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副边18W开关电源芯片 SF5549H
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副边反馈/内置MOSFET
效率满足六级能效要求
内置650V 功率MOSFET
内置65KHz 工作频率
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
电流启动
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
内置频率抖动EMI
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原边5W开关电源芯片 SF6022
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效率满足六级能效要求
原边反馈/内置反馈脚(FB)短路保护
±4%恒压恒流精度,支持高50V 输出电压
内置快速动态响应控制,无异音工作,
内置专利的线损电压补偿,提高量产精度
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
内置软启动,启动电流,管脚浮空保护
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
零电压带载启动减小OCP恢复间隙
VDD欠压保护(UVLO),过压保护及钳位
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原边15W开关电源芯片 SF5938S
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效率满足六级能效要求
原边反馈/内置600V 功率MOSFET
内置反馈脚(FB)短路保护
内置专利的线损补偿,提高量产精度
内置快速动态响应控制
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
内置软启动,启动电流,管脚浮空保护
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
支持高50V 输出电压
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原边13W开关电源芯片 SF6773V
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效率满足六级能效要求
原边反馈/内置650V 功率MOSFET
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
内置软启动,启动电流,管脚浮空保护
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隔离36W开关电源芯片 SFL950
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提高系统效率,异音。
内置频率抖动EMI。
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求。
内置高低压过流补偿。
内置软启动,启动电流,管脚浮空保护。
待机功耗(≤75mW)
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副边50W开关电源芯片 SF5773
品牌:银联宝电子更多 +
型号:SF5773 SSR控制模式,
±5% 的恒压精度。
副边反馈/外驱MOSFET
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求,待机<75mW。
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副边15W开关电源芯片 SF5539H
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效率满足六级能效要求
副边反馈/内置600V 功率MOSFET
内置65KHz 工作频率
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
内置频率抖动EMI
- [公司新闻]5-24V适配器E-GaN电源应用方案:U8722DE+U7110W2025年08月14日 14:26
- 电源适配器能将家庭用电的高电压转换成设备能工作的稳定低电压,确保设备正常运行。除了电脑、手机、游戏机,还广泛配套于安防摄像头、机顶盒、路由器、灯条、按摩仪等设备中。深圳银联宝今天推荐的是5-24V适配器E-GaN电源应用方案:U8722DE+U7110W。 E-GaN电源芯片U8722DE主要特征: 集成700V E-GaN 集成高压启动功能 超低启动和工作电流,待机功耗30mW 谷底锁定模式,最高工作频率两档可调(220kHz,130kHz) 集成EMI优化技术 驱动电流分
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- [公司新闻]多模式高性能准谐振式原边控制快充电源芯片U6218C2025年08月13日 15:11
- 快速充电器的原边(初级)调节的反馈信号不是直接取自于输出电压,而是取自于和输出电压保持一定比例关系的辅助绕组或原边初级主绕组,不需要隔离光耦,布局简单,成本低。快充电源芯片U6218C是一款高性能准谐振式原边控制功率开关,尤其适合于充电器应用。在满载输出条件下,U6218C在全部输入电压范围内均工作在准谐振模式,以此获得优异的效率和温升性能。 快充电源芯片U6218C特征: 1.集成功率MOSFET 2.高效率准谐振式原边控制 3.高精度恒压、恒流输出 4.待机功耗75mW
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- [公司新闻]充电器、适配器能效管理推荐——快充电源芯片U86092025年08月07日 15:02
- 发电、输电、储电和用电的各个环节需要更智能、更高效的能源管理,才能更好实现降低能源消耗、低碳化的愿景。功率半导体技术则是这一链条各环节的核心所在。GaN技术的一个典型应用是,提升智能手机和笔记本电脑的充电器效率和功率密度。在GaN FET驱动市场,有这么一颗广受关注的快充电源芯片U8609,推荐给各位小伙伴! 快充电源芯片U8609是一款集成E-GaN的恒压恒流PSR反激功率开关管,可为18~65W适配器应用提供全新的解决方案。U8609采用原边反馈控制,可节省光耦和TL43
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- [公司新闻]发热低、转换高、体积小的30W快充电源芯片U8723AHS2025年08月04日 11:34
- 快速充电要保证电池的循环寿命、电池容量、充电安全可靠,方方面面都要表现出色,还要解决过往充电器转换率低、体积大等问题。同时在充电器的设计上体积要更小,发热更低,转换效率要更高。推荐一款集成E-GaN的高频高性能准谐振快充电源芯片——U8723AHS! 30W快充电源芯片U8723AHS是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片采用准谐振控制方式,最高支持220kHz开关频率,适用于高功率密度的交直流转换器设计。 30W快充电源
