- 08-28 2025
- 恒功率、恒压、恒温离线型电流模式快充电源ic ——U8623 恒功率芯片具有稳压、高效、过载保护等特性。恒压芯片的核心功能是提供稳定的电压输出；恒流芯片则主要用于电源和驱动电路中，维持输出电流的恒定。深圳银联宝快充电源icU8623是一款恒压、恒功率、恒温离线型电流模式PWM电源管理芯片，内置0.85Ω/650V的超结硅功率MOS！ 快充电源icU8623具有全负载高效率、低空载损耗、低EMI干扰和高EMS抗干扰、极少外围应用元件等优点。U8623在一定条件下适用于输入电压AC90V-264V的输出功率为22.5W以内的离线式反激开关 查看详情
- 08-28 2025
- 33W氮化镓电源芯片U8733L布局合理减少干扰散热优化 电源芯片的引脚在布局布线时，应当避免与其他信号线路平行敷设，以降低电磁干扰。根据芯片引脚功能和信号流向合理安排位置，减少交叉和迂回，降低布线难度。对于功耗较大的芯片，可通过接地引脚均匀分布或设置散热通道提升散热效率。今天就带着大家一起了解下深圳银联宝科技的33W氮化镓电源芯片U8733L脚位特点！ 氮化镓电源芯片U8733L采用HSOP-7封装，引脚名称为： 1 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚 2 FB I 系统反馈输入管脚 3 DEM I/O 消磁检测、输出 查看详情
- 08-26 2025
- PD30W氮化镓单电压认证款（175Vac-264Vac)：U8722BAS+U7612A PD30W单电压认证款（175Vac-264Vac)U8722BAS+U7612A产品温升测试结果如下： 氮化镓电源芯片U8722BAS采用峰值电流控制模式，可以自适应的工作在QR和降频工作模式，从而实现全负载功率范围内的效率优化。在满载和重载工况下，系统工作在QR工作模式，可以大幅降低系统的开关损耗。芯片根据FB电压值调节谷底个数，同时为了避免系统在临界负载处的FB电压波动导致谷底数跳变，产生噪音，U8722BAS采用了谷底锁定工作模式在负载一定的情况下，导通谷底数稳定 查看详情
- 08-25 2025
- 36W副边氮化镓应用方案——U8722DE+U7612B ■方案介绍及产品特色 氮化镓电源芯片U8722DE是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于30mW的超低待机功耗。 特色如下： ●集成 700V E-GaN ●集成高压启动功能 ●超低启动和工作电流，待机功耗 30mW ●谷底锁定模式， 最高工作频率两档可调(220kHz，130kHz) ●集成 EMI 优化技术 ●驱动电流分档配置 ● 查看详情
- 08-22 2025
- 银联宝氮化镓电源芯片U872XAHE系列新成员——U8727AHE 好消息！深圳银联宝科技氮化镓电源芯片U872XAHE系列，规格书升级，新增料号U8727AHE，封装形式ESOP-7，集成MOS耐压700V，推荐最大输出功率100W！ 氮化镓电源芯片U8727AHE特性： 集成高压E-GaN 集成高压启动功能 超低启动和工作电流，待机功耗30mW 谷底锁定模式，最高工作频率两档可调(220kHz，130kHz) 集成EMI优化技术 驱动电流分档配置 集成Boost供电电路 集成完备的保护功能： VDD过压/欠压保护(VDD OVP/UVL 查看详情
- 08-21 2025
- 同步整流ic U7606开通关断机制实现高效整流低损耗 同步整流ic的开通关断机制核心依赖于漏源电压的精确检测，以实现高效整流并避免共通故障等风险。其电压关系具体体现在开通和关断阈值的设计上，确保MOSFET在适当时机导通或截止，从而取代传统二极管以降低损耗。 同步整流icU7606是一款高频率、高性能、CCM同步整流开关，可以在GaN系统中替代肖特基整流二极管以提高系统效率。U7606内部集成有智能开通检测功能，可以有效防止反激电路中由于寄生参数振荡引起的同步整流开关误开通，提高了系统效率及可靠性。 变压器副边续流阶段开始时 查看详情
- 08-21 2025
- 高功率密度PD快充芯片U8722SP快速安全散热好 日常生活和工作的需要，让大家都希望在尽量短的时间内给自己的手机充得足够的电量。快充芯片的任务，就是把适配器的电压转换成电池的电压，同时按照需要的充电电流精确可控地向电池进行充电。下面介绍一款很好的快充芯片方案主控芯片，银联宝PD快充芯片U8722SP！ PD快充芯片U8722SP引脚定义： 1 GND P 芯片参考地 2 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚 3 FB I 系统反馈输入管脚 4 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能力分档判定管脚 5 S 查看详情
- 08-20 2025
- 快充电源ic U8766集成完备保护功能 提升运行稳定性 先进的封装技术可以提升芯片散热效率，减少过温保护触发频率，间接维持高性能状态。而芯片保护功能通过硬件机制在保障系统安全、可靠运行的同时，也能起到性能优化的作用。今天介绍的深圳银联宝快充电源icU8766，集成完备的保护功能，先来看看它的脚位！ 快充电源icU8766封装形式ESOP-10W，管脚说明： 1HV P 高压启动管脚 2 DRAIN P GaN FET 漏极引脚 3 Source P GaN FET 源极引脚 4 GND P 芯片参考地 5 CS I/O 电流采 查看详情
- 08-19 2025
- 电源ic U8726AHE集成高压E-GaN和高压启动电路 随着芯片尺寸的逐渐缩小，电场强度却随距离的减小而线性增加。若电源电压保持不变，产生的电场强度将足以击穿芯片，这无疑对电子系统的电源电压提出了更为严苛的要求。银联宝氮化镓电源icU8726AHE集成高压E-GaN、集成高压启动电路，减少外围元件，适配快速充电器和适配器等电源设备。 ■集成Boost供电电路 针对宽输出电压应用场合，为了满足VDD的宽电压应用需求，往往需要添加额外的电路或者辅助绕组，导致系统功耗和电路成本的增加。氮化镓电源icU8726AHE集成了Boost供电技 查看详情
- 08-18 2025
- 氮化镓电源ic U8732集成恒功率和软启动功能 磁芯饱和会导致变压器线圈感抗变小，回路电流大增，从而引起开关管的损坏。想要避免这些后果，就必须确保开关电源主变压器在工作过程中不会进入磁饱和状态。氮化镓电源icU8732内部集成有软启动功能，在软启动时间TST(典型值5ms)内，电流峰值从最小值逐步增加，避免变压器磁芯饱和，系统每次重启都会伴随一次软启动过程。 氮化镓电源icU8732主要特征： 1.集成700V E-GaN 2.集成高压启动功能 3.超低启动和工作电流，待机功耗30mW 4.谷底锁定模式，最高工作频率两档 查看详情
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