MOS管电流可靠性设计原则其一是防范变压器气隙处理不当时变压器磁芯饱和导致过流。气隙和制造过程相关，需供应商监控其波动。气隙过小，导致磁饱和；气隙过大，漏感过大，效率降低，发热严重。实际测试时变压器原边电流如出现瞬时尖峰即为饱和。其二是大负载条件下MOS管的瞬态电流保证余量足够。

MOS 管电流和变压器原边电流相等。一般地，一个电源设计完成后，副边各电流峰值Io是由输出大负载及大占空比Dmax决定，

副边平均峰值电流 : Ispa = Io / (1-Dmax )

副边直流有效电流 : Isrms = √〔(1-Dmax)*I2spa〕

副边交流有效电流 : Isac = √(I2srms - Io2)

Dmax为电源控制芯片给出的规格，一般为0.5.

变压器设计好后，匝比Np/Ns=n确定，且Np*Ip = Ns*Is，原边各电流值理论值如下，

原边平均峰值电流 : Ippa = Ispa / n

原边直流有效电流 : Iprms = Dmax * Ippa

原边交流有效电流 : Ipac = √D*I2ppa

银联宝科技MOS管AP3401替代新洁能NEC3401,该低压MOS管采用的P沟槽技术，提供优异的RDS（ON）。低栅极电荷和操作与栅极电压低2.5V。这个装置是适合用作负载开关或PWM应用。该MOS管AP3401的相关参数：

1.漏源电压Vds -30 V.

2.漏电流一连续Id -4.2 A.

3.漏极电流-连续A lD（Ta = 70°C）-3.5 A.

4.脉冲漏极电流B Idm -30 A.

5.栅源电压Vgs±12 V.

6.总功耗A Pd 1.4 W.

7.总功耗A PD（Ta = 70°C）1.0 w

8.工作和存储结温范围Tj，Tstg -55150°C

9..大结环境A RpJA 125°c / w

10..大结引线c Rojl 60°c / w

实际测试时确认峰值余量。一般地，大电压、大负载条件下电源启动、工作时的工作电流大。要求大工作电流<70%MOS管额定电流。更多MOS管型号，找银联宝科技。