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1525-05
45W集成高压E-GaN快充电源方案U8726AHE+U7269 氮化镓电源电路由于减少了元件数量和功率转换器占用的空间而更具吸引力。深圳银联宝科技作为E-GaN快充电源方案制造商,大量投入工程研发以应对各类技术挑战,为市场提供了各种功率级和多种功能的集成解决方案,今天推荐的是银联...
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1425-05
30W E-GaN高频高性能快充电源ic U8731 GaN器件采用二维电子气结构,能够提供更高的电子迁移率和导电性能,因此适用于高频应用,可以实现更高效的功率转换。深圳银联宝科技研发生产的快充电源icU8731,集成700VE-GaN,高频高性能,推荐工作频率130KHz/220KHz,推荐最...
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1325-05
12V2A/3A氮化镓电源方案U8607/U8609+同步整流芯片U7613 深圳银联宝科技最新上市的氮化镓电源方案:U8607/U8609+同步整流芯片U7613,推荐输出功率12V2A、12V3A,非标共板,方案成熟,性能可靠,可满足更高性能要求、更低成本需求! 氮化镓电源芯片U8607/U8609采用原边反馈控制,可节...
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1225-05
33W全负载高效率超结硅电源管理方案:U8623+U7612B 由于芯片结构的改变,超结MOS的结电容比传统MOS有很大的降低,超结MOS具有极低的内阻,在相同的芯片面积下,超结MOS芯片的内阻甚至只有传统MOS的一半以上。较低的内阻,能降低损耗,减少发热。今天深圳银联宝科技带来的是33W全...
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0925-05
氮化镓PD快充芯片U8733集成恒功率与主动降功率多控制功能 芯片恒功率控制,意味着无论负载变化如何,系统都能保持恒定的输出功率,确保设备在各种工作条件下都能稳定运行。当检测到系统温度过高时,主动降功率功能会启动,以降低系统温度,防止过热。深圳银联宝科技的氮化镓PD快充芯片...
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0825-05
ESOP-10W封装输入欠压保护氮化镓快充芯片U8766 在65W氮化镓快充设计中,输入欠压保护与过压保护协同工作,保障充电头在电网波动时仍能稳定输出,并避免因输入异常导致次级电路损坏。今天介绍的65W全压氮化镓快充芯片U8766,输入欠压保护(BOP),采用ESOP-10W封装! 氮化镓快充...
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0825-05
30~65W快充应用CCM同步整流芯片U7106 同步整流芯片U7106采用PDFN5*6封装,是一款高频率、高性能、CCM 同步整流开关,典型应用于30~65W快充,无需辅助绕组供电可稳定工作,可以在GaN系统中替代肖特基整流二极管以提高系统效率。 同步整流芯片U7106电路设计参考如下...
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0725-05
PD 20W氮化镓单电压应用方案:U8722AH+U7715 深圳银联宝科技推出的PD20W氮化镓单电压应用方案,主控芯片使用的是氮化镓快充芯片U8722AH,同步整流芯片U7715,协议338E。输入规格:180V-264V 50Hz,输出规格:C口,PD20W:5V3A / 9V2.22A / 12V1.67A。 氮化镓快充芯片U872...
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0625-05
带恒功率集成高压E-GaN氮化镓电源IC U8723AHS 恒功率电源芯片具有稳压、高效、过载保护等特性,适用于一些功率要求严格的应用场景,如充电器、LED驱动器、电动工具等。今天推荐的深圳银联宝带恒功率集成高压E-GaN氮化镓电源ICU8723AHS,不仅可以提高电路的稳定性和可靠性,...
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2925-04
SOP-7封装20W氮化镓快充芯片U8722SP来咯! 深圳银联宝氮化镓系列又双叒叕上“芯”料啦——U8722SP!氮化镓快充芯片U8722SP采用SOP-7封装,推荐最大输出功率20W,集成MOS耐压700V,典型应用于快速充电器和适配器上,脚位如下: 1 GND P 芯片参考地 2...
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2825-04
氮化镓快充芯片U8608集成多维度安全防护机制 深圳银联宝氮化镓快充芯片U8608具有多重故障保护机制,通过集成多维度安全防护,防止设备出现过充电、过放电、过电流等问题,在电子设备中构建起全方位的安全屏障,今天具体分析一下! ■输入过欠压保护 (Line OVP/BOP) 氮化镓...
