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: 原边15W开关电源芯片 SF5928S

专利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技术
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒压恒流高精度
原边反馈（PSR）控制，无需光耦和TL431
内置专利的线损电压补偿
自动补偿输入电压、电感感量变化，实现高精度
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护
原边反馈/内置MOSFET,输出过压保护
逐周期电流限制，内置前沿消隐
VDD欠压保护（UVLO），过压保护及钳位
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: 原边9W开关电源芯片 SF5926S

专利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技术
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒压恒流高精度
原边反馈（PSR）控制，无需光耦和TL431
内置专利的线损电压补偿
自动补偿输入电压、电感感量变化，实现高精度
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护
原边反馈/内置MOSFET,输出过压保护
逐周期电流限制，内置前沿消隐
VDD欠压保护（UVLO），过压保护及钳位
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: 原边6W开关电源芯片 SF5922S

专利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技术
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒压恒流高精度
原边反馈（PSR）控制，无需光耦和TL431
内置专利的线损电压补偿
自动补偿输入电压、电感感量变化，实现高精度
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护
原边反馈/内置MOSFET,输出过压保护
逐周期电流限制，内置前沿消隐
VDD欠压保护（UVLO），过压保护及钳位
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: 副边50W开关电源芯片 SF1530

副边反馈/外驱MOSFET,管脚浮空保护
系统频率可编程，并内置频率抖动EMI
内置同步斜率补偿
逐周期电流限制，内置前沿消隐
内置高低压过流补偿实现全电压平坦OCP曲线
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: 副边25W开关电源芯片 SF5930

专利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技术
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
±5%恒压恒流精度
快速动态响应，大小减小输出纹波
支持输出电压大小50V
原边反馈（PSR）控制，无需光耦和TL431
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: 副边25W开关电源芯片 SF5920

专利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技术
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
±5%恒压恒流精度
快速动态响应，大小减小输出纹波
支持输出电压大小50V
原边反馈（PSR）控制，无需光耦和TL431
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: PFC肖特基 PTR30L80CT

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: PFC肖特基 PTR30L80CTF

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下，电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏电电流较少
在较高的反向电压下，开
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: PFC肖特基 PFR30L60CTF

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下，电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏电电流较少
在较高的反向电压下，开关速度更快
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: 原边12W开关电源芯片 U6315

QR-PSR控制提高工作效率。
±4% 的恒流恒压精度,PSR控制模式。
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求,待机＜70mW。
原边反馈/内置三极管,内置专利的线损电压补偿。
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护。
VDD欠压保护，VDD过压保护及钳位。
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: 副边65W开关电源芯片 SF5533

副边反馈/外驱MOSFET
效率满足六级能效要求
优化降频技术提率
无异音OCP补偿低压重载异音
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
内置频率抖动EMI
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
内置同步斜率补偿. 逐周期电流限制, 内置前沿消隐
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: 原边15W开关电源芯片 SF5938S

效率满足六级能效要求
原边反馈/内置600V 功率MOSFET
内置反馈脚(FB)短路保护
内置专利的线损补偿,提高量产精度
内置快速动态响应控制
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
内置软启动,启动电流,管脚浮空保护
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
支持高50V 输出电压
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: 原边13W开关电源芯片 SF6773V

效率满足六级能效要求
原边反馈/内置650V 功率MOSFET
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护
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: 隔离36W开关电源芯片 SFL950

提高系统效率，异音。
内置频率抖动EMI。
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求。
内置高低压过流补偿。
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护。
待机功耗(≤75mW)
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: 10W系列 5V 2A电源方案

PSR控制模式，无光耦，无431。
±5% 的恒流恒压精度。
专利的‘NC-Cap/PSR’技术。
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求,待机＜75mW。
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: 副边50W开关电源芯片 SF5773

品牌：银联宝电子
型号：SF5773 SSR控制模式，
±5% 的恒压精度。
副边反馈/外驱MOSFET
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求,待机＜75mW。
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: 副边15W开关电源芯片 SF5539H

效率满足六级能效要求
副边反馈/内置600V 功率MOSFET
内置65KHz 工作频率
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
内置频率抖动EMI
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: 18W系列12V1.5A能效六级方案

效率满足六级能效要求
内置650V 功率MOSFET
内置65KHz 工作频率
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
电流启动
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
内置频率抖动EMI
内置逐周期电流限制, 内置前沿消隐
内置高低压过流补偿实现全电压平坦OCP曲线
VDD欠压保护(ULVO), 过压保护及钳位
OLP可编程
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: 65W系列 19V3.42A能效六级方案

优化降频技术提率
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
效率满足六级能效
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
无异音OCP补偿低压重载异音
OLP时间可编程
VDD欠压保护(ULVO), 过压保护及钳位
内置同步斜率补偿. 逐周期电流限制, 内置前沿消隐
内置频率抖动EMI
更多 +

: 5V1.5A能效六级方案

QR-PSR控制提高工作效率。
±4% 的恒流恒压精度,PSR控制模式。
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求,待机＜70mW。
内置专利的线损电压补偿。
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护。
VDD欠压保护，VDD过压保护及钳位。
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