压保护（UVLO），过压保护及钳位
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副边25W开关电源芯片 SF5930
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专利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技术
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
±5%恒压恒流精度
快速动态响应，大小减小输出纹波
支持输出电压大小50V
原边反馈（PSR）控制，无需光耦和TL431
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副边25W开关电源芯片 SF5920
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专利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技术
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
±5%恒压恒流精度
快速动态响应，大小减小输出纹波
支持输出电压大小50V
原边反馈（PSR）控制，无需光耦和TL431
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原边10W开关电源芯片 U6117SA
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原边反馈/内置MOSFET
效率满足六级能效要求
低待机功耗小于70mW
内置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒压恒流精度，多模式PSR控制
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原边25W开关电源芯片 SF6771T
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原边反馈/外置MOSFET
效率满足六级能效要求
优化降频技术提率
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
内置频率抖动EMI
内置同步斜率补偿. 逐周期电流限制, 内置前沿消隐
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原边6W开关电源芯片 U6117S
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效率满足六级能效要求
低待机功耗小于70mW
内置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒压恒流精度，多模式PSR控制
内置快速动态响应控制，无异音工作
内置可编程线损电压补偿
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
原边反馈/内置MOSFET,内置短路保护
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原边12W开关电源芯片 U6315
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QR-PSR控制提高工作效率。
±4% 的恒流恒压精度,PSR控制模式。
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求,待机＜70mW。
原边反馈/内置三极管,内置专利的线损电压补偿。
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护。
VDD欠压保护，VDD过压保护及钳位。
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原边6W开关电源芯片 U6215
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效率满足六级能效要求
内置700V 功率三极管
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒压恒流精度，多模式PSR控制
内置可编程线损电压补偿
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
原边反馈/内置三极管,内置短路保护
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
OTP过温保护
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原边5W开关电源芯片 SF6022
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效率满足六级能效要求
原边反馈/内置反馈脚(FB)短路保护
±4％恒压恒流精度，支持高50V 输出电压
内置快速动态响应控制，无异音工作，
内置专利的线损电压补偿，提高量产精度
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
内置软启动,启动电流,管脚浮空保护
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
零电压带载启动减小OCP恢复间隙
VDD欠压保护（UVLO）,过压保护及钳位
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原边15W开关电源芯片 SF5938S
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效率满足六级能效要求
原边反馈/内置600V 功率MOSFET
内置反馈脚(FB)短路保护
内置专利的线损补偿,提高量产精度
内置快速动态响应控制
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
内置软启动,启动电流,管脚浮空保护
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
支持高50V 输出电压
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原边13W开关电源芯片 SF6773V
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效率满足六级能效要求
原边反馈/内置650V 功率MOSFET
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护
- [公司新闻]12v3a原边反馈快充电源ic U8609节省光耦和TL4312025年05月29日 14:48
- GaN FET支持MHz级开关频率，显著高于传统硅基器件，通过减小无源元件体积实现系统小型化，使开关损耗降低20%-30%。深圳银联宝快充电源icU8609合封第三代半导体GaN FET，最高工作频率130kHz，采用原边反馈控制，可节省光耦和TL431，简化电源BOM，有利于降低电源尺寸！ 快充电源icU8609是一款集成E-GaN的恒压恒流PSR反激功率开关管，可为18~65W适配器应用提供全新的解决方案。U8609集成谷底锁定技术可以防止频率抖动产生噪音。它采用CS
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- [公司新闻]12V2A/3A氮化镓电源方案U8607/U8609+同步整流芯片U76132025年05月13日 10:54
- 深圳银联宝科技最新上市的氮化镓电源方案：U8607/U8609+同步整流芯片U7613，推荐输出功率12V2A、12V3A，非标共板，方案成熟，性能可靠，可满足更高性能要求、更低成本需求！ 氮化镓电源芯片U8607/U8609采用原边反馈控制，可节省光耦和TL431，简化电源BOM。它合封第三代半导体GaN FET，最高工作频率130kHz，有利于降低电源尺寸。特征如下： *原边反馈控制，无需光耦和 TL431 *集成 700V GaN FET 驱动 *集成高压启动功能 *
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- [公司新闻]电源管理ic U6101S仅需少量外围元件即可实现稳定恒流输出2025年04月11日 15:09
- 外驱副边内置恒流芯片如深圳银联宝电源管理icU6101S采用副边控制技术，将恒流功能集成于芯片部，仅需少量外围元件即可实现稳定的恒流输出，显著降低系统复杂度。典型设计包含原边反馈（FB）管脚，通过电阻分压调节输出电压/电流，支持宽电压输入范围（85-265V AC）。高效率、外围简单，与昂宝OB2269脚位一致，可兼容多种启动供电模式。U6101S引脚如下： 1 GND 芯片参考地。 2 FB 系统反馈管脚。辅助绕组电压经电阻分压后送至FB管脚，用于CV模式输出电压控制及 C
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- [公司新闻]原边反馈5V2A充电器芯片CY3783A精准控压2025年04月10日 14:23
- 通过检测原边绕组参数（如电流、电压）间接控制输出电压，无需次级反馈电路，降低系统复杂度并提升响应速度，可以有效提高芯片恒压控制精度。银联宝充电器芯片CY3783A具有出色的恒压控制精度，且内置准谐振导通模式和多模式控制（PWM+PFM），优化轻载效率，适用功率10W！
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- [公司新闻]5v2.4a电源芯片U6773V电磁兼容性强节能耐用2025年03月14日 11:53
- 电磁兼容性强的芯片能够在复杂电磁环境中正常工作，不会受到外部电磁干扰的影响，从而保证设备的稳定性和可靠性；还能够减少因电磁干扰导致的硬件故障和维修需求，从而延长设备的使用寿命。5v2.4a充电器icU6773V电磁兼容性较强，而且具有节能环保特性，外围电路也很简单，适合应用在充电器、适配器等领域。 5v2.4a充电器icU6773V是高精度原边反馈控制（PSR）恒流恒压（CC/CV）控制器。应用灵活性价比高，最大限度地减少了系统元件的数目，用频率调制方法来提高
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