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- [公司新闻]PD20W单压过认证快充电源方案:U8722AH+U7714A2025年07月29日 14:58
- 单压过认证电源指单路电压输出(如12V、24V等)且?通过安全认证(如CE、UL、3C)的电源产品,可提供单一稳定输出电压。推荐一款具备多重安全防护功能的方案——PD20W单压过认证快充电源方案:快充电源芯片U8722AH+同步整流芯片U7714A,结构精简,成本优势显著! 快充电源芯片U8722AH是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路,可获得快速启动功能和超低的工作电流,实现小于30mW的超低待
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- [公司新闻]PD25W 100Vac-264Vac非标款氮化镓电源方案U8723AH+U7612A2025年07月23日 11:07
- 输入规格:100V-264V 50/60Hz 输出规格:C 口 PD25W:5V3A / 9V2.78A / 12V2.08A 芯片型号:主控-U8723AH 同步-U7612A 协议-HUSB338E 氮化镓电源芯片U8723AH是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路,可获得快速启动功能和超低的工作电流,实现小于30mW的超低待机功耗。U8723AH的工作频率最高可达220kHz,可全范围工作在准谐振模式。芯片集成峰值电流抖动功
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- [公司新闻]E-GaN电源芯片U8722BAS+同步整流芯片U7612B全电压应用方案2025年07月17日 15:08
- 全电压电源支持AC85-265V宽幅电压,可覆盖绝对大部分国家和地区的电网标准,避免因电压不匹配导致设备损坏或无法使用的问题。且适用于各类电子设备,尤其适合出口产品或跨区域使用的场景,提升产品适用范围。今天推荐的E-GaN电源芯片U8722BAS+同步整流芯片U7612B,就是一款高效低耗的全电压电源应用方案,体验好,成本低! E-GaN电源芯片U8722BAS特点: ●集成高压E-GaN ●集成高压启动功能 ●超低启动和工作电流,待机功耗30mW ●谷底锁定模式,最高工作
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- [公司新闻]PD快充芯片U8621+同步整流芯片多套电源方案可选2025年07月16日 14:21
- 电源芯片方案的成本优化可从芯片选型、模块化设计、外围元件减少等方面实现。采用高集成度电源芯片可大幅减少外围元件数量。今天推荐的PD快充芯片U8621具有全负载高效率、低空载损耗、低EMI干扰和高EMS抗干扰、极少外围应用元件等优点,还有搭配的同步整流芯片介绍! PD快充芯片U8621的启动电流低至10uA,启动电路的电阻值可以高达4M,这样使电源系统拥有更低的损耗;芯片静态电流低至500uA,使得电源系统设计者更加轻松应对能源之星六或者能效六级的能效标准。频率抖动功能U86
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- [公司新闻]开关电源芯片U8623恒功率输出模式稳定性强2025年07月10日 15:11
- 恒功率输出模式是一种电源或负载控制策略,其核心目标是在输入条件或负载变化时保持输出功率恒定,常见于对功率稳定性要求较高的应用场景。深圳银联宝开关电源芯片U8623采用恒功率输出、恒温输出模式,采用专用的抖频技术,使得电源系统的电磁兼容性、可靠性能得到极大的发挥! 开关电源芯片U8623具备恒功率输出模式,当FB脚电平大于3.7V以后,芯片PWM占空比由CS引脚电平对应的VOCP来控制,为保证在AC90V-264V输入范围内 的恒功率性能,对VOCP值根据占空比进行补偿。U86
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- [公司新闻]氮化镓电源芯片U8722BAS内置高精度、高可靠性驱动电路2025年07月01日 14:21
- 炎热的夏天,总是需要一些冲散酷暑的小电器,给生活制造惊喜。客户最近热卖的制冷杯,被称为夏日“行走的小冰箱”,受到了许多上班族和户外一族的喜爱,充电部分采用的正是我们深圳银联宝科技研发生产的氮化镓电源芯片。今天就带你一起看看氮化镓电源芯片U8722BAS上演的神奇魔法吧! 氮化镓电源芯片U8722BAS集成高压E-Mode GaN FET,为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率,芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路,驱动电压为VDRV(典型值
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- [公司新闻]抗干扰、极简外围的恒压恒功率PD快充芯片U86232025年06月26日 14:55
- 夏天来了,小风扇成了我们手中的避暑神器。在各大购物平台,迷你小风扇的搜索量日益上升,成为酷热高温里的外出必备单品。迷你小风扇的电源配件销量也在猛增。如果你正在找寻一颗优质的充电器芯片,建议了解下深圳银联宝科技的PD快充芯片U8623! PD快充芯片U8623是一款恒压、恒功率、恒温离线型电流模式PWM电源芯片,内置0.85Ω/650V的超结硅功率MOS。U8623具有全负载高效率、低空载损耗、低EMI干扰和高EMS抗干扰、极少外围应用元件等优点。U8623在一定条件下适用于
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- [公司新闻]快充电源芯片U872XAH欠压、过压互补防护机制确保用电安全2025年06月25日 11:06
- 欠压保护是指当输入电压低于预设阈值时,自动切断电源输出,避免设备在低压下异常工作或损坏;过压保护是指输入电压超过安全限值时,立即切断输入或关闭输出,防止高压击穿元件。快充电源芯片U872XAH系列有三个档位,输入、输出都具备欠压保护和过压保护性能,有效保障电源安全! ■输入欠压保护 (BOP) 快充电源芯片U872XAH通过DRAIN管脚对母线电压进行采样,当母线电压值小于BOP保护阈值VBOP(典型值100V) 时,芯片内部的BOP延迟计时使能,计时时间为TBOP_DEL
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- [公司新闻]36W E-GaN快充电源ic U8609前沿消隐复合保护体系2025年06月23日 11:01
- 前沿消隐是开关电源系统中用于消除功率器件导通瞬间脉冲尖峰引发误触发动作的保护技术。该技术通过在开关管导通后设定特定消隐时间窗口,在此期间屏蔽电流检测信号,避免寄生电容充放电或变压器漏感导致的尖峰电压误触发过流保护机制。现代电源芯片普遍将LEB功能与逐周期限流、退饱和保护等模块集成,形成复合保护体系。一起来看看36W E-GaN快充电源icU8609的前沿消隐是如何发挥作用的! 由于原边功率开关寄生电容、变压器寄生电容和副边整流管反向恢复的原因,功率开关开通瞬间会在采样电阻上
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