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电源管理芯片开机影响因素及措施

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浏览:- 发布日期:2018-10-11 10:17:48【

      关于反激电源开机,着重分析SSR与PSR电源管理芯片的启动控制方式对开机延时时间、上升时间、输出电压过冲等开机指标的具体影响及措施。


      开机指标定义:
开机延时时间Td:从输入电压Vac(t)接入到输出电压Vo建立所需要的时间,开机延时时间一般需要小于3秒。
输出电压上升时间Tr:输出电压从10%上升到90%所需的时间。

输出电压过冲: (Vomax-Vo)/Vo,需要小于10%限制。


       电源管理芯片开机延时时间与芯片启动方式:

芯片启动方式包括高压启动、桥前电阻启动、桥后电阻启动三种, 其决定了开机延时时间,并影响待机功率,对比如下表所示。

电源管理芯片

上升时间及过冲与芯片控制方式: 

 
芯片控制方式通常包括CV控制、CC+CV控制,输出电压上升时间及过冲在不同控制方式下表现迥异。
CV控制:SSR架构一般采用CV控制,简化图如下,可见电压环误差量经PI调节后为原边开关管电流提供峰值电流参考Ipref 。
 
电源管理芯片
在启机瞬态时,由于Vo尚未建立, 误差量大, 若不限制(软启动) Ipref  达大值,可视为大功率启动。因而CV控制对开机指标的影响:上升时间短,输出电压过冲受开环传递函数穿越频率限制。
措施:为减小开机应力,控制芯片会加入几ms软启动,在软启动时间内 Ipref 不受电压环误差影响,分多个台阶逐步上升,导通时间缓慢增加:
(其中LP 为变压器初级感量,Vg 为整流后电压)
CC+CV控制:PSR架构一般采用CC+CV控制。如下图所示,在启机阶段,输出电压尚未达到设定值时,误差量较大,因此CC环起作用,当输出电压达到设定值后,CV环接管。
 
电源管理芯片

可见CC+CV控制启动阶段等价为恒流源 Io 对输出电容Co 及负载Ro 充电:
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因而CC+CV控制对开机指标的影响:上升时间长,输出电压无过冲。
措施:为缩短上升时间,银联宝电子科技IC厂家第四代PSR产品(如PN8395系列)在输出电压建立之前以大功率启动,从而将上升时间压缩在数十ms以内,解决了传统PSR控制的不足:功率越大,上升时间越长。

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