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2725-04
耐压700V氮化镓电源ic U8765散热性能优越 氮化镓凭借高频高效特性,具备了体积小、功率高、发热低等优势,但小型化虽好,散热才是硬道理,选氮化镓电源ic得看准散热设计。今天就给小伙伴们推荐一款散热性能优越、耐压700V的氮化镓电源icU8765! 当氮化镓电源icU8765结温...
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2525-04
20V单高压45W氮化镓电源芯片U8726AHE EMI性能为高频交直流转换器的设计难点,为此氮化镓电源芯片U8726AHE通过DEM管脚集成了驱动电流分档配置功能。通过配置DEM管脚分压电阻值,可以选择不同档位的驱动电流,进而调节GaN FET的开通速度,系统设计者可以获得最优的EM...
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2425-04
具有双LDO供电配置的同步整流ic U7268 同步整流icU7268是一款高性能副边同步整流控制器,当配合外置MOS使用时,可以替代肖特基整流二极管以提高系统效率。U7268支持High Side和Low Side配置,且内置有VDD高压供电模块,无需辅助绕组供电,降低了系统成本。U7268具有...
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2425-04
25W带恒功率12V单高压氮化镓快充芯片U8723AH 芯片内置Boost电路将功率开关器件(如MOSFET)、驱动电路、反馈网络等集成于单一封装,省去分立元件布局,显著降低PCB面积需求。深圳银联宝氮化镓快充芯片U8723AH内置Boost供电电路,非常适用于宽输出电压的应用场景。U8723AH集...
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2325-04
700V/165mΩ HV高压启动频率可调氮化镓快充芯片U8766 700V/165mΩ HV高压启动频率可调氮化镓快充芯片U8766,推荐功率为65W,代表机型有5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A等。 氮化镓快充芯片U8766集成了高压启动功能。在启动阶段,U8766通过芯片HV脚对VDD充电,当VDD电压达到VV...
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2225-04
银联宝氮化镓电源芯片U8733L与U8733差异化分析 氮化镓电源芯片U8733L与U8733同属U8733X系列,都是外置OTP,自带降功率(限12V最大输出),集成高压启动电路,可获得快速启动功能和超低的工作电流,实现小于30mW的超低待机功耗。但参数性能略有不同,今天就为各位小伙伴详细拆...
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2125-04
700V/365mΩ高压启动GaN快充芯片U8609 GaN快充芯片U8609最高工作频率130kHz,700V/365mΩ,采用DASOP-7封装,主推12V3A,合封第三代半导体GaN FET,有利于降低电源尺寸。U8609采用CS Jitter技术,通过调制峰值电流参考值实现频率抖动,以优化系统EMI。 GaN快充芯片U...
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1825-04
12V单高压20W-25W氮化镓快充芯片U8722BAS 氮化镓快充芯片U8722BAS复用CS管脚以设定系统最高工作频率,CS管脚连接如图所示。 芯片启动时,U8722BAS通过检测RSEL电阻从而决定芯片最大工作频率。设定不同的RSEL电阻值即可选择两档不同的系统工作频率上限。选档判定结束后系...
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1725-04
充电器ic U7576满足快速启动和低待机应用需求 深圳银联宝充电器icU7576通过HV高压引脚实时检测交流输入状态,市电断开时触发内部放电逻辑,集成了输出欠压(BOP)与输入掉电、X电容放电功能,解决了X电容放电电阻引起的待机损耗问题。采用SOP-8封装,HV引脚集成650V VDMOS,提...
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首先,我们先来了解下肖特基二极管的特点: 1、正向压降:肖特基二极管的正向压降比快恢复二极管正向压降低很多,所以自身功耗较小,效率高。 2、反向恢复时间短:其反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),因此适宜工作在高频状态下。 3、耐电流大:能耐受高浪涌电流。 4、反... 【更多详情】
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随着中兴公司被美国禁运的消息传得沸沸扬扬。虽然这起事件本质上还是国与国之间的外交争夺、技术争夺以及由中兴公司在美国的商务行为中的一些不当之处所引发。但是中兴公司被禁运后可能面临的破产倒闭等问题,却给国内不少企业敲响了警钟。电源管理IC部分核心功能的国产化替... 【更多详情】
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